本发明公开了一种碳化硅原料合成炉的热场，包括坩埚主加热器、辅加热器、保护筒及气路管，该保护筒包括围绕坩埚周向的保护筒侧壁、位于坩埚底部下方的保护筒底壁位于坩埚顶部的顶盖，其中保护筒侧壁位于坩埚与主加热器之间，保护筒底壁位于辅加热器与坩埚...

本发明公开了一种边界条件可调的腔室，包括石英管、坩埚、围绕石英管外围设置的电磁感应线圈、围绕石英管及电磁感应线圈外围设置的水冷罩；所述水冷罩的内层壳体、外层壳体均以隔离电磁辐射的材料制成。本发明提供的腔室采用若干组水冷环对石英管进行边界...

本发明公开了一种长晶炉工艺气混气气道，包括座体、位于座体内部的气环、至少两个进气道、覆盖在气环上的封板；所述气环包括圆柱形的侧壁，位于侧壁上端的一圈上圆环、位于侧壁下端的一圈下圆环；侧壁、上圆环下表面、下圆环上表面与内壁之间围成环向气道...

本发明公开了一种轴向温度多梯度可控的热场，包括石英管、收容于石英管内部的坩埚、围绕石英管外围的上线圈、围绕石英管外围的中线圈、围绕石英管外围的下线圈；所述上线圈配有跟随上线圈移动的上红外高温计、中线圈配有跟随中线圈移动的中红外高温计、下...

本实用新型公开一种碳化硅石英管的密封结构，包括石英管外壁、套设在石英管外壁上的下固定环及上固定环，所述上固定环与石英管外壁之间设有上密封圈；下固定环与石英管外壁之间设有下密封圈；所述上密封圈与下密封圈之间夹有中压环；上固定环的外侧延伸出...

本实用新型公开一种具有底部隔热条的硅材料生长炉，包括隔热笼、坩埚、坩埚托盘、侧加热器；坩埚的底部外围设有一个圆环状石墨隔热条，由于石墨材质的高导热系数，使该石墨隔热条能够较快带走石墨坩埚底部热量。在不影响晶锭质量的情况下，加快了晶锭生长...

本实用新型公开了一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉，生长炉用电极包括铜电极、连接铜电极下方的石英套管、连接石英套管下方的陶瓷绝缘件、连接陶瓷绝缘件下方的氮化硼绝缘件、连接氮化硼绝缘件下方的石墨电极、连接石墨电极下方的加热器连接螺钉；该...

本实用新型公开一种半导体硅材料生长用坩埚及生长炉，坩埚包括内坩埚、设置在内坩埚上方的导气筒、外坩埚；所述外坩埚围绕内坩埚及导气筒；所述导气筒的侧壁设有若干贯穿导气筒内外的气孔，经由气孔将挥发物带出内坩埚，向下倾斜的导气孔，可以引导气体向...

本实用新型公开了一种半导体硅材料生长炉的石墨伸缩气管及生长炉，伸缩气管包括顶盖、气管外筒、气管中筒、气管内筒、底托；气管中筒相对气管外筒向下移动气管内筒相对气管中筒向下移动，可以实现坩埚升降过程中，石墨伸缩气管同步伸缩运动，同时避免杂质...

本实用新型公开了一种液动力旋流冷却感应加热真空炉体，包括内筒、外筒、位于内筒中的热场、上管帽、下管帽；下管帽中，下腔室的内壁内开设有若干下斜切孔，下斜切孔连通下腔室及夹层空间；下管帽还设有与下腔室连通的进液口；上管帽中，上腔室的内壁内开...

本实用新型公开了一种具有环形坩埚的半导体硅材料生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热层、发热体、坩埚，发热体围绕坩埚，隔热层围绕在坩埚及发热体外围，所述坩埚为圆柱形且坩埚的横截面为环形；以增加产品尺寸，提高产能，降低能耗；同时增大了热场尺寸...

本实用新型公开了一种半导体硅材料生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热层、加热器、坩埚，加热器围绕坩埚，隔热层围绕在坩埚及加热器外围，所述坩埚上方固定有坩埚上气罩；坩埚上气罩顶部连接有进气管，坩埚上气罩的两侧设有向加热器方向延伸出的气孔；所...

本实用新型公开了一种半导体硅材料耗材生长炉。生长炉包括炉体、位于炉体内的隔热屏、加热装置、坩埚。坩埚被可升降的坩埚轴支撑，通过下降坩埚及坩埚轴，通过坩埚轴和下隔热屏的位置配合，造成坩埚底部中心过冷的方式，避免提升加热器或隔热屏的方式，使...

本实用新型公开一种碳化硅炉晶体搬运小车，包括底座、位于底座下方的车轮，还包括安装在底座上方且自下向上延伸的支架、位于支架上且同样自下向上延伸的线轨、与线轨配合的滑块、连接滑块的炉盖托盘；当碳化硅炉长晶结束后将小车推到设备内，滚珠丝杠带动...

本发明公开了一种高品质半导体硅材料耗材生长方法，包括化料、晶体生长、等径生长、冷却的步骤。其中采用在坩埚下方来制造过冷度，避免了坩埚上方热场件上的沉积物散落进坩埚内的可能，避免造成污染，提高晶体品质；整个晶体生长过程中，通过下降坩埚以及...

本发明公开了一种液动力旋流冷却感应加热真空炉体，包括内筒、外筒、位于内筒中的热场、上管帽、下管帽；下管帽中，下腔室的内壁内开设有若干下斜切孔，下斜切孔连通下腔室及夹层空间；下管帽还设有与下腔室连通的进液口；上管帽中，上腔室的内壁内开设有...

本发明公开了一种半导体硅材料晶体生长的图像识别控制方法，在坩埚上方设有三个摄像机，以计算机测量图像中固相硅的面积，通过摄像机及计算机实时测量液面状况，当发现液面出现液态和固态的变动就会给PLC发出信号，让PLC判断液面熔化情况和晶体结晶...

本发明公开了一种碳化硅长晶炉电磁线圈定位方法，提供固定架、工装固定板、定心卡盘、承载线圈的圆环形的线圈定位板、承载线圈定位板的若干线圈定位柱；将下腔室装在固定架上，将工装固定板通过下腔室顶部的圆形凹槽实现定位，再安装线圈定位柱、线圈定位...

本发明公开了一种半导体硅材料耗材生长炉及硅材料制备方法。生长炉包括炉体、位于炉体内的隔热屏、加热装置、坩埚。坩埚被可升降的坩埚轴支撑，通过下降坩埚及坩埚轴，通过坩埚轴和下隔热屏的位置配合，造成坩埚底部中心过冷的方式，避免提升加热器或隔热...

本发明公开了一种半导体硅材料生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热层、加热器、坩埚，加热器围绕坩埚，隔热层围绕在坩埚及加热器外围，所述坩埚上方固定有坩埚上气罩；坩埚上气罩顶部连接有进气管，坩埚上气罩的两侧设有向加热器方向延伸出的气孔；所述隔...