湖北京邦科技有限公司专利技术

湖北京邦科技有限公司共有30项专利

  • 本实用新型公开了一种半导体装置和光电探测系统,该半导体装置可以包括:外延层,其包括呈第一导电类型的第一部分和第二部分,并且在第一部分中的远离第二部分的一侧形成有呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、以及呈第一导...
  • 本实用新型公开了一种半导体装置和光电探测系统,该半导体装置可以包括:衬底;外延层,其位于所述衬底的上方,并且与所述衬底均呈第一导电类型;第一掺杂区,其形成于所述外延层中的远离所述衬底的一侧,呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型,并且通...
  • 本实用新型公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置和成像系统,该硅光电倍增器包括一个像素单元或并联连接的多个像素单元,每个像素单元均包括雪崩光电二极管以及淬灭晶体管,其中,多个像素单元中的雪崩光电二极管的阳极或阴极并联连接以构成硅光电倍增器...
  • 本实用新型公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统,该硅光电倍增器包括:雪崩光电二极管阵列,其包括第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管,并且第二雪崩光电二极管设置在第一雪崩光电二极管的外围,以将第一雪崩光电二极管与第一电极间隔开...
  • 本申请公开了一种光电探测装置的制造方法,其包括:在所制备的衬底上生长出外延层,其中,外延层和衬底均呈第一导电类型;在外延层中的远离衬底的一侧形成呈与第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区和第二掺杂区以及呈第一导电类型的第三掺杂区,其...
  • 本申请公开了一种光电探测装置的制造方法,包括:在所制备的第一衬底上生长出外延层,在外延层中的远离第一衬底的一侧形成第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区,其中,第二掺杂区位于第一掺杂区与第三掺杂区之间;在外延层的一侧上方形成反射结构;对第...
  • 本申请公开了一种半导体装置和光电探测系统,该半导体装置可以包括:衬底;外延层,其位于所述衬底的上方,并且与所述衬底均呈第一导电类型;第一掺杂区,其形成于所述外延层中的远离所述衬底的一侧,呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型,并且通过所...
  • 本申请公开了一种半导体装置和光电探测系统,该半导体装置可以包括:外延层,其包括呈第一导电类型的第一部分和第二部分,并且在第一部分中的远离第二部分的一侧形成有呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、以及呈第一导电类...
  • 本申请公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置和成像系统,该硅光电倍增器包括一个像素单元或并联连接的多个像素单元,每个像素单元均包括雪崩光电二极管以及淬灭晶体管,其中,多个像素单元中的雪崩光电二极管的阳极或阴极并联连接以构成硅光电倍增器的阳...
  • 本申请公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统,该硅光电倍增器包括:雪崩光电二极管阵列,其包括第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管,并且第二雪崩光电二极管设置在第一雪崩光电二极管的外围,以将第一雪崩光电二极管与第一电极间隔开;淬...
  • 本实用新型公开了振荡装置和包括该振荡装置的时间数字转换系统。该振荡装置包括:第一振荡器,其包括相互连接的第一延迟单元和第一逻辑门电路;第二振荡器,其包括相互连接的第二延迟单元和第二逻辑门电路,其中,所述第一延迟单元与延迟电路中的第一延迟...
  • 本实用新型公开了延迟电路和包括该延迟电路的半导体装置。该延迟电路包括:第一延迟锁定环,其包括与时钟信号输入端连接的且由第一组延迟单元构成的第一延迟链;以及第二延迟锁定环,其包括与时钟信号输入端连接的且由相互连接的第二组延迟单元和第三组延...
  • 本实用新型公开了多通道时间数字转换器和光电探测装置,该多通道时间数字转换器可以包括多个计时通道,并且每个计时通道均包括:用于接收待测时间信号的第一输入端、用于接收参考电压信号的第二输入端、用于接收参考时钟信号的第三输入端、以及用于输出通...
  • 本实用新型公开了信号处理电路和包括该信号处理电路的光电探测系统,该信号处理电路包括:第一级运算放大器,其包括与光电探测器阵列中的至少一组光电探测器对应的至少一个第一运算放大器;无源装置,所述光电探测器阵列中的每一组所述光电探测器通过其耦...
  • 本实用新型公开了脉冲产生装置和包括该脉冲产生装置的芯片,该脉冲产生装置可以包括:第一逻辑电路,其包括接收触发信号的第一输入端、第一重置端、输出响应于触发信号而产生的脉冲信号的第一输出端以及第二输出端,其中,在第一逻辑电路处于稳定状态时,...
  • 本申请实施例公开了信号处理电路和包括该信号处理电路的光电探测系统,该信号处理电路包括:第一级运算放大器,其被配置为对光电探测器阵列输出的电信号的幅值进行叠加处理,并且包括与所述光电探测器阵列中的至少一组光电探测器对应的至少一个第一运算放...
  • 本申请公开了延迟电路和包括该延迟电路的半导体装置。该延迟电路包括:第一延迟锁定环,其包括与时钟信号输入端连接的且包含第一组延迟单元的第一延迟链,并且第一组延迟单元中的一个第一延迟单元被配置为向外部输出第一延迟信号;第二延迟锁定环,其包括...
  • 本申请实施例公开了多通道时间数字转换器和光电探测装置,该多通道时间数字转换器可以包括多个计时通道,并且每个计时通道均包括:第一输入端,其用于接收待测时间信号;第二输入端,其用于接收参考电压信号;第三输入端,其用于接收参考时钟信号;以及时...
  • 本申请实施例公开了脉冲产生装置和包括该脉冲产生装置的芯片,该脉冲产生装置可以包括:第一逻辑电路,其包括接收触发信号的第一输入端、第一重置端、输出响应于触发信号而产生的脉冲信号的第一输出端以及第二输出端,其中,在第一逻辑电路处于稳定状态时...
  • 本申请实施例公开了时间校正方法、装置、系统及计算机存储介质,该方法包括:剔除所获取的第一计数集合中的符合第一预设条件的第一计数,并且剔除第二计数集合中的与所剔除的第一计数对应的第二计数,其中,第一计数和第二计数分别是TDC产生的粗计数和...