【技术实现步骤摘要】
遮蔽栅极式沟槽晶体管
[0001]本技术涉及半导体封装领域,尤其是一种遮蔽栅极式沟槽晶体管。
技术介绍
[0002]屏蔽栅极沟槽(Shield
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Gate
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Trench,SGT)结构因其具有电荷耦合效应,在传统沟槽MOSFET垂直耗尽(P
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Body/N
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Epi结)基础上引入了水平耗尽,将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布。在采用同样掺杂浓度的外延规格情况下,器件可以获得更高的击穿电压,该结构在中低压(应用于5V
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60V)的功率器件领域得到广泛应用。传统的SGT结构,先通过一道刻蚀形成沟槽,然后在沟槽内生长屏蔽电极介质层。如图1所示,衬底上的沟槽包括终端沟槽1和主动沟槽2,某些SGT需要深沟槽结构,如应用于40V
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60V的SGT MOSFET器件,若衬底上只形成同一方向的深沟槽,衬底容易出现应力集中而导致晶片翘曲。
技术实现思路
[0003]本技术所要解决的技术问题是提供一种遮蔽栅极式沟槽晶体管,解决衬底应力集中而导致晶片翘曲的问题。
[0004]为解决上述技术问题,本技术的技术方案是:一种遮蔽栅极式沟槽晶体管,包括:
[0005]衬底,其包括终端区及主动区,终端区围绕主动区;
[0006]主动区包括具有第一延伸方向的第一主动沟槽和具有第二延伸方向的第二主动沟槽,第一延伸方向与第二延伸方向不同。
[0007]本技术在衬底上设计两种朝向的沟槽,解决衬底应力集 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种遮蔽栅极式沟槽晶体管,其特征在于,包括:衬底,其包括终端区及主动区,所述终端区围绕所述主动区;其中,所述主动区包括具有第一延伸方向的第一主动沟槽和具有第二延伸方向的第二主动沟槽,所述第一延伸方向与所述第二延伸方向不同。2.根据权利要求1所述的遮蔽栅极式沟槽晶体管,其特征在于:所述第一延伸方向与所述第二延伸方向相互垂直。3.根据权利要求1所述的遮蔽栅极式沟槽晶体管,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑事展,
申请(专利权)人:力智电子深圳有限公司,
类型:新型
国别省市:
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