【技术实现步骤摘要】
一种边界条件可调的腔室及长晶炉
本专利技术属于碳化硅材料长晶炉
技术介绍
现有的碳化硅单晶体生长炉主要使用单扎或多股并联的电磁感应线圈作为加热元件,固定或整体轴向移动加热,导致热场温度单一,不能获得更多的温度梯度。如,需要一种新的技术方案以解决上述技术问题。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术提供了一种边界条件可调的腔室及长晶炉,用于解决热场温度不可多梯度调整,灵活性差,不利于构建晶体生长的温度梯度的问题。技术方案:为解决上述问题,本专利技术可采用以下技术方案:一种边界条件可调的腔室,包括石英管、收容于石英管内部的坩埚、围绕石英管外围设置的电磁感应线圈、围绕石英管及电磁感应线圈外围设置的水冷罩;所述水冷罩包括内层壳体、外层壳体、夹层若干水冷环;所述水冷环在水冷罩中自上而下层层上升的设置并分为若干组,每组水冷环中的水流量可调;所述内层壳体、外层壳体均以隔离电磁辐射的材料制成。进一步的,电磁感应线圈是单扎或多股并联,作为加热元件整体上下移动加热。进一步的, ...
【技术保护点】
1.一种边界条件可调的腔室,其特征在于,包括石英管、收容于石英管内部的坩埚、围绕石英管外围设置的电磁感应线圈、围绕石英管及电磁感应线圈外围设置的水冷罩;/n所述水冷罩包括内层壳体、外层壳体、夹层若干水冷环;所述水冷环在水冷罩中自上而下层层上升的设置并分为若干组,每组水冷环中的水流量可调;所述内层壳体、外层壳体均以隔离电磁辐射的材料制成。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种边界条件可调的腔室,其特征在于,包括石英管、收容于石英管内部的坩埚、围绕石英管外围设置的电磁感应线圈、围绕石英管及电磁感应线圈外围设置的水冷罩;
所述水冷罩包括内层壳体、外层壳体、夹层若干水冷环;所述水冷环在水冷罩中自上而下层层上升的设置并分为若干组,每组水冷环中的水流量可调;所述内层壳体、外层壳体均以隔离电磁辐射的材料制成。
2.根据权利要求1所述的边界条件可调的腔室,其特征在于,电磁感应线圈是单扎或多股并联,作为加热元件整体上下移动加热。
3.根据权利要求1或2所述的边界条件可调的腔室,其特征在于,所述若干水冷环分为上水冷环组、中水冷环组、下水冷环组;上水冷环组位于中水冷环组上方;下水冷环组位于中水冷环组下方;所述上水冷环组中的水流量、中水冷环组中的水流量、下水冷环组中的水流量均独立控制。
4.根据权利要求3所述的边界条件可调的腔室,其特征在于,所述水冷环为环形的铜管。
技术研发人员:李辉,毛瑞川,杨茜,
申请(专利权)人:南京晶升能源设备有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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