智能功率级模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种智能功率级模块，包括有引线框架、导电夹、第一金氧半晶体管芯片、第二金氧半晶体管芯片及封装胶体。引线框架包括乘载部及引线端导。电夹包括顶面部和第一接脚部，导电夹设置于引线框架上，第一接脚部包括与顶面部相垂直的第一接脚段，以及与第一接脚段相垂直的第二接脚段。第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片并排设置于引线框架与导电夹之间，第二金氧半晶体管芯片为倒装设置。封装胶体包覆智能功率级模块，并曝露部分第二接脚段。该结构能够增加散热面积，具有更高效率的散热路径，散热效果更佳。散热效果更佳。散热效果更佳。

【技术实现步骤摘要】
智能功率级模块


[0001]本技术涉及半导体封装领域，尤其是一种智能功率级模块。

技术介绍

[0002]现有的DrMOS封装结构是将芯片的漏极配置于引线框架上，源极则是利用铜片的方式与引线框架的引脚连接，该结构的散热主要通过芯片下方的漏极端将热传导出去，发热源从芯片表面向下通过硅晶衬底、焊接材料、铜支架扩散到外部。该结构的另一传导散热路径是通过芯片上方将热传导出去，发热源从芯片表面向上依次通过焊接材料、铜片封装胶体扩散到外部。如图1所示，由于芯片上方和下方的热量经过多级材料传导，散热方式尚有进一步改进的空间，提高DrMOS封装结构的散热效率成为半导体封装领域亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是提供一种智能功率级模块，具有更高效率的散热路径，散热效果更佳。
[0004]为解决上述技术问题，本技术的技术方案是：智能功率级模块包括有引线框架、导电夹、第一金氧半晶体管芯片、第二金氧半晶体管芯片及封装胶体。引线框架包括乘载部及引线端；导电夹包括顶面部和接脚部，导电夹设置于引线框架上，接脚部包括与导电夹相垂直的第一接脚段，以及与第一接脚段相垂直的第二接脚段；第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片并排设置于引线框架与导电夹之间，第二金氧半晶体管芯片为倒装设置；封装胶体包覆智能功率级模块，并曝露部分第二接脚段。
[0005]作为改进，第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片各具有第一表面及第二表面，第一表面具有第一电极与第二电极，第二表面具有第三电极。在具体应用过程中，通常将第一电极设置为栅极，第二电极设置为源极，第三电极设置为漏极。
[0006]作为改进，引线框架的乘载部具有第一部分及第二部分，第一部分连接第二金氧半晶体管芯片的第一电极，第二部分连接第二金氧半晶体管芯片的第二电极。
[0007]作为改进，导电夹的顶面部连接第一金氧半晶体管芯片的第二电极与第二金氧半晶体管芯片的第三电极。
[0008]作为改进，封装胶体曝露导电夹的部分顶面部。顶面部裸露区域的四周依然包覆有封装胶体，既可以达到封装芯片的目的，亦减少散热的阻碍，可以提散热效率。
[0009]作为改进，导电夹还包括有由接脚部的相对侧延伸的第二接脚部，电性连接引线框架。可提供额外的信号引脚，增加智能功率级模块使用的灵活性。
[0010]本技术与现有技术相比所带来的有益效果是：由于将第二金氧半晶体管芯片的倒装设置，第二金氧半晶体管芯片的源极与引线框架的承载部第二部分电性连接，源极热量直接从大面积的引线框架直接传达散发出去。第二金氧半晶体管芯片的漏极通过焊料层与导电夹电性连接，热量可以直接从焊接材料层和导电夹铜片顶面部散热出去，并且由
于无需导电夹的接脚部连接引线框架，可以扩展接脚部的第二接脚段，增加导电夹的面积，加大散热面积，并且导电夹的第二接脚段曝露于封装体表面，进一步提高了散热效率。
附图说明
[0011]图1为现有技术的主视图。
[0012]图2为实施例1的智能功率级模块的俯视图。
[0013]图3为实施例1的智能功率级模块的主视图。
[0014]图4为实施例2的智能功率级模块的主视图。
[0015]图5为实施例3的智能功率级模块的俯视图。
[0016]图6为实施例3的智能功率级模块的主视图。
具体实施方式
