本发明公开了一种电压钳位型碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法，包括：漏极金属电极、源极金属电极、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一导电类型引流区、第二导电类型引流区、第二导电类型阱区、第二导电类型沟道区、特征沟槽、第一导电类...

本发明公开了一种适用于高频领域的碳化硅槽栅MOSFET器件及制造方法，该碳化硅槽栅MOSFET器件包括第一、第二沟槽，第一导电类型衬底、外延层和源区，第二导电类型阱区、屏蔽区。于第一沟槽中形成栅介质、栅极电极和金属层，于第二沟槽中形成金...

本发明公开了一种多沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法，该碳化硅MOSFET器件包括第一、第二沟槽，第一导电类型衬底、外延层和源区，第二导电类型阱区。沿垂直于xz平面的方向通过刻蚀形成第一、第二沟槽，第一、第二沟槽沿x方向贯穿器件有源...

本发明公开了一种环绕栅沟道碳化硅场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括在第二导电类型沟道层上沿着栅条方向周期性分布，贯穿第二导电类型沟道层并接触沟槽的第二导电类型沟道层刻蚀窗口，位于沟槽内表面的第一栅介质层、位于第二导电类型沟道层的上表面...

本发明公开了一种SiC沟槽型MOSFET器件，包括第一导电类型SiC衬底、第一导电类型SiC外延层、第二导电类型阱区、栅极沟槽、第一导电类型源区、第二导电类型电场屏蔽区、栅介质、栅电极、隔离介质层、源极欧姆接触、漏极欧姆接触，栅极沟槽位...

本发明公开了一种集成沟道二极管的碳化硅槽栅MOSFET器件及制造方法，器件包括第一沟槽、第二沟槽、第一导电类型衬底、外延层、源区和沟道二极管源区、第二导电类型阱区、沟道二极管阱区。本发明于第一沟槽中形成栅极电极，于第一沟槽和第二沟槽中形...

本发明公开了一种高可靠性沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法，方法包括：形成第一沟槽；生长第二导电类型外延层，第二导电类型外延层填充于第一沟槽内作为第二导电类型屏蔽区，第二导电类型外延层覆盖于第一导电类型外延层的区域作为第二导电类型...

本发明公开了一种精确控制短沟道的平面型SiCMOSFET及其制造方法，包括：通过一次外延在N+衬底上形成N

本发明公开了一种电力电子芯片终端保护结构，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层漂移区、第二导电类型掺杂区、若干个沟槽、第二导电类型结型保护区、钝化层、阳极金属电极、阴极金属电极；第二导电类型掺杂区被所述沟槽分割后，靠近芯片有源区且相...

本发明公开了一种用于碳化硅场效应晶体管的栅极加厚介质层及其制造方法，加厚介质层位于碳化硅场效应晶体管中JFET区之上、栅介质层之下；所述加厚介质层为至少两层的多层梯形结构，加厚介质层底部的底角小、底边缓；顶部的底角大、底边陡直。本发明通...

本发明公开了一种非对称碳化硅槽栅MOSFET及其制造方法，包括，漏极电极、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层，位于第一导电类型外延层之中的第二导电类型柱区；位于第二导电类型柱区之上的特征沟槽；位于特征沟槽之中且位于栅极电极一侧的第二栅...

本发明公开了一种基于异质结的碳化硅槽栅MOSFET及其制造方法，结构包括漏极电极、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型屏蔽区、第二沟槽、第一沟槽、第二导电类型掺杂多晶硅、栅介质、栅极电极、第二导电类型阱区、第一导电类型源区...