遮蔽栅极式沟槽晶体管制造技术

一种遮蔽栅极式沟槽晶体管包括衬底、下部电极、上部电极以及层间绝缘层，衬底具有沟槽；下部电极设置于沟槽的下部；上部电极设置于沟槽的上部；层间绝缘层设置于下部电极与上部电极之间，层间绝缘层由高密度电浆工艺及化学气相沉积工艺形成，使层间绝缘层具有平整的上表面。由于层间绝缘层由高密度电浆化学气相沉积形成，使得层间绝缘层较现有技术的层间绝缘层厚且具有平整的上表面，厚且平整的层间绝缘层可消除不平整且厚度不均带来的问题，可改善组件可靠度；同时厚的层间绝缘层因为拉大了上下电极的距离，可以改善组件的寄生电容。可以改善组件的寄生电容。可以改善组件的寄生电容。

【技术实现步骤摘要】
遮蔽栅极式沟槽晶体管


[0001]本技术涉及晶体管，尤其是一种遮蔽栅极式沟槽晶体管。

技术介绍

[0002]遮蔽栅极式沟槽晶体管(SGT，shielded gate electron transistor)，单一沟槽中电极结构包括上部电极、层间绝缘层和下部电极，上部介电层隔离上部电极与衬底，下部介电层隔离下部电极与衬底。通常上部电极会电性连接元件的栅极，下部电极会电性连接元件的源极，衬底则会电性连接元件的漏极。现有技术的层间绝缘层仅靠一道热氧化制程形成，其厚度较薄，且热氧化制程为共形形成，若前一道蚀刻出来的结构不平整，后续形成的层间绝缘层的表面容易形成不平整结构，不平整处会导致尖端放电影响组件可靠度，且薄的层间绝缘层会导致大的组件闸源电容(Cgs)。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是提供一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，解决现有技术存在的技术问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术的技术方案是：遮蔽栅极式沟槽晶体管包括衬底、下部电极、上部电极以及层间绝缘层，衬底具有沟槽；下部电极设置于沟槽的下部；上部电极设置于沟槽的上部；层间绝缘层设置于下部电极与上部电极之间，层间绝缘层由高密度电浆工艺及化学气相沉积工艺形成，使层间绝缘层具有平整的上表面。
[0005]本技术原理：层间绝缘层由高密度电浆工艺(HDP)及化学气相沉积工艺(CVD)形成，使得层间绝缘层较现有技术的层间绝缘层厚且具有平整的上表面，厚且平整的层间绝缘层可消除不平整且厚度不均带来的问题，可改善组件可靠度；同时厚的层间绝缘层因为拉大了上下电极的距离，可以改善组件的闸源电容等组件寄生电容；层间绝缘层的上表面宽度大于下表面宽度，能够降低栅极的阻抗，提高晶体管开关的切换速率。
[0006]作为改进，层间绝缘层具有上表面及下表面，上表面大于下表面。
[0007]作为改进，层间绝缘层的厚度在1200A
‑
1500A之间。
[0008]作为改进，遮蔽栅极式沟槽晶体管还包括下部介电层，设置于沟槽的下部，隔离下部电极与衬底。
[0009]作为改进，遮蔽栅极式沟槽晶体管还包括上部介电层，设置于沟槽的上部，隔离上部电极与衬底。
[0010]本技术与现有技术相比所带来的有益效果是：
[0011]1、层间绝缘层由高密度电浆工艺(HDP)及化学气相沉积工艺 (CVD)形成，使得层间绝缘层较现有技术的厚且具有平整的上表面，厚且平整的层间绝缘层可消除不平整且厚度不均带来的问题，可改善组件可靠度；
[0012]2、厚的层间绝缘层因为拉大了上下电极的距离，可以降低组件的闸源电容，改善组件的寄生电容；
[0013]3、层间绝缘层的上表面宽度大于下表面宽度，能够降低栅极的阻抗，提高开关切换速率。
附图说明
[0014]图1为本技术结构示意图。
具体实施方式
[0015]下面结合说明书附图对本技术作进一步说明。
[0016]如图1所示，一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括具有沟槽的衬底4、设在沟槽下部的下部电极3、设置于沟槽上部的上部电极1和设在与下部电极3与上部电极1之间的层间绝缘层2。遮蔽栅极式沟槽晶体管还包括下部介电层，设置于沟槽的下部，隔离下部电极与衬底，下部介电层透过热氧化工艺形成；遮蔽栅极式沟槽晶体管还包括上部介电层，设置于沟槽的上部，隔离上部电极与衬底，上部介电层透过热氧化工艺或化学气相沉积工艺(CVD)形成。
[0017]层间绝缘层2由高密度电浆工艺(HDP)及化学气相沉积工艺 (CVD)形成，使层间绝缘层2具有平整的下表面，其厚度在 1200A
‑
1500A之间；层间绝缘层2具有上表面及下表面，上表面大于下表面。本技术原理：由于层间绝缘层2由高密度电浆工艺(HDP) 及化学气相沉积工艺(CVD)形成，使得层间绝缘层2较现有技术的层间绝缘层厚且具有平整的上下表面，厚且平整的层间绝缘层2可消除不平整且厚度不均带来的问题，可改善组件可靠度；同时厚的层间绝缘层2 因为拉大了上下电极的距离，可以改善等组件寄生电容；层间绝缘层2 的上表面宽度大于下表面宽度，能够降低栅极的阻抗，提高开关切换速率。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于，包括：衬底，具有沟槽；下部电极，设置于所述沟槽的下部；上部电极，设置于所述沟槽的上部；以及层间绝缘层，设置于所述下部电极与所述上部电极之间，其中，所述层间绝缘层由高密度电浆工艺及化学气相沉积工艺形成，使所述层间绝缘层具有平整的上表面。2.根据权利要求1所述的遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于：所述层间绝缘层具有上表面及下表面，其中所述上表面大于所述下表面。3.根据权利要求1所述的遮...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑事展，
申请(专利权)人：力智电子深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：