本申请提供了一种软管系留的流体喷射推进系统。该流体喷射推进系统利用本地装置为流体喷射推进器提供待分配流体，利用系留软管进行待分配流体的传递，流体喷射推进器包括至少一个流体喷射单元以及支撑装置，流体喷射单元包括依次连接的连接管和喷嘴，用于...

本发明公开了一种基于等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备高均匀性二氧化硅薄膜的方法，包括：以硅片或石英片作为基板置于NMP清洗液中进行清洗，再使用去离子水超声清洗5分钟，通入N2吹干；使用等离子体清洗机对基板进行清洁；将基板置于真空...

本发明提供一种基于套刻技术的铌酸锂薄膜波导微环的制备方法。其基本方案为：采用紫外光刻、金属镀膜工艺，在铌酸锂薄膜基片上制备环波导掩膜；采用紫外光刻套刻、金属镀膜和lift

本发明公开了一种多衬底适用的纳米导电金属薄膜制备方法，包括：选择硅、氧化硅、氮化镓、光学玻璃、氧化铟锡或蓝宝石作为镀膜衬底，溅射靶材为纯度99.999wt％的银或铝，采用直流磁控溅射技术来制备纳米银/铝薄膜，通过调节沉积功率和氩气流量，...

本申请涉及半导体集成光电子器件技术领域，提供一种三维楔形铌酸锂薄膜波导的制备方法，应用于模斑转化。本申请在二维楔形波导的基础上，利用光刻胶存在自身消耗的特性，通过控制光刻胶厚度和刻蚀时间，使得刻蚀过程中光刻胶在楔形尖端先被完全消耗掉，露...

本发明提供了一种薄膜铌酸锂微环滤波器阵列、光学矢量

本申请公开了一种铌酸锂薄膜电光调制器，所述铌酸锂薄膜电光调制器包括衬底晶片(1)、铌酸锂薄膜基板(2)、铌酸锂光波导(3)、铌酸锂薄膜内衬(4)、行波电极(5)、保护层(6)和引出电极(7)，通过改进一般设计中电光调制器中的行波电极结构...

本申请涉及半导体集成光电子器件技术领域，提供一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置。该三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，自下而上包括依次层叠设置的衬底层、绝缘层和铌酸锂层，铌酸锂层包括楔形层和平板层，楔形层包括楔形尖端和楔形尾端，楔形尖端用于匹配光纤...

本发明提供的一种基于薄膜铌酸锂电光调制器阵列的片上集成光信号处理器，包括MZI电光调制器阵列，用于接收输入光信号进行调整，输出位相调整结果和强度调整结果；MZI电光调制器阵列包括多个MZI电光调制器；每一个MZI电光调制器的第一输入波导...

本申请涉及半导体集成光电子器件技术领域，提供一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器，该端面耦合器具有异质两步倒锥形波导的耦合结构，应用于将光纤中的光耦合进入薄膜铌酸锂芯片上的波导。该端面耦合器自下而上包括衬底层、绝缘层和耦合结构，其中，...

本申请提供了一种软管系留的流体喷射推进系统。该流体喷射推进系统利用本地装置为流体喷射推进器提供待分配流体，利用系留软管进行待分配流体的传递，流体喷射推进器包括至少一个流体喷射单元以及支撑装置，流体喷射单元包括依次连接的连接管和喷嘴，用于...

本申请提供一种复合压电基体及其制备方法，所述复合压电基体包括釉料层(1)以及压电薄膜层(2)，所述方法选用主要成分为二氧化硅的釉料充当复合压电基体的基底，通过涂覆与压电薄膜层(2)熔接为一体，所述方法最高工艺温度不超过550℃，对键合面...

本申请提供一种薄膜光学超晶格波导及其制备方法，所述薄膜光学超晶格波导包括衬底层、二氧化硅层和压电薄膜层，其中，所述压电薄膜层与二氧化硅层相邻的一侧形成脊型波导，所述脊型波导具有超晶格结构，在所述压电薄膜层上还可以进一步刻蚀，在所述脊型波...

本申请提供一种片上集成铌酸锂多波复合处理器件，所述多波复合处理器件能够实现多波产生、调制以及复用等功能，所述片上集成铌酸锂多波复合处理器件基于铌酸锂材料，将频率梳产生器、滤波器、调制器以及复用器等多个功能器件有机地集成于芯片上，所述复合...

本申请公开一种小周期Z切压电晶片、薄膜、波导及其制备方法，所述小周期Z切压电晶体晶片，以及基于所述晶片制备的薄膜和波导均具有超晶格结构，并且，所述超晶格结构的周期可以达到6μm以下，甚至可达2μm，并且，所述超晶格结构均具有较为平整的电...

本申请公开了一种薄膜电光调制器，所述薄膜电光调制器包括衬底层(1)、压电薄膜层(3)和格栅电极层(4)，其中，所述压电薄膜层(3)的一侧形成脊型波导(6)，并且，所述脊型波导(6)与所述格栅电极层(4)分居所述压电薄膜层(3)的两侧，从...

本申请公开了一种基于光声光谱法的气体浓度测量系统及方法，该系统中，脉冲光调制器对光源发射器发出的强度相等的第一光束及第二光束进行调制，形成第一脉冲光及第二脉冲光，分别经过标准气室和待测气室后，形成第一声波源及第二声波源。拾音器的位置处于...

本申请涉及中红外激光技术领域，提供一种基于双微盘的微型中红外激光器，包括激光源、耦合器、回音壁微盘激光器和回音壁微盘光参量振荡器；回音壁微盘激光器和回音壁微盘光参量振荡器层叠设置；耦合器包括第一透镜、下层耦合晶体、上层耦合晶体和第二透镜...

本申请提供一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导。所述方法包括：在铌酸锂薄膜样品中的铌酸锂层表面正畴区域上制备具有预设刻蚀形状的金属掩膜后，将具备金属掩膜的待极化铌酸锂薄膜样品接入极化电路，对金属掩膜覆盖区域的铌酸锂进行畴翻转...

本申请公开了一种氮化镓复合基板、氮化镓器件及其制备方法，本申请提供的氮化镓复合基板在GaN/AlGaN异质结界面中设置一层增效层，形成所述增效层具有较高的电子迁移率，进一步地，所述氮化镓与所述增效层之间的跃迁能、所述增效层与铝镓氮之间的...