具有集成电容器的垂直腔面发射激光器阵列制造技术

光学芯片可以包括垂直腔面发射激光器VCSEL结构。该光学芯片可以包括位于VCSEL结构的活性区之外的VCSEL结构的活性层的至少一部分上方的电容器。该电容器可以包括在活性层的一部分上方的第一金属层、在第一金属层上的介电层和在介电层上的第二金属层。该光学芯片可以包括在VCSEL的衬底和VCSEL外部的电容器的一部分之间的隔离区。一部分之间的隔离区。一部分之间的隔离区。

【技术实现步骤摘要】
具有集成电容器的垂直腔面发射激光器阵列


[0001]本专利技术总体上涉及垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片，更具体地说，涉及具有一个或多个集成电容器的VCSEL芯片，以实现在大电流操作下具有快速上升时间的亚纳秒脉冲模式。

技术介绍

[0002]光学系统，例如基于飞行时间(ToF)的测量系统，需要短持续时间(例如，10纳秒(ns)或更短)的高功率光脉冲，以及瞬态响应的快速上升和下降时间。高功率光脉冲能够实现更大的距离测距，而较短持续时间的光脉冲能够提高分辨率。对于垂直腔面发射激光器，经过垂直腔面发射激光器的较大电流对应于较高功率的光脉冲。通常，基于ToF的测量系统通过测量发射的光脉冲和反射的光脉冲之间的延迟来确定到物体的距离和/或物体深度，其中发射的光脉冲具有明确定义的时间原点和简化测量的矩形形状。为了实现矩形形状，发射的光脉冲应该具有短的上升时间(例如，光脉冲的功率从零上升到峰值功率的时间)和短的下降时间(例如，光脉冲的功率从峰值功率下降到零的时间)。

技术实现思路

[0003]在一些实施方式中，一种光学芯片包括垂直腔面发射激本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学芯片，包括:垂直腔面发射激光器VCSEL结构；和电容器，其位于在活性区之外的VCSEL结构的活性层的至少一部分上方，该电容器包括:在活性层的所述部分上方的第一金属层，在第一金属层上的介电层，以及在介电层上的第二金属层；以及隔离区，其在VCSEL结构的衬底和在VCSEL结构外部的电容器的一部分之间。2.根据权利要求1所述的光学芯片，其中，所述电容器的一部分在所述VCSEL结构的侧表面上。3.根据权利要求1所述的光学芯片，其中，所述电容器的一部分在所述VCSEL结构的顶面上。4.根据权利要求1所述的光学芯片，其中，所述电容器的一部分位于与所述VCSEL结构相邻的表面上。5.根据权利要求1所述的光学芯片，其中，所述第一金属层的一部分在所述VCSEL结构的接触层上。6.根据权利要求1所述的光学芯片，其中，所述电容器延伸到所述VCSEL结构的光学孔隙或其附近。7.根据权利要求1所述的光学芯片，其中，所述隔离区减少从所述电容器到所述衬底的电流泄漏。8.根据权利要求1所述的光学芯片，其中，所述电容器与所述VCSEL结构的阳极集成在一起。9.根据权利要求1所述的光学芯片，其中，所述电容器与所述VCSEL结构串联连接。10.根据权利要求1所述的光学芯片，其中，所述电容器是第一电容器并且与所述VCSEL结构的第一电极集成，并且，所述光学芯片还包括与所述VCSEL结构的第二电极集成的第二电容器。11.根据权利要求1所述的光学芯片，其中，所述介电层是第一电介质，并且，所述电容器还包括在所述第二金属层上的第二介电层和在所述第二介电层上的第三金属层。12.一种器件，包括:垂直腔面发射激光器VCSEL阵列；电容器，其与VCSEL阵列的电极集成，该电容器包括第一部分、第二部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：张少钧，MG彼得斯，MA希拉齐侯赛尼多科特，黄皓，L朱，
申请(专利权)人：朗美通经营有限责任公司，
类型：发明
国别省市：