本发明提供了一种MEMS谐振器器件，包括：两个匹配的谐振器，这两个匹配的谐振器相对于晶体半导体的晶体结构以不同方式对准。每个谐振器包括由杨氏模量温度相关性与晶体半导体材料的杨氏模量温度相关性不同的材料组成的部分。这样，谐振器的悬挂弹簧具...

本发明提供了一种状态检测电路，便于相对于多种不同类型的输入电路来检测输入引脚的状态。根据示例实施例，状态检测电路包括多个比较器和电路组件，所述多个比较器和电路组件被配置为提供多个二进制输出信号，所述多个二进制输出信号一起指示了与比较器耦...

本申请公开了一种键合封装及其方法。本发明实现了用于制造电路的无铅或者实质上无铅结构及其相关方法。根据各种示例实施例，使用铜-锡(Cu-Sn)合金结合电路部件，所述Cu-Sn合金熔化且用于形成具有比Cu-Sn合金更高熔点的Cu-Sn化合物...

本发明提供了一种可重新配置的交织器，被配置为产生交织地址序列，可配置用于至少两种不同的交织模式。可重新配置的交织器包括多个可重新配置的计数器111，121。计算器所计数的值的数目可配置为它们的起始值。交织器还包括多个存储器112，122...

一种非易失性存储器单元(200)，包括：浮置栅极晶体管(206)，所述浮置栅极晶体管包括位于控制栅极(14)和第一沟道区(232)之间的浮置栅极(10)；以及存取栅极晶体管(208)，所述存取栅极晶体管包括存取栅极(22)和第二沟道区(...

本发明涉及一种多尔蒂功率放大器，包括适于接收输入信号和提供相对于输入信号相移的第一输出信号的第一功率放大器(主PA)。所述放大器进一步包括适于接收经相移的输入信号和提供第二输出信号第二功率放大器(峰值PA)；所述功率放大器的特征在于所述...

使用极化发射机发送具有非恒定包络的基带实信号的系统和方法涉及：将基带实信号分解为基带实信号的非恒定包络信号和基带实信号的符号信号，其中，所述符号信号对所述非恒定包络信号的过零区域进行恢复，使用所述基带实信号的符号信号来调制载波信号，以产...

本发明提供一种接收机，具体地，提供一种移动正交频分复用(OFDM)接收机，其中，所述接收机包括：接收单元，用于经由发送信道接收多载波信号，信道估计单元，用于基于所述多载波信号和在所述接收机的信号处理路径的所述信道估计单元的下游的位置处提...

在示例实施例中，系统检测旋钮的旋转角度，所述系统包含具有长度和第一末端和第二末端的轴；第二末端具有定义在其上的倾斜反射面，第一末端固定连接到旋钮上。旋转体包含轴，具有容纳轴的具有暴露倾斜反射面的第二末端的插座。集成电路光学模块光耦合到旋...

本发明公开了一种对开关模式电源(SMPS)的突发模式操作加以控制的方法。该方法包括：a)接收对当前突发时间段的开始加以指示的控制输入信号；b)通过产生对当前突发期间的经过时间加以表示的信号以及通过开始SMPS的操作突发，来对开始当前突发...

公开了一种开关模式电源(SMPS)。该SMPS包括在SMPS例如通过拔掉而从干线断开时释放输入电容器中存储的电荷的机制。SMPS包括用于检测干线断开的检测器、以及放电电路。该放电电路包括放电元件。放电元件可以是SMPS的一部分，例如可以...

本发明涉及一种功率转换器和一种功率转换方法。该功率转换器包括：初级绕组(np)，接收初级交流电压。该转换器还包括磁耦合至初级绕组(np)的第一次级电路(ns1，D1a，D1b)，第一次级电路产生第一次级输出信号(ID1)；该转换器还包括...

一种用于产生第一声信号并同时感测第二声信号的设备。所述设备包括：用于接收来自信号源的第一电信号的输入(15)；直接或间接地连接至所述输入(15)的扬声器端子，用于连接至扬声器(30)，所述扬声器(30)用于响应于第一电信号来产生第一声信...

公开了一种包括初级和次级线圈的集成变压器。每一个线圈具有通过金属连接器电学并联连接在一起的第一和第二金属盖层，所述金属连接器穿过位于所述第一和第二金属盖层之间的衬底。

描述了涉及用于高功率基站的可重新配置集成数字希莱克斯反相功率放大器的各种实施例以及所述设计的相关方法。所述功率放大器可以包括具有多个功率晶体管和并联电路(L1C1、L2C2)的功率晶体管电路，具有希莱克斯补偿元件的宽带组合器，以及阻抗匹...

本申请涉及数字杂散减少，其中将杂散保持在感兴趣的选定信道的外部，示意实施例涉及一种具有数字部件(209)和模拟部件(202、203、204)的集成射频收发机电路(200)，所述电路包括：射频信号接收机，包括：本地振荡器信号发生器(205...

本申请涉及数字杂散减少，其中将杂散保持在感兴趣的选定信道的外部，示意实施例涉及一种具有数字部件(209)和模拟部件(202、203、204)的集成射频收发机电路(200)，所述电路包括：射频信号接收机，包括：本地振荡器信号发生器(205...

公开了一种半导体晶体管，其包括半导体衬底(111)，在所述半导体衬底上提供沟道区(115)和连接到沟道区的漏极延伸区(119)；配置为提供影响沟道区的电场的栅极电极(127)；第一导电屏蔽元件(131)，其沿与半导体衬底的主表面平行的水...

本发明涉及通过使用基于耦合传输线的功率组合器改进负载调制功率放大器的性能。披露的典型实施例包括功率放大器(600)，其包含连接到第一和第二放大器级(601、602)的输入和配置为组合来自第一和第二放大器级(601、602)的相移放大输出...

本发明提供了一种电压转换器，包括至少两个电容性电荷泵级，每个电容性电荷泵级包括电容器、充电开关和控制电路，电容器充电电流流经所述充电开关，所述控制电路用于控制所述充电开关。其中，至少一个电荷泵级的控制电路包括用于对通过充电开关的电流加以...