[0017]下面结合说明书附图对本技术作进一步说明。
[0018]实施例1
[0019]如图2和3所示，本实施例涉及一种智能功率级模块，包括有引线框架1、导电夹2、第一金氧半晶体管芯片31、第二金氧半晶体管芯片32 及封装胶体4。其中，引线框架1包括乘载部及引线端。导电夹2包括顶面部21和接脚部22，导电夹2设置于引线框架1上，接脚部22包括与导电夹2相垂直的第一接脚段221，以及与第一接脚段221相垂直的第二接脚段222。第一金氧半晶体管芯片31为HS
‑
31型，第二金氧半晶体管芯片32为LS
‑
32型，第一金氧半晶体管芯片31及型第二金氧半晶体管芯片32并排设置于引线框架1与导电夹2之间，其中，第二金氧半晶体管芯片32为倒装设置。在具体实施过程中，第一金氧半晶体管芯片31及第二金氧半晶体管芯片32通过焊料形成的好料层与引线框架1和导电夹2连接固定。第一金氧半晶体管芯片31及第二金氧半晶体管芯片32各具有第一表面及第二表面，第一表面具有栅极与源极，第二表面具有漏极。引线框架1的乘载部具有第一部分及第二部分，第一部分连接第二金氧半晶体管芯片32的栅极，第二部分连接第二金氧半晶体管芯片32的源极。导电夹2的顶面部21连接第一金氧半晶体管芯片 31的源极与第二金氧半晶体管芯片32的漏极。封装胶体4包覆智能功率级模块，并曝露部分第二接脚段222。
[0020]该智能功率级模块在运行时，由于将第二金氧半晶体管芯片32的倒装设置，第二金氧半晶体管芯片32的源极与引线框架1的承载部第二部分电性连接，源极热量直接从引线框架1直接传达散发出去。第二金氧半晶体管芯片32的漏极通过焊料层与导电夹2电性连接，热量可以直接从焊接材料层和导电夹2铜片顶面部21散热出去，并且由于无需导电夹 2的接脚部22连接引线框架1，可以扩展接脚部22的第二接脚段222，增加导电夹2的面积，加大散热面积，并且导电夹2的第二接脚段222 曝露于封装体表面，进一步提高了散热效率。
[0021]实施例2
[0022]如图4所示，本实施例涉及一种智能功率级模块，其结构与实施例 1中的智能功率级模块基本相同，结构相同之处不再赘述。与实施例1，不同之处在于封装胶体4曝露导电夹2的部分顶面部21，部分顶面部 21裸露区域的四周依然包覆有封装胶体4，既可以达到封装芯片的目的，亦减少了热量传到的级数，减少散热的阻碍，可以提散热热效率。
[0023]实施例3
[0024]如图5至6所示，本实施例涉及一种智能功率级模块，其结构与实施例1中的智能功率级模块基本相同，结构相同之处不再赘述。与实施例1，不同之处在导电夹2还包括有由第一接脚部22的相对侧延伸的第二接脚部23，电性连接引线框架1。设置第二接脚部23可以更为适用更多不同类型的金氧半晶体管芯片，根据需要设置各个电极与引线框架1 或导电夹2的连接关系，使用更为灵活。
[0025]以上所述，仅为本技术的较佳实施例而已，当不能以此限定本专利技术的保护范围，即凡依本专利技术所作的简单的等效变化与修改，皆仍属本技术所涵盖的范围。另外本技术的任一实施例或权利要求范围不须达到本技术所揭示的全部目的或优点或特点。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种智能功率级模块，其特征在于，包括有：引线框架，包括乘载部及引线端；导电夹，包括顶面部和第一接脚部，所述导电夹设置于所述引线框架上，所述第一接脚部包括与所述顶面部相垂直的第一接脚段，以及与所述第一接脚段相垂直的第二接脚段；第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片，并排设置于所述引线框架与所述导电夹之间，其中所述第二金氧半晶体管芯片为倒装设置；以及封装胶体，包覆所述智能功率级模块，并曝露部分所述第二接脚段。2.根据权利要求1所述的智能功率级模块，其特征在于：所述第一金氧半晶体管芯片及所述第二金氧半晶体管芯片各具有第一表面及第二表面，所述第一表面具有第一电极与第二电极，所述第二表面具有第三电极。...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄水木，苏子龙，王光峰，
申请(专利权)人：力智电子深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：