一种半导体硅材料生长炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体硅材料生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热层、加热器、坩埚，加热器围绕坩埚，隔热层围绕在坩埚及加热器外围，所述坩埚上方固定有坩埚上气罩；坩埚上气罩顶部连接有进气管，坩埚上气罩的两侧设有向加热器方向延伸出的气孔；所述隔热层内设有自下向上延伸的内置排气管，炉体外壁上方开有与排气管连通的抽气口，该方案中通过进气管、坩埚上气罩、内置排气管等结构，将溶液表面挥发出的一氧化硅及加热器挥发出的石墨排出炉体外，实现炉内无挥发物沉积，从而实现半导体长晶炉的清洁生产，提高晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体硅材料生长炉
本技术属于硅晶体材料生长炉

技术介绍
硅材料由于具有单方向导电性、热敏特性、光电特性以及掺杂特性等优良性能，可以生长为大尺寸高纯度单晶体，且价格适中，故而成为全球应用广泛的重要集成电路基础材料。半导体硅材料主要为单晶硅材料，按照应用场景划分，半导体硅材料可以分为芯片用单晶硅材料和蚀刻用硅材料。其中芯片用单晶硅材料是制造半导体器件的基础原材料，芯片用单晶硅材料经过一系列晶圆制造工艺形成极微小的电路结构，再经切割、封装、测试等环节成为芯片，并广泛应用于集成电路下游市场。蚀刻用硅材料则是加工制成半导体级硅部件，用于蚀刻设备上的硅电极，由于硅电极在硅片氧化膜刻蚀等加工工艺过程会逐渐腐蚀并变薄，当硅电极厚度减少到一定程度后，需要更换新的硅电极，因此硅电极是晶圆制造蚀刻环节所需的核心耗材。硅材料耗材生长炉是重要的蚀刻用硅材料制备设备，该设备通过在特定的压力、温度下将坩埚中的多晶硅原料熔化，重新结晶成特定形状的硅材料。在硅材料生长过程中，晶体纯度是半导体级长晶设备区别于太阳能级的长晶设备一个重要的因素。而如何本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体硅材料生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热层、加热器、坩埚，加热器围绕坩埚，隔热层围绕在坩埚及加热器外围，/n其特征在于，所述坩埚上方固定有坩埚上气罩；坩埚上气罩顶部连接有进气管，坩埚上气罩的两侧设有向加热器方向延伸出的气孔；所述坩埚与隔热层之间形成与气孔连通的间隙，加热器位于该间隙内，所述隔热层内设有自下向上延伸的内置排气管，炉体外壁上方开有与排气管连通的抽气口；内置排气管的底部与间隙的底部连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体硅材料生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热层、加热器、坩埚，加热器围绕坩埚，隔热层围绕在坩埚及加热器外围，
其特征在于，所述坩埚上方固定有坩埚上气罩；坩埚上气罩顶部连接有进气管，坩埚上气罩的两侧设有向加热器方向延伸出的气孔；所述坩埚与隔热层之间形成与气孔连通的间隙，加热器位于该间隙内，所述隔热层内设有自下向上延伸的内置排气管，炉体外壁上方开有与排气管连通的抽气口；内置排气管的底部与间隙的底部连通。


2.根据权利要求1所述的半导体硅材料生长炉，其特征在于：所述进气管为可伸缩气管，包括多段同轴连接的分管。


3.根据权利要求1或2所述的半导体硅材料生长炉，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，秦英谡，穆童，郑锴，张熠，
申请(专利权)人：南京晶升能源设备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32