在一些实施方式中，发射器模块可以包括包含多个发射器的发射器阵列，以及在单个包层内包含多个芯的光纤。发射器阵列可以光学耦合到光纤的末端，使得发射器阵列的多个发射器中的每个发射器光学耦合到光纤的多个芯中的相应芯。光纤可以包括位于光纤末端的集...

在一些实施方式中，表面发射激光器可以具有具有短氧化长度和/或大量沟槽的发射器设计。例如，表面发射激光器可以包括金属化层，该金属化层包括从内环部分的周边向外延伸的多个延伸部分，以及以部分环形从多个延伸部分侧向延伸的多个翼片。表面发射激光器...

一种光学设备可以包括基板，该基板包括导芯、在导芯的第一表面上的第一叠层、穿过第一叠层延伸到导芯使得导体填充沟槽在导芯的第一表面上的导体填充沟槽、以及在导芯的第二表面上的第二叠层。光学设备可以包括在导体填充沟槽上方的垂直腔发射激光器(VC...

在一些实施方式中，发射器阵列可以包括衬底、衬底上的外延结构、限定在外延结构中的多个底部发射发射器、位于外延结构顶侧的第一电接触部、位于外延结构顶侧的第二电接触部以及设置在衬底底侧的金属层。金属层可以电连接到第二电接触部。金属层可以包括用...

一种方法可以包括使用一组对准设备以特定的取向或序列对准多个光学带中的每一个的一部分。所述方法可以包括使用一组剥离设备来剥离所述多个光学带中的每一个的所述部分，以暴露所述多个光学带的每根纤维的包层。所述方法可以包括使用一组密封设备气密密封...

一种光学装置可以包括垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的阵列，其具有设计波长，每一个VCSEL具有发射区域。光学装置可以包括基本上覆盖阵列的第一金属层、基本上覆盖第一金属层的第二金属层、和在第一金属层和第二金属层之间的电绝缘层，该电绝缘...

在一些实施方式中，VCSEL阵列可以包括多个VCSEL，其每一个同时工作且以相同波长发光。多个VCSEL中第一对邻近VCSEL之间的第一距离可以与多个VCSEL中第二对邻近VCSEL之间的第二距离不同。与第二对邻近VCSEL相比，第一对...

一种微机电系统(MEMS)设备可以包括：反射镜结构，从第一铰链和第二铰链悬挂，第一铰链和第二铰链被布置成使得反射镜结构能够围绕倾斜轴线倾斜。反射镜结构包括位于倾斜轴线的相反侧的第一促动器和第二促动器。MEMS设备可以包括固定电极，其联接...

在一些实施方式中，发射器模块可以包括发射器层，该发射器层包括被配置为产生提供泛光照明的第一光束的第一发射器阵列，以及被配置为产生提供点照明的第二光束的第二发射器阵列。发射器模块可以包括位于发射器层前面的第一光学层，该第一光学层包括位于第...

在一些实施方式中，放大器设备可以包括第一放大器，该第一放大器被配置为放大光波长的第一范围中的信号。第一放大器可以包括第一部分和第二部分，该第一部分包括一个或多个第一光学增益组件，该第二部分包括一个或多个第二光学增益组件和可变光学衰减器。...

在一些实施方式中，用于电光装置的外壳包括模制的介电结构部件、EMI屏蔽和多个导电迹线。模制的介电结构部件可以被配置为分离EMI屏蔽和多个导电迹线。屏蔽和多个导电迹线。屏蔽和多个导电迹线。

带电感应激光驱动器可以被配置为向第一激光负载和第二激光负载提供预加重电流，其中预加重电流被配置为实现作为第一激光负载和第二激光负载的组合输出的方脉冲。第二激光负载的组合输出的方脉冲。第二激光负载的组合输出的方脉冲。

一种光学设备可以包括用于引导光信号的平面光波回路(planar lightwave circuit，PLC)波导。光学设备可以包括热光移相器，以接收用于控制热光移相器的温度的控制信号，热光移相器的温度用于向PLC波导中的光信号施加移相，...

在一些实施方式中，垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列可以包括多个信道、多个迹线和多个发射器。多个信道中的一信道可以包括多个发射器中的发射器组，所述发射器组布置在发射器行中。该信道可以包括多个迹线中的迹线，该迹线具有沿着迹线长度逐渐变细...

本文公开的系统、方法和设备涉及用于空间复用、多区域照射的光学组件和光学组件。在一些实施例中，光源阵列与一个或多个微透镜组件对准，以产生特定的照射场。在一些实施例中，表面发射光源可以是发光二极管和/或表面发射激光器。微透镜阵列可以与光源阵...

在一些实施方式中，电驱动电路可以使用阴极预充电和阴极拉动补偿来产生矩形光脉冲。电驱动电路可以包括连接光学负载的阳极和阴极、开关、连接在阳极和地之间的第一源、连接在阴极和开关之间的整流器、与整流器并联的电容器、连接到地的第二源以及连接在开...

一种垂直腔面发射激光器阵列(VCSEL)阵列可以包括n型衬底层和在n型衬底层的底部表面上的n型金属。n型金属可以形成用于一组VCSEL的公共阳极。VCSEL阵列可以包括在n型衬底层的顶部表面上的底部镜结构。底部镜结构可以包括一个或多个底...

描述了用于实现串联连接的单芯片垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法、设备和系统。在一个方面，单个芯片包括一个或多个位于导电层上的非导电区，以产生多个电分离的导电区。每个电分离区可以具有多个VCSEL元件，包括串联连接的阳极区和阴极...

半导体层结构可以包括衬底、设置在衬底上方的阻挡层、以及设置在阻挡层上方的一个或多个外延层。阻挡层的厚度可以在50纳米(nm)和4000nm之间。阻挡层可以被配置为抑制来自衬底的缺陷传播到一个或多个外延层。一个或多个外延层可以包括量子阱层...

一种VCSEL阵列可以包括半导体基板和在基板上的符合发射器图案的多个发射器。发射器图案可以与基板的边缘以非零角度取向，并且可以包括被布置成形成发射器图案的两个或更多个单元。两个或更多个单元中的每个单元可以包括相同数量的发射器，并且两个或...