一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪制造技术

本实用新型专利技术涉及一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪，包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、PCB板、测试连接端口和设置在所述壳体上的LCD显示模块与操作钮；本实用新型专利技术中的手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪采用可循环充电锂电池供电，并配备有常用封装的功率MOSFET测试夹具，工程技术人员只需要将装载有高电压功率MOSFET的测试夹具插入测量接口，按下测量按钮即可测量高电压功率MOSFET的Ciss、Coss、Crss、Vth及Vds参数并在面板的LCD显示屏显示测量所得数据；整个测量过程方便、快捷、及时、准确、高效。手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪性价比高、易推广，在产品选型、产品设计的过程中为工程技术人员提供有价值的依据。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元件的参数测量领域，具体涉及一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪。
技术介绍
功率MOSFET器件是目前功率半导体开关器件中市场容量最大、需求增长最快的电子器件，同时也是最好的功率开关器件；随着功率MOSFET在电子产品中的广泛应用，型号规格繁多；针对不同电子产品应用，需要设计、选择不同参数的功率MOSFET，高电压功率MOSFET范围为450V≤Vds≤1000V。现有的高电压功率MOSFET测量仪主要是针对晶圆FAB厂、晶圆测试厂和封装厂批量测试高电压功率MOSFET而设计，具有复杂的工控电路和机械结构，采用市电供电方式，并以机台的形式存在。其价格昂贵，调试、维修困难，一般企业无力承担相关费用，使得众多MOSFET设计企业、MOSFET销售企业及电子产品生产厂商无法方便、快捷、及时的获得相应高电压功率MOSFET器件的Ciss、Coss、Crss、Vth及Vds参数为工程技术人员提供有价值的依据。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：提出一种结构简化且测量功能齐全的手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪。本技术为解决上述技术问题提出的技术方案是：一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪，包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、PCB板、测试连接端口和设置在所述壳体上的LCD显示模块与操作钮；所述PCB板上设有锂电池管理单元、LDO-A单元、LDO-B单元、1MHz信号源单元、DC/DC升压电源单元、自动平衡电桥模块、自由轴矢量发生器、信号调理单元和MCU模块；所述锂电池组为所述LDO-A单元、LDO-B单元和DC/DC升压电源单元供电，所述LDO-A单元分别为所述1MHz信号源单元、自动平衡电桥模块和信号调理单元供电，所述LDO-B单元分别为所述自由轴矢量发生器单元、MCU模块和LCD显示模块供电；所述1MHz信号源单元的信号输出到自动平衡电桥模块，所述自动平衡电桥模块的信号输出到信号调理单元，所述自由轴矢量发生器的信号输出到所述信号调理单元，所述信号调理单元的信号输出到MCU模块，所述MCU模块的信号输出到所述LCD显示模块，所述操作钮连接到所述MCU模块的控制信息输入端，所述MCU模块的控制端连接到所述自动平衡电桥模块，所述测试连接端口连接到所述自动平衡电桥模块；所述DC/DC升压电源单元用于产生直流偏置电压和击穿电压，所述直流偏置电压的可调范围为0V-55V，所述击穿电压的可调范围为450V-1100V，所述直流偏置电压和击穿电压分别加载至自动平衡电桥模块。进一步的，还包括用于夹持连接MOSFET不同封装体的测试夹具，所述测试夹具连接到所述测试连接端口。进一步的，所述操作钮包括电压调节旋钮、测量旋钮、电源按钮和复位按钮。本技术的有益效果是：本技术中的手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪采用可循环充电锂电池供电，并配备有常用封装的功率MOSFET测试夹具，工程技术人员只需要将装载有高电压功率MOSFET的测试夹具插入测量接口，按下测量按钮即可测量高电压功率MOSFET的Ciss、Coss、Crss、Vth及Vds参数并在面板的LCD显示屏显示测量所得数据；整个测量过程方便、快捷、及时、准确、高效。手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪性价比高、易推广，在产品选型、产品设计的过程中为工程技术人员提供有价值的依据。附图说明下面结合附图对本技术中的手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪作进一步说明。图1是本技术中手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪的外观结构示意图。图2是本技术中手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪的结构框图。