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晶科华兴集成电路深圳有限公司专利技术
晶科华兴集成电路深圳有限公司共有19项专利
一种便携式智慧型MOSFET参数测量装置制造方法及图纸
本实用新型涉及参数测量技术领域,且公开了一种便携式智慧型MOSFET参数测量装置,包括第一面板,所述第一面板正面的底部固定安装有固定块,且固定块的底部固定连接有固定杆,所述固定杆的外表面活动套接有防尘板,且防尘板的另一侧固定安装有限位片...
带有顶出机构的芯片键合装置制造方法及图纸
本实用新型涉及芯片辅助装置技术领域,且公开了带有顶出机构的芯片键合装置,包括基盘,所述基盘内腔的底部固定连接有固位套,所述固位套内腔的底部活动连接有限位块,所述限位块的顶部固定连接有螺纹杆,所述固位套的内腔固定套接有定位套,所述螺纹杆位...
一种避免芯片陷在胶槽的贴片机制造技术
本实用新型涉及贴片机技术领域,且公开了一种避免芯片陷在胶槽的贴片机,包括工作台,所述工作台顶端的一侧固定安装有固定送料器,所述工作台顶端的另一侧固定安装有固定PCB输送器,所述工作台顶端背面的两侧固定连接有支柱,两个所述支柱的顶端均固定...
抵御静电不良影响的芯片测试夹具制造技术
本实用新型涉及夹具技术领域,且公开了抵御静电不良影响的芯片测试夹具,包括底座,所述底座的顶部活动套装有支撑柱,所述支撑柱的外表面固定套装有从动转盘,从动转盘的外表面开设有卡槽,从动转盘的顶端固定连接有固定台,固定台的两侧均活动套装有固定...
一种适用于晶圆芯片加工的自动化设备制造技术
本实用新型涉及晶圆芯片生产设备技术领域,且公开了一种适用于晶圆芯片加工的自动化设备,包括底座,所述底座的顶部固定安装有干燥箱,所述干燥箱的顶部固定安装有支撑架,所述支撑架的数量为两个,两个所述支撑架的顶部之间均固定安装有暖风机,所述暖风...
一种半导体场效应晶体管的制作加工装置制造方法及图纸
本实用新型涉及场效应晶体管加工装置技术领域,且公开了一种半导体场效应晶体管的制作加工装置,包括底座,底座的顶部固定安装有加工板,加工板的顶部开设有横口。该半导体场效应晶体管的制作加工装置,通过设置挡杆、主动轮、把杆和升降杆,当把杆顺时针...
短运行行程的芯片加工用倒装装置制造方法及图纸
本实用新型涉及倒装装置技术领域,且公开了短运行行程的芯片加工用倒装装置,包括支撑台、基板和芯片,所述支撑台的顶部固定安装有支撑架,所述支撑架的右侧面固定安装有储料罐,所述储料罐的底部设置有定量阀,所述支撑台的内部固定安装有支撑板,所述支...
一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术
本实用新型提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管,该晶体管包括外延层、体区、栅电极和氧化层,外延层是预先生长的,并在外延层的顶面设有沟槽。体区位于沟槽之间,并向外延层的底面方向延伸至预定位置。栅电极位于沟槽内,且平行于体区的延伸方向,...
一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法技术
本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管,该晶体管包括外延层、体区、栅电极和氧化层,外延层是预先生长的,并在外延层的顶面设有沟槽。体区位于沟槽之间,并向外延层的底面方向延伸至预定位置。栅电极位于沟槽内,且平行于体区的延伸方向,栅电...
一种电动车控制器通用型功率MOSFET模块制造技术
本实用新型涉及一种电动车控制器通用型功率MOSFET模块,包括间隔并列布置成一排的六个独立封装单元,每个所述独立封装单元正面的芯片放置区中均设置有预设功率的MOSFET芯片,每个所述独立封装单元均具有两只侧管脚和一只中管脚;还包括将所述...
一种电动车控制器用六管MOSFET模块制造技术
本实用新型涉及一种电动车控制器用六管MOSFET模块,包括间隔并列布置成一排的六个TO220载体和六只分别放置在所述六个TO220载体中的MOSFET芯片,每个所述TO220载体均具有两只侧管脚和一只中管脚;还包括将所述六个TO220载...
一种手持式自适应中电压功率MOSFET参数测量仪制造技术
本实用新型涉及一种手持式自适应中电压功率MOSFET参数测量仪,包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、PCB板、测试连接端口和设置在所述壳体上的LCD显示模块与操作钮;本实用新型中的手持式自适应中电压功率MOSFET参数测量仪采用可循环充电...
一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪制造技术
本实用新型涉及一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪,包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、PCB板、测试连接端口和设置在所述壳体上的LCD显示模块与操作钮;本实用新型中的手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪采用可循环充电...
一种手持式自适应低电压功率MOSFET参数测量仪制造技术
本实用新型涉及一种手持式自适应低电压功率MOSFET参数测量仪,包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、PCB板、测试连接端口和设置在所述壳体上的LCD显示模块与操作钮;本实用新型中的手持式自适应低电压功率MOSFET参数测量仪采用可循环充电...
沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术
本实用新型属于功率场效应晶体管技术领域,提供一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管。该晶体管包括由上到下的金属层、隔离层、氧化层、外延层和衬底层,外延层由该外延层的上表面向下依次设有N杂质源区和P杂质体区,P杂质体区内设有P杂质注入区,...
沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法技术
本发明属于功率场效应晶体管技术领域,提供一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管。该晶体管包括由上到下的金属层、隔离层、氧化层、外延层和衬底层,外延层由该外延层的上表面向下依次设有N杂质源区和P杂质体区,P杂质体区内设有P杂质注入区,外延...
一种辅助电机与电机控制器进行电连接的配线器制造技术
本发明涉及一种辅助电机与电机控制器进行电连接的配线器。其包括用于与电机的三根相线分别相连的第一相线接头、第二相线接头和第三相线接头;用于与电机控制器的三根相线分别相连的第四相线接头、第五相线接头和第六相线接头;其中,第一相线接头与第四相...
一种辅助电机与电机控制器进行电连接的配线器制造技术
本实用新型涉及一种辅助电机与电机控制器进行电连接的配线器。其包括用于与电机的三根相线分别相连的第一相线接头、第二相线接头和第三相线接头;用于与电机控制器的三根相线分别相连的第四相线接头、第五相线接头和第六相线接头;其中,第一相线接头与第...
一种电动车控制器通用型功率MOSFET模块制造技术
本发明涉及一种电动车控制器通用型功率MOSFET模块,包括间隔并列布置成一排的六个独立封装单元,每个所述独立封装单元正面的芯片放置区中均设置有预设功率的MOSFET芯片,每个所述独立封装单元均具有两只侧管脚和一只中管脚;还包括将所述六个...
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