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NXP股份有限公司专利技术
NXP股份有限公司共有2775项专利
场效应晶体管的高-K栅极结构中的界面层再生长控制制造技术
一种具有栅极结构的场效应晶体管,所述栅极结构包括:高-K电介质层;栅电极,位于所述高-k电介质层上;以及界面层,位于所述高-K电介质层和所述场效应晶体管的沟道区之间。所述界面层包括包含再生长抑制剂的SiO2层。一种形成场效应晶体管的栅极...
安全移动环境中访问应用的方法技术
一种在移动通信设备(4)中从可信应用访问应用(5、14、26),该应用(5、14、26)由服务供应端(2)发布,所述可信应用也被称作电子钱包(12),在移动设备(4)中包括诸如SmartMX设备等安全元件(7),该安全元件(7)包括对应...
用于低密度奇偶校验解码器的节点信息存储方法和系统技术方案
一种用于接收与低密度奇偶校验(LDPC)码相关联的信号的接收机。该接收机包括存储器设备、地址生成器、和LDPC解码器。LDPC解码器包括行指示器和位置指示器。存储器设备存储与LDPC解码过程相关的数据。地址生成器生成存储数据的存取地址。...
具有混合软硬件控制的高速缓存管理的多处理器系统技术方案
一种多处理器系统,具有后台存储器和多个处理元件(10),每一个处理元件包括处理器核(100)和高速缓存电路(102)。处理器核(100)执行指令程序,并且高速缓存电路(102)高速缓存程序所访问的后台存储器数据。使用写回监控器电路(14...
具有高速缓存电路的处理电路,检测高速缓存行中更新地址的游程制造技术
电路包括处理器核(100)、后台存储器(12)、以及处理器核(100)与后台存储器(12)之间的高速缓存电路(102)。在操作中,检测与高速缓存行关联的连续地址范围内的多个连续地址子范围,所述子范围包含高速缓存行中的在高速缓存电路中更新...
用于滤波和混合的MEMS谐振器制造技术
一种操作微机电系统对多个信号进行滤波和混合的方法,所述机电系统包括谐振器、激励电极以及第一检测电极。所述方法包括将第一交流电压信号施加于激励电极,其中产生频率带宽大于且包括谐振器机械频率响应的谐振带宽的激励力,以及其中产生谐振器位移,所...
包括同时刷新和读取或写入的动态随机存取存储器(DRAM)的电路、以及在这样的存储器中执行同时刷新和读取或写入的方法技术
一种电路,包括:动态随机存取存储器,包括多个存储器单元;经由数据总线与所述存储器相连接的关联器件;存储器单元刷新装置,其中利用所述刷新装置,采用刷新访问来刷新存储器单元中的存储数据;经由所述数据总线,采用数据访问在关联器件和存储器单元之...
控制存储器设备的编程的方法以及系统技术方案
为了进一步开发一种用于控制存储器设备(10)的编程的方法和系统(100),尤其是擦除/写入访问所述存储器单元,提供了一种包括多个存储器单元(20、22)的存储器设备(10),所述存储器单元(20、22)暴露给被重复的编程造成的磨损,即使...
使用应力变化的侵入保护制造技术
本发明涉及包括一种集成电路,该集成电路包括集成在衬底(5)上的电子电路,还包括用于保护电子电路(25)的保护装置。保护装置包括:i)第一应变封装层(10),提供在衬底(5)的第一侧,其中第一应变封装层(10)具有在与衬底(5)相平行的方...
采用共模电压调节的可调谐LC振荡器制造技术
本发明提供了一种LC振荡器,该LC振荡器实现了改进的相位噪声性能。一种可变频振荡器包括:可变电源(I)、振荡器储能电路(T)、包括MOS开关在内的可变电容电路(VC1)、以及振荡器储能电路电压共模调节电路(R)。当改变可变电容电路的电容...
焊料隆起集成电路的ESD网络制造技术
集成电路芯片的半导体管芯(100、200)具有在管芯的有源区域上分布的焊料隆起焊盘(130、230),但不包括外围引线接合焊盘。所述管芯还具有以网络布置的保护ESD网络(140p/140i、240p/240i),包括延伸到管芯的内部区域...
OFDM接收机的后DTF/FFT时间跟踪方法技术
描述了一种在正交频分复用(OFDM)接收机中进行时间同步跟踪的方法,所述方法包括以下步骤:得到DFT输出矢量;使用从DFT输出矢量提取的参考符号来确定采样计时偏移指示;以及使用所确定的指示来适配OFDM符号。为了提供一种改进的后DFT算...
用于传输NFC应用程序的方法和计算设备技术
在用于传输NFC应用程序(9)的方法中,利用代理(11),经由包括代理(11)的计算设备(10)和作为计算设备(10)一部分的RFID读取器(12),在信任服务管理器(1)和NFC设备(3)之间建立安全信道(14)。使用代理(11),经...
软件保护制造技术
通过以下方式保护可以由可编程电路执行的程序(MC)。基于程序的至少一部分(MC-P)来提供指令块(IB)。产生与指令块(IB)具有预定关系的保护性代码(DS)。分析(ANL)指令块(IB),以标识指令块内的空闲范围(FI),该空闲范围关...
MEMS器件制造技术
一种MEMS器件包括相对的第一和第二电极结构(22、28),其中所述第二电极结构(28)是电动的,以便改变第一和第二电极结构的相对面之间的电极间隔。所述相对面中的至少一个具有非平坦表面,所述非平坦表面具有至少一个波峰和至少一个波谷。所述...
用于调制和放大的模块制造技术
本申请涉及包括至少两个放大器的模块。第一放大器配置成放大同相信号。第二放大器配置成放大正交信号。该模块包括组合器,配置成组合至少两个已放大的信号。该模块包括相位反转单元,配置成提供包括最大相位差2p的至少两个已放大信号。
基于前馈的脉宽缩减延迟线制造技术
脉宽缩减数字延迟线(400)具有用于修改沿级联(106到118)向下传播的脉冲的宽度的多个级(102,104)的级联。每个特定级具有输入(106,116)、输出(108,118)和在该输入和该输出之间的主路径(110,112,120,1...
使音频设备的行为适配当前声学环境条件的控制制造技术
描述了一种用于控制音频设备(100)的行为适配当前声学环境条件的方法。该方法包括:(a)监视向音频设备(100)的声学输出设备(110)提供的音频输出信号(x(t),x′(t)),所述声学输出设备(110)用于输出声学输出信号,(b)测...
多相谐波抑制混频器制造技术
本发明公开了一种多相谐波抑制混频器,包括彼此跟随的多个级;其中第一级配置用于至少执行频率转换;以及第二级配置用于至少执行选择性加权和合并;其中,多个级中的至少两个级配置用于至少执行合并。在实施例中,第一级(28)包括三个单端增益模块(1...
用于在渐进调光模式和舍相调光模式之间进行选择的调光器控制电路制造技术
本发明涉及调光器控制电路(100),能够通过使用从干线电压获得的平均信号(VDCI)来检测是否连接上舍相调光器。通过舍相检测单元20,将平均信号(VDCI)或从VDCI获得的、范围在最小值和最大值之间的信号VDCI_ls与调光阈值Vdi...
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