【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机空穴导体的p型掺杂的交联的p型掺杂剂
本专利技术涉及一种用于制备交联的空穴导电层的方法，一种交联的空穴导电层和一种有机电子器件，所述有机电子器件包括交联的空穴导电层。该申请要求德国专利申请102016111062.0的优先权，其公开的内容通过参引并入本文。
技术介绍
如今，基本上借助两种不同的制造方法获得有机电子设备的商业上最重要的器件。在此，一方面，使用湿法工艺，在所述湿法工艺中有机层通过经由不同的印刷技术、即例如喷墨印刷、凹版印刷、胶版印刷、旋涂涂覆或夹缝式涂覆从溶液中沉积而构建。另一方面，能够借助升华、即在真空中热蒸镀将层从气相中沉积来进行。通过升华制造迄今最有效的、商业上可用的有机器件，即例如有机发光二极管、太阳能电池、晶体管和双极性晶体管。此外，这些器件的效率也通过以下方式达到，所述器件由非常多单层构成，其中每个层具有关于在组件中的位置方面特定的电学功能。目前，通过溶剂工艺制造的有机器件在结构方面仍具有明显较小的复杂性。这因工艺所决定地由于沉积的有机层在其他加工步骤中不应通过下述有机溶剂溶解的要求而得出。为了满足该边缘条件，如果在进一步的工艺中用...
【技术保护点】
1.一种用于通过官能化的p型掺杂剂反应来制备交联的空穴导电层的方法，其中所述官能化的p型掺杂剂是有机金属络合物，所述有机金属络合物包括至少一个中心原子和有机配体，其中所述中心原子选自元素周期表的第6至第15族的金属并且所述有机配体中的至少一个有机配体选自下列式I至式V：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.16 DE 102016111062.01.一种用于通过官能化的p型掺杂剂反应来制备交联的空穴导电层的方法，其中所述官能化的p型掺杂剂是有机金属络合物，所述有机金属络合物包括至少一个中心原子和有机配体，其中所述中心原子选自元素周期表的第6至第15族的金属并且所述有机配体中的至少一个有机配体选自下列式I至式V：其中E彼此独立地为氧、硫、硒或N(E1)x，其中E1彼此独立地选自：H、D、取代的或未取代的烷基或芳基，并且x＝0、1或2；R彼此独立地为H、D、F、C1-C20的支链的和非支链的取代的或未取代的烷基或芳基；Rv分别彼此独立地选自：取代的或未取代的芳基、烷基、烷氧基、环烷基、亚芳基、卤代芳基、杂芳基、杂亚芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮基杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基，和-每个Rv分别具有至少一个进行官能化的残基或由这些残基构成，所述残基选自组RF，其包括-OH、-COOH、-NH2、-NHR’、卤素、C2-C40的烯基、-二烯基、-炔基、-链烯氧基、-二烯氧基、-炔氧基、丙烯酸、氧杂环丁烷、环氧乙烷、硅烷、丙烯酸、酐和环丁烷；其中R’是C1-C20的支链的、非支链的、取代的和未取代的烷基和芳基；-G＝-C(RF)uHvFw，其中u+v+w＝3；-并且n＝1至4。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述官能化的p型掺杂剂彼此反应并且交联。3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述官能化的p型掺杂剂与官能化的空穴导体反应，并且所述官能化的空穴导体同样具有至少一个选自RF或Rv的残基，并且其中所述官能化的p型掺杂剂与所述官能化的空穴导体交联。4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述金属络合物包括作为中心原子的铋、锡、锌、铑、钼、铬或铜并且所述有机配体中的至少一个有机配体对应于所述式I。5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述有机配体中的至少一个有机配体对应于下列式VI、式VII或式VIII中的一个：其中R2和R3或R2、R3和R4彼此独立地选自：F和支链的和非支链的取代的烷基或取代的芳基。6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述金属络合物包括铋、锡、锌、铑、钼、铬或铜并且所述有机配体中的至少一个有即配体对应于所述式II。7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述金属络合物包括铋、锡、锌、铑、钼、铬或铜并且所述有机配体中的至少一个有机配体对应于所述式III。8.根据权利要求1至3中任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈特·施密德，弗洛里安·凯斯勒，卡特娅·施特格迈尔，法布里斯·埃克斯，霍尔格·海尔，贝亚特·布克哈特，亨宁·赛梅，
申请(专利权)人：欧司朗OLED股份有限公司，默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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