在一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有最大强度的波长L的辐射的有源区(23)。镜(3)包括覆盖层(31)。覆盖层(31)由对于辐射可穿透的材料构成并且具有0.5L和3L之间的光...

在一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有最大强度的波长L的辐射的有源区(23)。镜(3)包括覆盖层(31)。覆盖层(31)由对于辐射可穿透的材料构成并且具有0.5L和3L之间的光...

提出一种用于将半导体芯片(1)固定在基板(3)上的方法。方法包括如下方法步骤：A)提供半导体芯片(1)，B)将焊料金属层序列(2)施加到半导体芯片(1)上，C)提供基板(3)，D)将金属化层序列(4)施加到基板(3)上，E)将半导体芯片...

例如用于机动车的头灯(1)，所述头灯具有用于光学远场的像素精细照明的像素化结构。所述头灯包括用于产生光的第一半导体芯片(31)以及第二半导体芯片(32)。第一和第二半导体芯片(31、32)各包括多个像素(33)。第一光学器件(41)布置...

一种边缘发射的激光棒(100)，所述激光棒包括基于AlInGaN的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有接触侧(10)和用于产生激光辐射的有源层(11)。此外，激光棒包括多个沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置的单个发射器(2)...

本发明涉及一种用于在光电子的发光装置上由在可流动的状态中所提供的材料来制造层的装置，该装置包括尤其板状的限制机构以及固持机构，所述固持机构用于在所述发光装置上方以特定的间距来固持所述限制机构，以用于在所述限制机构与所述发光装置之间构造所...

提出一种发射辐射的器件，具有：第一半导体芯片(1)，所述第一半导体芯片在运行中发射蓝光(51)；第二半导体芯片(2)，所述第二半导体芯片在运行中发射青色光(52)；和转换元件(3)，所述转换元件在运行中发射次级辐射(53)，其中转换元件...

说明了一种用于在表面（20）上固定半导体芯片（10）的方法，其中在所述半导体芯片（10）的安装面上施加焊料连接（30），在所述焊料连接（30）的背离安装面的侧上施加金属粘接层（40），将所述表面（20）预热到温度T1，将所述金属粘接层（...

一种光电子半导体器件(10)，包括：第一导电类型的第一半导体层(120)；第二导电类型的第二半导体层(130)，其中第一半导体层和第二半导体层(120，130)的半导体材料分别是化合物半导体材料，其包含第一、第二和第三组成元素；和用于电...

本发明涉及一种半导体激光器(20)，具有：载体(21)；布置在载体(21)上的边缘发射激光二极管(22)，并且边缘发射激光二极管具有用于产生激光辐射的有源区和具有辐射射出区的棱面(23)；光学元件(25)，其覆盖棱面(23)；连接材料(...

本发明涉及一种光电半导体装置(10)，其具有设置在衬底(100)中的、由第一光电组件(15)构成的第一排列(140)和由第二光电组件(16)构成的第二排列(150)。第一光电组件(15)分别包括沿第一方向相互叠加布置的、具有第一主表面(...

提出一种光电子器件(20)，具有：载体(21)；光电子半导体芯片(25)；绝缘层(22)，所述绝缘层具有电绝缘材料；和第一接触层(23)，所述第一接触层具有导电材料。绝缘层(22)设置在载体(21)上并且具有腔(24)，半导体芯片(25...

本发明实施例涉及一种半导体激光器(1)，其包括半导体层序列(2)，在半导体层序列中存在用于产生激光辐射的有源区(22)。脊形波导(3)构成为从半导体层序列(2)向外的凸起部。电接触层(5)直接位于脊形波导(3)上。金属的电连接区域(6)...

本发明涉及具有下列部件的光电组件（1）：至少一个被设置用于发射辐射的光电半导体芯片（2），围绕半导体芯片（2）的封装件（3），其中封装件（3）具有聚硅氧烷，和布置在封装件（3）上的至少一个用于防止有害气体（V）的阻挡层（4），其中该阻挡...

在一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有最大强度的波长L的辐射的有源区(23)。镜(3)包括覆盖层(31)。覆盖层(31)由对于辐射可穿透的材料构成并且具有0.5L和3L之间的光...

一种传感器设备，尤其用于测量人体的至少一个生命参数，其具有壳体，壳体具有至少一个第一腔体和一个第二腔体，其中，至少一个光发射器布置在第一腔体中，并且其中，至少一个光探测器布置在第二腔体中，其中，腔体中的每一个都在壳体的底侧处具有开口，使...

本发明提出一种构件联合体(100)，其具有多个光学构件、能移除的牺牲层(4)、保持结构(3)和共同的中间载体(90)，其中，光学构件分别具有用于形成光束的光学元件(10E)，并且牺牲层沿竖直方向至少局部地布置在中间载体与光学构件之间。保...

本发明涉及具有发射体层的发光器件。在发光器件中，第一发射体材料具有至少一个第一激发状态和第二激发状态，其中第二激发状态在能量上在第一激发状态之上，并且在从第一发射体材料的第一激发状态过渡到基本状态的情况下发射第一电磁辐射，并且其中第二发...

在一个实施方式中，光电半导体组件（1）包括至少两个引线框部件（21、22）以及在安装区域（24）中敷设在所述引线框部件中的一个引线框部件（21）上的光电半导体芯片（3）。引线框部件（21、22）经由灌封体（4）彼此机械连接。所述半导体芯...

在至少一个实施方式中，光电半导体芯片（100）包括具有发射侧（10）的半导体层序列（1），其中所述发射侧（10）包括多个发射场（11、12）。所述半导体芯片包括在两个相邻的发射场之间的区域中的发射侧上的反射分隔壁（20）。此外，所述半导...