一种光纤热交换器，包括外部主体和插入外部主体的内部主体。内部主体包括:多个引导壁，引导冷却液通过光纤热交换器，以与插入光纤热交换器中的光纤进行热交换；第一组平行直通道，沿着内部主体的进入部分延伸，由多个引导壁的第一子组形成；一组U形通道...

发射器可以包括基板、至少在沟槽的底表面上的导电层、以及在基板的外延侧上提供发射器的第一电接触部的第一金属层。第一金属层可以在沟槽内，使得第一金属层接触部沟槽内的导电层。发射器还可以包括第二金属层，以在基板的外延侧上提供发射器的第二电接触...

紧密间隔发射器阵列可以包括包含第一多个结构的第一发射器和与第一发射器相邻的包含第二多个结构的第二发射器。第一发射器和第二发射器可以被配置在紧密间隔发射器阵列中，使得第一多个结构和第二多个结构之间的不同类型结构不重叠，同时保持第一发射器和...

一种装置，包括基板、在基板上的第一垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列、在基板上并与第一VCSEL阵列相邻的第二VCSEL阵列、以及在第一VCSEL阵列和第二VCSEL阵列之间的绝缘结构。该绝缘结构在第一VCSEL阵列和第二VCSEL...

一种电光装置可以包括马赫曾德尔调制器(MZM)和一个或多个部件。一个或多个部件可以将具有抖动的DC偏压施加到MZM的第一分支和第二分支以及第一分支的臂，且可以确定第一返回信号的二次谐波。一个或多个部件可以将具有相移抖动的DC偏压施加到第...

一种光子集成电路，其可以包括衬底和与衬底集成的光波导。该光波导可以包括弯曲部分，其中，该弯曲部分的弯曲形状由曲率函数限定，以抑制波导模态转变。

光接收器可以包括平面光波电路，其具有光路和锥形反射表面，以将光束导向平面光波电路的顶表面。光接收器可以包括光电二极管，其被布置在平面光波电路的顶表面上，使得光电二极管的接收部分与光路对准，其中光电二极管与平面光波电路之间的间隙小于5微米。

一种设备可以在目标拼接点将具有非同心芯的扭绞光纤的第一端拼接到具有同心芯的目标光纤的输入端，以形成拼接光纤，其中目标光纤的同心芯和扭绞光纤的非同心芯在目标拼接点处具有特定的偏移。该装置可以使至少一部分扭绞光纤锥形化，以形成拼接光纤的逐渐...

一种光纤装置可以包括光波导，用于将激光输出从光波导的第一端引导到光波导的第二端。该光纤装置可以包括光纤望远镜，其光学耦合到光波导的第二端以修改激光输出。该光纤望远镜可以包括：第一渐变折射率光学元件，该第一渐变折射率光学元件的第一面熔合到...

一种光装置，可以包括单体光束指向控制引擎。装置可以包括双重M×N波长选择开关(WSS)，其包括第一M×N WSS和第二M×N WSS。第一M×N WSS可以包括单体光束指向控制引擎的第一板区间，以执行第一光束的第一光束指向控制，其中第一...

光纤可以包括掺杂了一种或多种活性离子以将信号光从光纤输入端引导到光纤输出端的纤芯，围绕纤芯以将泵浦光从光纤输入端引导到光纤输出端的包层，和形成在围绕纤芯的包层中的一个或多个插入部。一个或多个插入部每一个可以具有沿光纤的纵向长度变化的几何...

一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列可以包括掺杂基板层。VCSEL阵列可以包括在掺杂基板层上的多个VCSEL。VCSEL阵列可以包括在掺杂基板层和多个VCSEL之间的缓冲结构。缓冲结构或缓冲结构与多个VCSEL的层的组合可以提供多...

放大器组件可以包括具有第一通道的第一热沉板、具有第二通道的第二热沉板和设置在第一通道和第二通道中的放大器棒。第二热沉板可以连接第一热沉板使得第一通道和第二通道对准。放大器棒可以通过非共晶焊料连接到第一热沉板和第二热沉板。

一种光学装置可以包括具有多个发射器组的发射器阵列。每一个发射器组可以相对于多个发射器组中的其他发射器组被独立地寻址，用于独立地产生激光。多个发射器组中的发射器可以散布在发射器阵列中，使得发射器阵列中的最小发射器至发射器距离小于任何发射器...

一种方法，可以包括执行主动对准以使得能够经由成像结构在第一光纤和第二光纤之间进行光学耦合。第一光纤的端部可以在成像结构的第一表面上的第一位置处。第一位置可以相对于成像结构的轴线处于第一横向偏移距离。第二光纤的端部可以在成像结构的第一表面...

一种旋转光束产生器可以包括具有主部分和次部分的单体纤芯，其中次部分的至少一部分与单体纤芯中心存在偏差，其中单体纤芯沿光纤装置的长度绕光纤装置的轴线扭绞，且其中主部分的折射率大于次部分的折射率；和包层，围绕单体纤芯。

一种晶圆，可以包括衬底层和形成在衬底层上或衬底层内的多个垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。基于跨晶圆的氧化层的氧化速率的预测变化，与多个VCSEL相关联的相应沟槽到沟槽距离可以跨晶圆变化。

光学系统可以包括用于发射多个光束的发射器阵列，以及透镜阵列。透镜阵列可以被布置为对多个光束中的每一个进行准直和引导。透镜阵列的透镜之间的间距可以大于发射器阵列的发射器之间的间距，以便导致多个光束被引导，使得它们在离开透镜阵列之后发散。光...

一种半导体层结构，可以包括衬底、形成在衬底上的缓冲层，以及形成在缓冲层上的一组外延层。所述缓冲层可以具有大于2微米(μm)的厚度。所述一组外延层包括量子阱层。量子阱混合区域可以与所述量子阱层和从半导体层结构的表面的区域扩散的材料相关联地...

一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列可以包括掺杂基板层。VCSEL阵列可以包括在掺杂基板层上的多个VCSEL。VCSEL阵列可以包括在掺杂基板层和多个VCSEL之间的缓冲结构。缓冲结构或缓冲结构与多个VCSEL的层的组合可以提供多...