一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括具有沟槽的衬底、设置于沟槽下部的下部电极、设置于沟槽上部的上部电极、以及层间绝缘层，上部电极的上表面通过化学机械研磨工艺形成，使上部电极具有平整的上表面，层间绝缘层通过化学气相沉积工艺形成，使所述层间绝缘层...

一种电池的保护集成电路，所述保护集成电路包括：比较电路，耦接所述工作电压接脚VCC，以根据电池的跨压产生复位信号POR；以及0V充电控制电路，包括：控制电路，耦接所述比较电路、所述工作电压接脚VCC及所述接地接脚VSS，并具有输出端，用...

一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括衬底，衬底定义有主动区与终端区，终端区围绕主动区。主动区具有多个第一主动沟槽及多个第二主动沟槽，彼此平行设置在主动区中，第一主动沟槽与第二主动沟槽彼此间隔设置。终端区具有第一终端沟槽及第二终端沟槽，第一终端...

一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括衬底、终端电极、金属层、第一接触栓及第二接触栓。衬底具有主动沟槽、围绕主动沟槽设置的第一终端沟槽及至少一条第二终端沟槽，第一终端沟槽设置于主动沟槽与第二终端沟槽之间；终端电极设置于第一及第二终端沟槽内；金属...

一种芯片的封装结构，包括有引线框架、芯片、导电夹。引线框架包括承载部、栅极引线端及漏极引线端；芯片具有第一表面和相对于第一表面的第二表面，第一表面分别连接承载部及栅极引线端；导电夹具有第一矩形俯视外观，设置于引线框架上，导电夹具有第一接...

一种驱动电路，接收脉冲宽度调变输入信号并产生开关控制信号，用以控制输出电路进行电源转换，开关控制信号包括导通时间及关断时间，驱动电路包括时间控制电路及非交迭驱动模块，时间控制电路接收脉冲宽度调变输入信号以产生脉冲宽度调变输出信号，脉冲宽...

一种驱动电路，包括三态信号检测电路和非交迭驱动模块，三态信号检测电路包括：分压电路接收使能信号以提供第一窗口电压及第二窗口电压；比较电路耦接分压电路，接收第一窗口电压、第二窗口电压及脉冲宽度调变输入信号，以产生第一比较信号及第二比较信号...

一种智能功率模块，包括引线框架、导电夹、第一金氧半晶体管芯片、第二金氧半晶体管芯片及封装胶体，芯片并排设置于引线框架与导电夹之间且通过导电夹彼此相互电性连接，封装胶体包覆芯片、部分引线框架和部分导电夹；导电夹具有平坦部及自平坦部凸出的至...

本实用新型公开了一种智能功率级模块的封装结构及晶圆结构，智能功率级模块的封装结构包括引线框架、第一芯片、第二芯片、导电夹，第一芯片与第二芯片分别具有第一表面、第二表面及侧壁，第二表面具有组件区与切割区，切割区位于组件区的两侧；第二芯片还...

一种智能功率模块，包括引线框架、导电夹、第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片，第一金氧半晶体管芯片和第二金氧半晶体管芯片并排设置于引线框架与导电夹之间且通过导电夹彼此相互电性连接；导电夹具有平坦部及自平坦部凸出的至少二个连接部，连...

本实用新型公开了一种智能功率级模块，包括引线框架、第一金氧半晶体管芯片、第二金氧半晶体管芯片及导电夹。第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片并排设置于引线框架上。导电夹具有平坦部，平坦部通过焊料层分别电性连接第一金氧半晶体管芯片及第...

一种遮蔽栅极式沟槽晶体管包括衬底、下部电极、上部电极以及层间绝缘层，衬底具有沟槽；下部电极设置于沟槽的下部；上部电极设置于沟槽的上部；层间绝缘层设置于下部电极与上部电极之间，层间绝缘层由高密度电浆工艺及化学气相沉积工艺形成，使层间绝缘层...

本实用新型公开了一种智能功率级模块，包括有引线框架、导电夹、第一金氧半晶体管芯片、第二金氧半晶体管芯片及封装胶体。引线框架包括乘载部及引线端导。电夹包括顶面部和第一接脚部，导电夹设置于引线框架上，第一接脚部包括与顶面部相垂直的第一接脚段...

一种智能功率级模块，包括引线框架、导电夹、第一金氧半晶体管芯片和第二金氧半晶体管芯片、封装胶体；引线框架包括承载部和引线端；第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片并排设置于引线框架与导电夹之间，并通过导电夹彼此电性连接，封装胶体包覆...

一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括：衬底，其包括终端区及主动区，所述终端区围绕所述主动区；主动区包括具有第一延伸方向的第一主动沟槽和具有第二延伸方向的第二主动沟槽，第一延伸方向与第二延伸方向不同。本实用新型在衬底上设计两种朝向的沟槽，解决衬...