本发明属于纳米材料领域，尤其是一种含氮半导体纳米材料的制备方法，针对现有含氮半导体纳米材料的制备方式较为单一，选择性较差的问题，现提出如下方案种含氮半导体纳米材料的制备方法，该方法包括以下步骤：微乳液法制备超细颗粒；将透明的水滴在油中(...

本发明公开了一种半导体材料的电解抛光装置，包括底板，所述底板的上端侧壁上固定连接有装置座，所述装置座的上端设有电解池；本发明还提出了一种半导体材料的电解抛光方法，包括以下步骤：S1，对多个待抛光半导体材料的阳极均进行电解抛光前的准备，对...

本发明公开了一种用来减小半导体材料尺寸的新型装置，包括密封盒，密封盒内侧的顶壁和底壁上对称固定安装有两个轴承，两个轴承相对的一端均可转动插设有环形转轴，两个环形转轴相对一端均固定安装有固定块，两个固定块相对一侧的外侧壁上均插设有第一活动...

本发明属于半导体领域，尤其是一种用于半导体材料的激光打孔切割系统，针对现有的切割产生的废料飞溅影响红外测距传感器的精度，利用X/Y轴不方便进行打孔操作的问题，现提出如下方案，其包括底座，所述底座的上端侧壁固定连接有安装座，所述安装座为中...

本发明涉及第三代半导体材料技术领域，尤其涉及一种面向第三代半导体材料的加工装置，针对现有技术一体化程度低，转换速度慢等的问题，先提出如下解决方案，包括包括加工台，所述加工台内设有腐蚀室、清洗室以及烘干室，所述加工台的底部内设有安装腔，所...

本发明公开了一种改进型半导体材料生产技术设备，包括加工室，加工室内设有打磨机，打磨机一侧的外侧壁上固定安装有连接块，连接块上螺纹连接有第一螺纹杆，且第一螺纹杆贯穿连接块设置，加工室顶端的内侧壁上固定安装有第一电机，第一电机的输出端固定安...

本发明公开了一种用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉，包括底座，所述底座的上端面的左侧固定连接有炉体，所述炉体上盘绕有冷却管，所述底座的上端面的右侧固定连接有储水槽，所述储水槽上端设置有冷却机构，所述冷却机构包括冷却箱体，所述冷却箱体的上...