本发明涉及一种用于制造光电子半导体组件(1)的方法，其具有如下步骤：A)使用于产生辐射的半导体层序列(3)生长在生长衬底(2)上，B)将半导体层序列(3)结构化为发射支路(11)，使得相邻的发射支路(11)之间的空隙(12)中的半导体层...

提供了一种发射辐射的半导体器件(1)，所述半导体器件具有半导体层序列(2)和载体(3)，在所述载体上设置有半导体层序列，其中，半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区(20)、n型传导的镜区域(21)和p型传导的镜区域(22)，所述有源...

例如用于机动车的头灯(1)，所述头灯具有用于光学远场的像素精细照明的像素化结构。所述头灯包括用于产生光的第一半导体芯片(31)以及第二半导体芯片(32)。第一和第二半导体芯片(31、32)各包括多个像素(33)。第一光学器件(41)布置...

半导体激光器(1)在一个实施方案中包括载体(2)和边缘发射的激光二极管(3)，激光二极管安置在载体(2)上并且激光二极管包括用于产生激光辐射(L)的有源区(33)和具有辐射出射区域(31)的端面(30)。半导体激光器(1)还具有保护覆盖...

本发明提出一种发射辐射的半导体元件(1)，其包括：半导体本体(2)，其具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；载体(3)，在其上布置有半导体本体；和光学元件(4)，其中，光学元件利用直接键合连接固定在半导体本体上。本发明还提出一种用于制...

本发明涉及一种用于制造光电子部件的方法，包括以下方法步骤：提供具有顶侧的支撑件。将光电子半导体芯片布置在所述支撑件的所述顶侧之上。此外，将灌封材料布置在所述支撑件的所述顶侧之上，将所述光电子半导体芯片嵌入到所述灌封材料中。所述灌封材料形...

在用于制造光电子部件的方法中，提供具有顶侧的载体。光电子半导体芯片被布置在所述载体的顶侧之上。此外，在所述载体的顶侧之上布置灌封材料，其中所述光电子半导体芯片被嵌入到所述灌封材料中。所述灌封材料形成灌封表面。将颗粒喷射到所述灌封表面上，...

提出一种用于制造转换元件(2)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有开口(9)的框架(8)；‑将牺牲层(10)至少施加到至少一个开口(9c)的侧面上；‑将反射层(5)施加到牺牲层(10)上；‑将转换材料(4)引入到至少一个开口(9)中...

本发明涉及一种光电子器件，其包括具有表面的衬底。反射阻挡件形成在所述衬底的所述表面上方。所述反射阻挡件将所述衬底的所述表面划分为图像点。每个图像点分别具有至少一个布置在所述衬底的所述表面上的光电子半导体芯片。所述光电子半导体芯片被设计为...

本发明涉及屏障层的制备方法和包含这种屏障层的载体主体。用于在聚合物膜(2)上制备屏障层(22)的方法，包括以下步骤：A)提供包含由至少一种聚合物制成的聚合物膜(2)的载体主体(1)，所述聚合物膜(2)形成载体主体(1)的屏障界面(20)...

光电子半导体组件(1)在一个实施方案中包括用于产生辐射的半导体芯片(2)和无机壳体(3)。半导体芯片(2)气密地安置在壳体(3)中。壳体(3)具有优选为陶瓷的底板(31)、盖板(33)和至少一个优选为陶瓷的壳体环(32)以及多个电导通孔...

一种发光半导体部件(99)，其具有：激光条(100)，所述激光条包括至少两个单发射器(2)；和转换元件(300)，所述转换元件在光路中设置在激光条(100)的下游，其中单发射器(2)中的至少一些在侧向的横向方向(X)上彼此并排地设置，激...

提出一种发光半导体器件(100)，所述发光半导体器件具有：‑具有主表面(10)的发光半导体芯片(1)，所述主表面具有辐射耦合输出面，经由所述辐射耦合输出面在运行中放射在第一波长范围内的第一光(91)。在主表面的第一子区域(11)上施加波...

本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法。所述方法包括：提供金属载体，其中载体具有前侧和与前侧相反的后侧；在前侧上移除载体材料，使得载体在前侧的区域中具有突出的载体部段和在其之间设置的凹陷部；构成邻接于载体部段的塑料体；将光电子半导体芯片...

本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片(100)的方法，所述方法具有如下步骤：A)在腔(5)中提供表面(2)；B)在腔(5)中提供至少一种有机的第一前驱体(3)和第二前驱体(4)，其中有机的第一前驱体(3)具有气态的III族化合物材料(...

在运行方法的一个实施方式中，将传感器(1)的连接导线(61)连接到外部的驱控单元(7)处。待机控制电路(62)一方面确定连接导线(61)是否被驱控单元(7)外部响应，另一方面确定连接导线(61)是否被激活状态导线(OUT)响应。当连接导...

一种半导体器件，所述半导体器件包括：‑第一半导体本体(1)，所述第一半导体本体具有衬底(10)，所述衬底具有第一厚度；以及‑第二半导体本体(2)，所述第二半导体本体具有小于第一厚度的第二厚度，具有去除部位(40)，在衬底(10)上设置并...

提出一种发光材料组合物(10)，所述发光材料组合物包括第一发光材料(1)和第二发光材料(2)，其中第二发光材料是发红光的量子点发光材料。此外，提出一种转换元件(20)和一种光电子设备(30)，其分别包括发光材料组合物(10)。

提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有半导体层序列，所述半导体层序列具有：第一传导类型的第一和第二半导体层；适合于产生电磁辐射的有源层；第一电接合层和与所述第一电接合层横向间隔开的第二电接合层，所述第二电接合层电接触第二半导...

一种用于制造多个半导体芯片(100)的方法，所述方法包括步骤A)，其中提供半导体衬底(1)，所述半导体衬底具有在半导体衬底(1)的上侧(10)上的多个集成的电子电路(2)。在步骤B)中将牺牲层(3)施加到半导体衬底的一侧上。在步骤C)中...