【技术实现步骤摘要】
包括在导芯上具有导体填充沟槽的基板的光学设备
[0001]本公开总体涉及光学设备的基板,更具体地,涉及这样的光学设备的基板,该基板包括导芯,该导芯为安装在基板上的垂直腔发射激光器(VCSEL)芯片提供改进的散热。
技术介绍
[0002]光学设备可以包括基板和VCSEL芯片(例如,用于为特定应用发光,例如针对3D感测应用),VCSEL芯片安装在基板上。在一些情况下,基板包括铜(Cu)芯,在铜芯的顶面上具有叠层,在铜芯的底面上具有叠层。这里,每个叠层可以包括与铜层交替的玻璃增强环氧层压材料层,例如阻燃剂4(FR4)材料层。在一些其他情况下,用于光学设备的基板包括高温共烧陶瓷(HTCC),其包括氧化铝芯(即,氧化铝(Al2O3)),在氧化铝芯的顶面上具有叠层,在氧化铝芯的底面上具有叠层。这里,每个叠层可以包括与氧化铝层交替的钨(W)层。通常,VCSEL芯片安装在基板的一个叠层的表面上。
技术实现思路
[0003]在一些实施方式中,光学设备包括基板,基板包括:导芯;在导芯的第一表面上的第一叠层,该第一叠层包括第一组介 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光学设备,包括:基板,包括:导芯,第一叠层,其在导芯的第一表面上,第一叠层包括第一组介电层和第一组导电层,导体填充沟槽,该导体填充沟槽穿过第一叠层延伸到达导芯,使得导体填充沟槽位于导芯的第一表面上,以及第二叠层,其在导芯的第二表面上,第二叠层包括第二组介电层和第二组导电层;以及垂直腔发射激光器VCSEL芯片,其在导体填充沟槽上方,该VCSEL芯片包括VCSEL阵列,其中,导体填充沟槽的尺寸匹配VCSEL芯片的尺寸,匹配VCSEL阵列的发射区域的尺寸,或者,大于VCSEL阵列的发射区域的尺寸但小于VCSEL芯片的尺寸。2.根据权利要求1所述的光学设备,其中,所述导体填充沟槽是第一导体填充沟槽,并且,所述基板还包括:第二导体填充沟槽,其延伸穿过第二叠层到达导芯,使得第二导体填充沟槽位于导芯的第二表面上。3.根据权利要求2所述的光学设备,其中,第二导体填充沟槽与第一导体填充沟槽相对,使得VCSEL芯片位于第二导体填充沟槽上方。4.根据权利要求2所述的光学设备,其中,第二导体填充沟槽的尺寸匹配或大于所述VCSEL阵列的发射区域的尺寸。5.根据权利要求1所述的光学设备,其中,所述导体填充沟槽的一部分在所述导芯和所述VCSEL芯片的结合焊盘区域之间。6.根据权利要求1所述的光学设备,其中,所述导体填充沟槽的形状与所述VCSEL芯片的形状匹配。7.根据权利要求1所述的光学设备,其中,所述导体填充沟槽的形状与所述VCSEL阵列的发射区域的形状相匹配。8.根据权利要求1所述的光学设备,其中,所述导体填充沟槽是单体沟槽。9.根据权利要求1所述的光学设备,其中,所述导体填充沟槽不包括通孔。10.根据权利要求1所述的光学设备,其中,在所述第一叠层的在所述VCSEL芯片和所述导芯之间的区域中没有通孔。11.根据权利要求1所述的光学设备,其中,所述第一组介电层的任何部分都不在所述VCSEL阵列的发射区和导芯之间。12.根据权利要求1所述的光学设备,其中,所述导体填充沟...
【专利技术属性】
技术研发人员:石玮,张少均,L朱,R斯里尼瓦桑,朱环琳,
申请(专利权)人:朗美通经营有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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