本发明描述了一种肖特基势垒薄膜晶体管。这种肖特基势垒薄膜晶体管包含了在氧化物半导体上的肖特基源极接触电极。这种肖特基势垒薄膜晶体管拥有至少500的本征增益。本发明还描述了一种在氧化物半导体沟道上形成肖特基源极接触电极的肖特基势垒薄膜晶体...

本发明的实施方案提供一种处理颜色图像数据的计算机实现的方法(200)，所述方法包括：基于指示第一和第二视锥细胞光谱敏感度函数的第一和第二三刺激颜色空间来确定(220,230)输出颜色信息值，其中所述确定(220,230)包括确定所述输出...

公开了包括C3b结合区域的多肽、以及编码此类多肽的核酸和载体、和包括此类多肽的细胞和组合物。也公开了使用该多肽用于治疗和预防疾病和病症的用途和方法。

本发明的实施方式提供了用于确定三维物体的光谱信息的设备，该设备包括：相对于该物体定位的空腔(110)；相对于该空腔定位的成像光源(120)，其中，成像源可控制以选择性地发射多个波长范围内的光；结构化光源(130)，向物体发射结构化照射，...

公开了包括C3b结合区和C3b灭活区的多肽，以及编码这样的多肽的核酸和载体。还公开的是包括这样的多肽的细胞和组合物，以及使用它们的用途和方法。

提供了一种由包括具有第一组成的颗粒的第一材料对制品的一部分进行增材制造的设备(100)。设备(100)包括层提供装置(110)，该层提供装置用于由包括具有第二组成的颗粒的第二材料提供第一支承层，其中，第一组成和第二组成是不同的。设备(1...

本发明涉及可以用于从有机溶液中除去溶质的膜。本发明还涉及使用所述膜的方法以及所述膜用于过滤有机溶液的用途。所述膜是薄的氧化石墨烯(GO)层压材料膜。

一种方法，将二维材料(例如石墨烯)转移到目标衬底上，用于制造微米和纳米电机械系统(MEMS和NEMS)。所述方法包括：提供较低的第一应变状态下的二维材料；将二维材料施加到目标衬底上，同时使二维材料处于较高的第二应变状态下。还公开一种装置...

本发明的实施方式提供一种溅射的氧化硅电解质及用于生产其的方法，其中工作气体的预定压力及每目标单位面积的功率密度中的一种或多种经控制以使得溅射的氧化硅电解质具有无定形结构、0.5至2.0g/cm

本发明涉及物理约束的氧化石墨烯层压膜。物理约束限制了层压体中毛细管的尺寸，允许它们针对特定的应用被定制。本发明还涉及使用所述膜净化水的方法和制备所述膜的方法。

一种生产1T‑过渡金属二硫化物少层纳米片和/或者单层纳米片的方法，所述方法包括：锂离子向包含块体2H‑过渡金属二硫化物的负极中的电化学嵌入以提供嵌入电极；和剥离步骤，所述剥离步骤包括将嵌入电极与质子溶剂接触以生产1T‑过渡金属二硫化物少...

一种用于在电化学电池中从石墨中生产官能化石墨烯和/或厚度小于100nm的官能化石墨纳米片结构的方法。石墨被剥离并同时被官能化。

本发明涉及二维材料的膜及其在过滤中的用途。所述膜可包括聚芳族分子，其提供了如观察到的对小溶质的排斥性的改善。所述二维材料可以是过渡金属二硫属元素化物(TMDC)或六方氮化硼(hBN)。

本发明的实施例提供了一种处理彩色图像数据的方法，其包括：接收对应于图像的第一区域和第二区域的图像数据，所述图像具有被表示在第一颜色空间中的颜色信息；将图像数据的颜色信息从第一颜色空间转换到第二颜色空间，映射被布置为基本上保持颜色信息的感...

本发明公开了装置以及用于制造这种装置的方法。装置包括形成在基板中的腔体。层压隔膜安装到基板并且跨越腔体。层压隔膜包括通常是聚合物的一层柔性材料，以及通常地是石墨烯的一层二维材料。

一种用于在电化学电池中产生厚度小于100nm的非碳基2D材料和/或非碳基2D材料纳米小板结构的方法，所述电池具有负电极，所述负电极包括非碳基体2D材料和诸如金属的电导材料。

在电化学电池中生产石墨烯和厚度小于100nm的纳米石墨片结构的方法，该电池具有石墨负电极和由溶剂中的离子构成的电解质，其中阳离子是含硫离子或含磷离子，其中该方法包括使电流通过电池的步骤，以将离子插入石墨负电极中进而剥离石墨负电极。

本发明涉及抗蚀剂组合物，具体涉及能用于光刻术中、特别是用于集成电路和派生产品的制造中的光致抗蚀剂。本发明的抗蚀剂组合物包括具有显著量的空隙并因此具有较少散射中心的抗散射成分，使得在曝光期间更加限制辐射散射事件。这种抗散射效应能够通过减少...

通过将金属络合物加入到热分散介质中合成2D金属硫属化物纳米片、及金属离子或准金属离子掺杂的2D金属硫属化物纳米片。通过适当的温度选择可以控制该纳米片的平均横向尺寸。

本发明提供了一种天线阵列，包括单格阵列，每个单格包括两个第一类型的环形元件和两个第二类型的环形元件，其中，在每个单格中：第一类型的元件包括平衡馈电，以在第一极化方向上产生辐射，第二类型的元件包括平衡馈电，以在第二极化方向上产生辐射，以及...