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本实用新型公开了一种半导体硅材料生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热层、加热器、坩埚，加热器围绕坩埚，隔热层围绕在坩埚及加热器外围，所述坩埚上方固定有坩埚上气罩；坩埚上气罩顶部连接有进气管，坩埚上气罩的两侧设有向加热器方向延伸出的气孔；所述隔...
该专利属于南京晶升能源设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京晶升能源设备有限公司授权不得商用。

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