宽带阵列天线制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】宽带阵列天线本专利技术涉及阵列型天线，特别涉及被设计为具有宽可用频率带宽的这种天线。现有的微波天线设计的种类繁多，包括由平面导电元件阵列组成的那些微波天线设计，该平面导电元件阵列与地平面间隔开。宽带双极化相控阵在许多应用中越来越受期待。这种阵列(包括向入射场呈现垂直导体的元件)经常遭受高交叉极化。许多系统功能都有明确的极化要求。一般来说，在整个带宽上都期望有低交叉极化。相互耦合总是发生在阵列天线中，它与元件类型、波长方面的元件分离以及阵列几何形状有关。它通常是必须避免栅瓣产生的宽带宽阵列中的一个特别的问题。申请人自己的在先公开的PCT申请WO2010/112857和英国专利申请：GB2469075，描述了双极化的宽带阵列。该专利中的一个例子在图1至4中示出，并在下文进行描述。在图1中，中心元件50被四个等间隔元件52,54,56,58围绕。中心元件50经由各自的电容器C耦合到元件52和54。中心元件50还用各自的元件56和58形成两个元件对的一半。进一步地，这些元件可以被封装在薄层60中的两层电介质之间。该天线设计还包括与主天线层60间隔开的另一无源导电层62。图2...
【技术保护点】
一种天线阵列，其特征包括单格阵列，每个单格包括两个第一类型的环形元件和两个第二类型的环形元件，其特征在于，在每个单元电池中：第一类型的元件包括平衡馈电，以在第一极化方向上产生辐射，第二类型的元件包括平衡馈电，以在第二极化方向上产生辐射，以及第一类型的每个元件电容耦合到位于相邻单格中的第一类型的另一元件，以及第二类型的每个元件电容耦合到位于相邻单格中的第二类型的另一元件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.29 GB 1513360.61.一种天线阵列，其特征包括单格阵列，每个单格包括两个第一类型的环形元件和两个第二类型的环形元件，其特征在于，在每个单元电池中：第一类型的元件包括平衡馈电，以在第一极化方向上产生辐射，第二类型的元件包括平衡馈电，以在第二极化方向上产生辐射，以及第一类型的每个元件电容耦合到位于相邻单格中的第一类型的另一元件，以及第二类型的每个元件电容耦合到位于相邻单格中的第二类型的另一元件。2.根据权利要求1所述的天线阵列，其特征在于，在每个单格中，第一类型的两个元件所在的第一轴线垂直于所述两个第二类型的元件所在的第二轴线。3.根据权利要求2所述的天线阵列，其特征在于，所述单格中第一类型的元件和它们所电容耦合的元件都位于第一轴线，以及所述单格中第二类型的元件和它们所电容耦合的元件部位于第二轴线。4.根据上述任一权利要求所述的天线阵列，其特征在于，所述元件的形状是非偶极的。5.根据权利要求4所述的天线阵列，其特征在于，所述元件的形状为圆形或多边形。6.根据权利要求5所述的天线阵列，其特征在于，所述元件在其中心具有不导电材料的区域。7.根据权利要求6所述的天线阵列，其特征在于，所述元件是环形的。8.根据上述任一权利要求所述的天线阵列，其特征在于，元件之间的电容耦合通过这些元件的互相交叉的区域来实现。9.根据上述任一权利要求所述的天线阵列，其特征在于，所述元件布置成平面阵列。10.根据权利要求1至8中任一项所述的天线阵列，其特征在于，所有单...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·K·布朗，张永伟，
申请(专利权)人：曼彻斯特大学，
类型：发明
国别省市：英国,GB
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