一种长晶炉工艺气混气气道制造技术

本发明专利技术公开了一种长晶炉工艺气混气气道，包括座体、位于座体内部的气环、至少两个进气道、覆盖在气环上的封板；所述气环包括圆柱形的侧壁，位于侧壁上端的一圈上圆环、位于侧壁下端的一圈下圆环；侧壁、上圆环下表面、下圆环上表面与内壁之间围成环向气道；所述上圆环设有与环向气道贯通的若干上气道，下圆环设有与环向气道贯通的若干下气道；各个上气道及下气道中喷出的工艺气多次相互撞击，实现较均匀的工艺气混合。

【技术实现步骤摘要】
一种长晶炉工艺气混气气道
本专利技术属于碳化硅材料长晶炉

技术介绍
长晶炉中长晶时，常常需要在长晶炉内形成一定气氛，这种气氛往往由若干种工艺气以一定比例混合而成，气氛均匀性直接影响晶体的生成质量。现有技术中，长晶炉多为将工艺气分别直接通入炉腔，然后在炉腔内混合，工艺气混合不均导致的晶体不良，往往不会被注意，不利于长晶工艺的定型及晶体良率的提高。需要一种新的技术方案以解决上述技术问题。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术提供了一种长晶炉工艺气混气气道，用于解决长晶炉工艺气混合不均的问题。技术方案：为解决上述问题，本专利技术可采用以下技术方案：一种长晶炉工艺气混气气道，包括座体、位于座体内部的气环、、至少两个进气道、覆盖在气环上的封板；所述气环包括圆柱形的侧壁，位于侧壁上端的一圈上圆环、位于侧壁下端的一圈下圆环；上圆环的外径及下圆环的外径均大于侧壁的外径，所述座体包括收容气环的内壁，且所述侧壁、上圆环下表面、下圆环上表面与内壁之间围成环向气道；所述上圆环设有与环向气道贯通的若干上气道，下圆环本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种长晶炉工艺气混气气道，其特征在于，包括座体、位于座体内部的气环、至少两个进气道、覆盖在气环上的封板；所述气环包括圆柱形的侧壁，位于侧壁上端的一圈上圆环、位于侧壁下端的一圈下圆环；上圆环的外径及下圆环的外径均大于侧壁的外径，所述座体包括收容气环的内壁，且所述侧壁、上圆环下表面、下圆环上表面与内壁之间围成环向气道；/n所述上圆环设有与环向气道贯通的若干上气道，下圆环设有与环向气道贯通的若干下气道；每个上气道的中轴线是不指向上圆环圆心而倾斜的，且该中轴线到上圆环圆心的连线与该中轴线之间形成锐角的夹角，且每个上气道的倾斜的角度与方向均相同；每个下气道的中轴线是不指向下圆环圆心而倾斜的，且该中轴...

【技术特征摘要】
1.一种长晶炉工艺气混气气道，其特征在于，包括座体、位于座体内部的气环、至少两个进气道、覆盖在气环上的封板；所述气环包括圆柱形的侧壁，位于侧壁上端的一圈上圆环、位于侧壁下端的一圈下圆环；上圆环的外径及下圆环的外径均大于侧壁的外径，所述座体包括收容气环的内壁，且所述侧壁、上圆环下表面、下圆环上表面与内壁之间围成环向气道；
所述上圆环设有与环向气道贯通的若干上气道，下圆环设有与环向气道贯通的若干下气道；每个上气道的中轴线是不指向上圆环圆心而倾斜的，且该中轴线到上圆环圆心的连线与该中轴线之间形成锐角的夹角，且每个上气道的倾斜的角度与方向均相同；每个下气道的中轴线是不指向下圆环圆心而倾斜的，且该中轴线到下圆环圆心的连线与该中轴线之间形成锐角的夹角，且每个下气道的倾斜的角度与方向均相同；每个上气道与每个下气道均与气环内部连通，气环的底部为出口；
所述进气道横向穿过座体并与环向气道连通，且进气道自座体的外侧向内延伸。

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，叶迎海，毛瑞川，
申请(专利权)人：南京晶升能源设备有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32