半导体装置和光电探测系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体装置和光电探测系统，该半导体装置可以包括：外延层，其包括呈第一导电类型的第一部分和第二部分，并且在第一部分中的远离第二部分的一侧形成有呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、以及呈第一导电类型的第三掺杂区，其中，第二掺杂区位于第一掺杂区与第三掺杂区之间，并且第二部分、第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区的掺杂浓度均大于第一部分的掺杂浓度，并且通过第一掺杂区形成该半导体装置的输出端；钝化层，其位于第一部分的一侧上方，并且其内部形成有与第一掺杂区对应的反射区。通过利用本实用新型专利技术提供的技术方案，可以提高对波长较长的光子的探测效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和光电探测系统
本技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体装置和光电探测系统。
技术介绍
本部分的描述仅提供与本技术公开相关的背景信息，而不构成现有技术。低通量光子探测技术是一种可探测较低光通量密度(例如，10-19～10-6W/mm2)的光信号的光子探测技术，其可应用于许多领域，例如，医学成像(特别是，正电子发射断层成像(PET))、国土安全、高能物理实验和其它成像等关键领域。在低通量光子探测
中，硅光电倍增器(SiliconPhotomultiplier,简称SiPM)由于具有较高的探测效率、卓越的单光子响应和分辨能力、体积小、易于集成、工作电压低、不受磁场干扰、可靠性好、成本低廉等诸多优点而在近年来受到很大关注。现有的硅光电倍增器的截面结构如图1所示，其主要包括：P型衬底或外延层，其上形成有深N阱(DNW)，在DNW中间形成有若干N阱(NWELL)，在NWELL上方形成有P+型掺杂区，各个P+型掺杂区通过浅沟槽隔离(STI)区间隔开，在DNW边缘处形成有NWELL以及N+型掺杂区；以及衬底电极，其由在P型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：/n外延层，其包括呈第一导电类型的第一部分和第二部分，并且在所述第一部分中的远离所述第二部分的一侧形成有呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、以及呈所述第一导电类型的第三掺杂区，其中，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间，并且所述第二部分、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区的掺杂浓度均大于所述第一部分的掺杂浓度，并且通过所述第一掺杂区形成所述半导体装置的输出端；/n钝化层，其位于所述第一部分的所述一侧上方，并且其内部形成有与所述第一掺杂区对应的反射区。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：
外延层，其包括呈第一导电类型的第一部分和第二部分，并且在所述第一部分中的远离所述第二部分的一侧形成有呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、以及呈所述第一导电类型的第三掺杂区，其中，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间，并且所述第二部分、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区的掺杂浓度均大于所述第一部分的掺杂浓度，并且通过所述第一掺杂区形成所述半导体装置的输出端；
钝化层，其位于所述第一部分的所述一侧上方，并且其内部形成有与所述第一掺杂区对应的反射区。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：
防护层，其设置在所述钝化层中的与所述外延层相对的一侧。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二部分通过在所述第一部分中的远离所述钝化层的一侧掺入第一掺杂材料来制备。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第三掺杂区位于所述外延层的两侧边缘处。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述反射区内填充有金属材料或多层结构的介电材料。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，当所述半导体装置处于工作状态时，在所述第一掺杂区与所述外延层内的位于所述第一掺杂区下方的对应区域之间形成的第一PN结中的第一耗尽区和/或在所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玺，徐青，王麟，
申请(专利权)人：湖北京邦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42