【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制备厘米级长度的银单晶纳米线阵列的方法，其特征在于该方法按如下步骤进行：（１）采用裸玻璃光纤作为基底，利用真空热蒸镀的方法，在裸玻璃光纤一侧沿光纤轴向沉积两片银膜分别作为阴极和阳极；（２）在阴极和阳极之间沿光纤轴向沉积ＲｂＡｇ↓［４］Ｉ↓［５］银离子导电薄膜，并使其覆盖阴极和阳极；（３）将阴极和阳极分别与直流恒压源的负极和正极连接，在真空状态下，对阴极和阳极之间施加恒定直流电压，使电场方向平行于光纤轴向；其电压值为２００～５００毫伏特，通电时间至少为４０小时。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙家林，曹阳，姚海飞，张建红，时硕，郭继华，刘伟，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。