欧司朗OLED股份有限公司专利技术

欧司朗OLED股份有限公司共有139项专利

  • 发光器件和用于制造发光器件的方法。提出一种发光器件(100),所述发光器件具有:发光半导体芯片(1),所述发光半导体芯片具有光耦合输出面(10),所述光耦合输出面侧向地由第一反射材料(2)形状配合地包围;在光输出耦合面(10)上的薄膜元...
  • 说明了一种具有缓冲层(3)的载体(9)或一种特别是具有这种载体的器件(100)。所述载体被构造为金属的,其中所述缓冲层的屈服应力至少为10MPa并且至多为300MPa。特别地,所述载体具有基体(90),该基体在其材料组成方面被构造为使得...
  • 提出一种发光材料,所述发光材料具有通式(AB)
  • 提出一种发光材料混合物,包括:‑第一发光材料(1),所述第一发光材料具有(2)发射光谱,所述发射光谱具有在70纳米和150纳米之间的FWHM宽度(3),其中包括边界值,并且所述第一发光材料发出来自绿色的光谱范围的电磁辐射,‑第二发光材料...
  • 提出一种半导体激光二极管(1),其具有:‑半导体层序列(2),所述半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域(20);‑辐射耦合输出面(10),所述辐射耦合输出面垂直于有源区域的主延伸平面伸展;‑主面(11),所述主面对半导体层序列沿竖...
  • 描述一种激光二极管(10),具有半导体层序列(12),所述半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料,所述激光二极管包括:n型包覆层(2);第一波导层(3A);第二波导层(3B);和设置在第一波导层(3A)和第二波导层(3B)之间的有源层(...
  • 一种边缘发射的激光棒(100),所述激光棒包括基于AlInGaN的半导体层序列(1),所述半导体层序列具有接触侧(10)和用于产生激光辐射的有源层(11)。此外,激光棒包括多个沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置的单个发射器(2)...
  • 提出一种发光半导体器件(100),所述发光半导体器件具有基于磷化物和/或砷化物化合物半导体材料体系的半导体层序列(1),其中半导体层序列(1)具有在第一包覆层(11)和第二包覆层(12)之间的发光半导体层(10)以及至少一个第一半导体保...
  • 提出一种用于制造用于光电子半导体器件(1)的接触结构(150)的方法,所述方法包括如下步骤:a)提供生长衬底(120),所述生长衬底具有在其上生长的半导体本体(10),所述半导体本体具有第一区域(101)、第二区域(102)和有源区域(...
  • 用于制造光电子器件(100)的方法包括步骤A),其中提供临时载体(1)。在步骤B)中将功能薄膜(3)施加在所述临时载体(1)上,其中所述功能薄膜(3)具有多个开口(30)。在步骤C)中在所述开口(30)内布置分别具有安装侧(21)的光电...
  • 提出一种光电子器件(1),其包括:半导体本体(10),第一传导类型的第一区域(101)、第二传导类型的第二区域(102)和有源区(103)。有源区(103)设置在第一区域(101)和第二区域(102)之间。在半导体本体(10)的第一区域...
  • 提出一种半导体芯片(10),所述半导体芯片具有辐射可穿透的载体(1)、半导体本体(2)以及透明电流扩展层(3),其中半导体本体具有n侧半导体层(21)、p侧半导体层(22)以及处于其之间的光学有源区(23)。半导体本体借助于辐射可穿透的...
  • 在一个实施方式中,该方法用于制造光电子半导体器件(1)并且包括以下步骤:A)将用于产生辐射(R)的光电子半导体芯片(3)施加到载体(2)上,B)直接在所述半导体芯片(3)周围产生具有背向所述载体(2)的灌封上侧(50)的灌封(5),使得...
  • 提出一种半导体芯片(10),所述半导体芯片具有半导体本体(2)、电流扩展层(3)和接触结构(4),其中所述半导体本体包括第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和位于其间的有源层(23),并且所述电流扩展层沿着竖直方向设置在所述接触结...
  • 本发明涉及一种半导体本体(1),所述半导体本体包括III‑V族化合物半导体材料,所述半导体本体具有掺杂有p型掺杂材料的p型传导区域(10),其中p型传导区域(10)包括至少一个第一部段(101)、第二部段(102)和第三部段(103),...
  • 提出一种用于将半导体芯片(1)固定在基板(3)上的方法。方法包括如下方法步骤:A)提供半导体芯片(1),B)将焊料金属层序列(2)施加到半导体芯片(1)上,C)提供基板(3),D)将金属化层序列(4)施加到基板(3)上,E)将半导体芯片...
  • 提出一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括:‑外延的半导体层序列(1),所述半导体层序列具有有源区(2),所述有源区在运行中产生电磁辐射(S);以及‑钝化层(3),所述钝化层包括氧化镁和氮化镁,其中钝化层(3)施加在半导体层序列(1)...
  • 本发明涉及一种用于通过官能化的p型掺杂剂反应来制备交联的空穴导电层的方法,其中官能化的p型掺杂剂是有机金属络合物,所述有机金属络合物包括至少一个中心原子和有机配体,其中所述中心原子选自元素周期表的第6至第15族的金属并且所述有机配体中的...
  • 提出一种有机发光器件,所述有机发光器件具有:衬底(10);在衬底(10)上的第一电极(20);在第一电极(20)上的至少一个第一有机功能层堆(100),所述第一有机功能层堆发射在第一波长范围中的辐射;在第一有机功能层堆(100)上的第二...
  • 发光器和具有多个发光器的装置
    在一个实施方式中,发光器(1)包括有机发光二极管(2),所述有机发光二极管具有平面的、有效的发射面E,从所述发射面起放射在有机发光二极管(2)中产生的光。此外,发光器(1)包含反射器(5),所述反射器设计用于在抑制眩光角a之上抑制眩光。...