具体实施方式实施例根据图1和图2所示，本技术中的手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪，包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、PCB板、测试连接端口和设置在壳体上的LCD显示模块与操作钮。PCB板上设有锂电池管理单元、LDO-A单元、LDO-B单元、1MHz信号源单元、DC/DC升压电源单元、自动平衡电桥模块、自由轴矢量发生器、信号调理单元和MCU模块，MCU模块为微处理器及其外围电路。LDO-A单元和LDO-B单元分别为低压差线性稳压器-A和低压差线性稳压器-B。其中，锂电池组为LDO-A单元、LDO-B单元和DC/DC升压电源单元供电。LDO-A单元产生±5V电压，分别为1MHz信号源单元、自动平衡电桥模块和信号调理单元供电，LDO-B单元分别为自由轴矢量发生器单元、MCU模块和LCD显示模块供电。锂电池管理单元用于锂电池组电量计算及充放电保护。1MHz信号源单元用于产生测量基准信号并将基准信号输出到自动平衡电桥模块，自动平衡电桥模块的信号输出到信号调理单元，自由轴矢量发生器的信号输出到信号调理单元，信号调理单元的信号输出到MCU模块，MCU模块的信号输出到LCD显示模块，操作钮连接到MCU模块的控制信息输入端，MCU模块的控制端连接到自动平衡电桥模块，测试连接端口连接到自动平衡电桥模块。自动平衡电桥模块用于信号转换。自由轴矢量发生器用于产生0°及90°相敏检波信号。信号调理单元用于调理相敏检波后的信号。MCU模块用于数据采集、处理并接受功能按键操作指令并做出相应测试条件设置后进行测量，并将测试数据结果通过LCD显示模块显示。DC/DC升压电源单元用于产生直流偏置电压和击穿电压，直流偏置电压的可调范围为0V-55V，击穿电压的可调范围为450V-1100V，直流偏置电压和击穿电压分别加载至自动平衡电桥模块。测量Ciss、Coss、Crss时，对高电压功率MOSFET施加直流偏置电压；测量Vds时，对高电压功率MOSFET施加击穿电压，且电路具有过流及短路保护功能。可以作为优选的是：还包括用于夹持连接MOSFET不同封装体的测试夹具，测试夹具连接到测试连接端口。可以作为优选的是：操作钮包括电压调节旋钮、测量旋钮、电源按钮和复位按钮。在使用时，电子工程技术人员将待测高电压功率MOSFET器件(待测器件简称DUT)放置入MOSFET测试夹具中(TO-220封装系列可直接插入测量连接端口，无需测量夹具)，并将测试夹具插入测量连接端口，打开电源开关，旋转直流偏置电压调节旋钮，将直流偏置电压设置为MOSFET数据手册的测试电压条件，测试电压值在LCD屏右下角显示，设置好后按下测试按键，即进行数据测试，测试结果将显示在LCD屏上。本技术的不局限于上述实施例，本技术的上述各个实施例的技术方案彼此可以交叉组合形成新的技术方案，另外凡采用等同替换形成的技术方案，均落在本技术要求的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪，其特征在于：包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、PCB板、测试连接端口和设置在所述壳体上的LCD显示模块与操作钮；所述PCB板上设有锂电池管理单元、LDO‑A单元、LDO‑B单元、1MHz信号源单元、DC/DC升压电源单元、自动平衡电桥模块、自由轴矢量发生器、信号调理单元和MCU模块；所述锂电池组为所述LDO‑A单元、LDO‑B单元和DC/DC升压电源单元供电，所述LDO‑A单元分别为所述1MHz信号源单元、自动平衡电桥模块和信号调理单元供电，所述LDO‑B单元分别为所述自由轴矢量发生器单元、MCU模块和LCD显示模块供电；所述1MHz信号源单元的信号输出到自动平衡电桥模块，所述自动平衡电桥模块的信号输出到信号调理单元，所述自由轴矢量发生器的信号输出到所述信号调理单元，所述信号调理单元的信号输出到MCU模块，所述MCU模块的信号输出到所述LCD显示模块，所述操作钮连接到所述MCU模块的控制信息输入端，所述MCU模块的控制端连接到所述自动平衡电桥模块，所述测试连接端口连接到所述自动平衡电桥模块；所述DC/DC升压电源单元用于产生直流偏置电压和击穿电压，所述直流偏置电压的可调范围为0V‑55V，所述击穿电压的可调范围为450V‑1100V，所述直流偏置电压和击穿电压分别加载至自动平衡电桥模块。...

【技术特征摘要】
1.一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪，其特征在于：包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、PCB板、测试连接端口和设置在所述壳体上的LCD显示模块与操作钮；所述PCB板上设有锂电池管理单元、LDO-A单元、LDO-B单元、1MHz信号源单元、DC/DC升压电源单元、自动平衡电桥模块、自由轴矢量发生器、信号调理单元和MCU模块；所述锂电池组为所述LDO-A单元、LDO-B单元和DC/DC升压电源单元供电，所述LDO-A单元分别为所述1MHz信号源单元、自动平衡电桥模块和信号调理单元供电，所述LDO-B单元分别为所述自由轴矢量发生器单元、MCU模块和LCD显示模块供电；所述1MHz信号源单元的信号输出到自动平衡电桥模块，所述自动平衡电桥模块的信号输出到信号调理单元，所述自由轴矢量发生器的信号输出到所述信号调理单元，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘治刚，
申请(专利权)人：晶科华兴集成电路深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44