南京南智先进光电集成技术研究院有限公司专利技术

南京南智先进光电集成技术研究院有限公司共有90项专利

  • 本发明公开了一种接触式光声吸收系数测量装置及方法,测量装置包括:上压板、接触式探测器、晶体材料、垫片、下压板、隔振器;晶体材料放置于垫片上方,接触式探测器下方;接触式探测器上方连接上压板,垫片下方连接下压板,上压板与下压板之间通过调节可...
  • 本发明公开了一种电光调制器,包括依次设于硅基衬底上的二氧化硅缓冲层、铌酸锂波导层、包层和电极,所述电极包括调制电极和偏置电极;所述电极分布于波导的两侧,调制电极通过电光效应对波导中的光信号进行调制;偏置电极则用于对波导的偏置点进行调控;...
  • 本发明公开了一种组合式高温多光谱内窥镜,包括:由高温窗口、前端透镜和内窥管构成的装置前端、由可组合的若干个单光谱模块构成的分光成像装置、由后端透镜及观察口组成的装置后端;分光成像装置的两端通过固定装置分别连接装置前端和装置后端,每个单光...
  • 本发明公开了一种测量材料吸收损耗的激光光声系统,该系统以主激光提供激发光声信号的激光,以探测激光作为探测光声信号的激光,主激光和探测激光在系统中通过光纤传输,该系统包括第一光路、第二光路,第一光路经过主激光和探测激光,第二光路经过探测激...
  • 本发明公开了一种降低铁电晶体光折变效应的超晶格结构,主激光在所述铁电晶体中传输,包括多组设置于所述铁电晶体中的辅助畴结构,每组所述辅助畴结构利用主激光产生辅助光,所述辅助畴结构的畴沿着主激光的传输方向排列;每组辅助畴结构包括依次排列两段...
  • 本申请提供一种室温电场极化装置,室温电场极化装置用于将待极化晶体极化,室温电场极化装置包括夹持组件、第一输液管路、第二输液管路、正电极以及负电极,通过将待极化晶体设置于夹持组件的极化腔体内,将极化腔体分隔为独立的第一腔体和第二腔体,通过...
  • 本发明提供一种基于铌酸锂激光的非线性锁模激光器,包括泵浦源,还包括第一非线性晶体以及位于第一非线性晶体两端的前腔镜和双色镜;第一非线性晶体是掺杂稀土离子的铁电体材料,然后通过畴反转工艺制备合适的畴反转结构,形成具有/非线性功能的核心材料...
  • 本发明公开了一种通过水波模拟激光及非线性光学的教学装置,包括:长方体水槽和覆盖水槽平面的平行光照明光源及摄像头;长方体水槽一边放置有振动波源,产生振动频率为的简谐振动,带动水槽内水面产生频率为的水波;平行光照明光源发射近平行光的照明场,...
  • 本发明提供一种基于光折变效应的全光开关,包括泵浦源、微环波导和微环波导两侧的控制波导和信号传输波导,泵浦源可发出泵浦光并耦合进入控制波导的一端;信号光从信号传输波导的一端向另一端传输。当不发出泵浦光,则控制波导中无泵浦光,则信号传输波导...
  • 本申请提供一种薄膜铌酸锂电光系数测试方法及系统,所述测试方法包括在薄膜铌酸锂晶体上切取样片,并在样片上制备测试结构,所述测试结构包括至少一个波导和至少两个电极,所述电极用于对所述波导施加电场;向所述波导中耦合光信号,并在所述电极上施加外...
  • 本发明公开了一种基于辅助光源封装的铁电体晶体光折变效应消除方法,在铁电体晶体表面制备波导,波导通过光纤耦合方式引入主激光,采用短波长的蓝紫光或紫外光作为辅助光源,将辅助光源与铁电体晶体进行集成封装,通过辅助光源照射铁电体晶体;所述集成封...
  • 本发明公开了一种激光器、晶体组合结构及晶体组合方法,激光器包括谐振腔,所述谐振腔内设有多块晶体,多块晶体间隔排布,每块晶体与入射光之间的倾角为布鲁斯特角,使入射光发生完全透射。本发明能够减小热透镜效应。
  • 本发明公开了一种螺旋形位相匹配方法,首先,将圆柱形晶体材料垂直于衬底放置,衬底上具有条形波导,与圆柱形单晶光纤相切,通过倏逝波进行耦合;圆柱形的另一端包含耦合元件,建立空间坐标系和圆柱形晶体材料的光学坐标系;然后,选择偏振激光,分别入射...
  • 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的偏振分束器,包括硅衬底、铌酸锂波导芯层、二氧化硅包层,铌酸锂波导芯层设于二氧化硅包层内部,二氧化硅包层设于硅衬底上;铌酸锂波导芯层包括依次设置的第一波导和第二波导,且第一波导和第二波导之间设有间隙,第二波...
  • 本发明公开了一种光学超晶格结构设计方法,目的是采用超晶格结构设计补偿非线性频率变换位中的位相失配,包括:确定倒空间所需的倒格矢大小,根据傅里叶变换产生正空间的强度调制函数,然后利用横向的积分效应,将倒格矢变换到实空间,然后再采用横向图形...
  • 本发明公开了一种波导制备工艺,该工艺包括:预设波导结构掩膜版图
  • 本发明公开了一种二维材料光电子芯片及其制备方法,制备方法包括:获取待镀膜的衬底晶元;在衬底晶元表面依次制备金属薄膜和氮化硅薄膜;在具备金属镀膜和氮化硅薄膜的晶圆表面,按照预设的芯片图案区域,生长二维材料;对二维材料按照预设形状进行激光切...
  • 本申请公开了一种光脉冲处理系统及方法,该系统包括:用于产生光脉冲序列的基准光脉冲源,与基准光脉冲源串联的强度调制器,强度调制器在接收到携带待处理的数据信息的低速光脉冲信号后,将低速光脉冲信号与光脉冲序列拟合,获取标准光脉冲信号;与强度调...
  • 本发明公开了一种氮化镓的刻蚀方法,包括如下步骤:准备硅基氮化镓样品,对硅基氮化镓样品通过紫外光刻制备图形化掩膜;将刻有图形化掩膜的硅基氮化镓样品放置在热板上进行加热;对硅基氮化镓样品进行氮气吹扫,通入清洗气体,使用等离子体清洗机对硅基氮...
  • 本申请涉及一种有机分子透射谱的测量方法,在利用热辐射光源照射红外透明窗片的过程中,热像仪探测器通过探测红外透明窗片,得到的参考热像图。再利用热辐射光源照射涂抹有待测有机分子的红外透明窗片的过程中,热像仪探测器通过探测涂抹有待测有机分子的...