一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：在刚性衬底表面沉积牺牲层，在牺牲层表面涂敷柔性基底；在柔性基底表面沉积绝缘层，将石墨烯薄膜转移至绝缘层表面，对石墨烯薄膜进行刻蚀，得到石墨烯阵列电极；将硫化钼薄膜转移至石墨烯阵列电极表面，将硫化钼薄膜刻蚀为多个规则图形，构成柔性器件阵列；将柔性器件阵列从刚性衬底剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器。本发明专利技术制备得到的仿视网膜成像的硫化钼光探测器，可以同时满足柔性、球面共形、空间变分辨率成像的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法
本专利技术属于微纳制造与光电子器件领域，更具体地，涉及一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法。
技术介绍
光电探测成像技术广泛应用于军事装备、工业生产、医学诊断等领域。仿视网膜成像传感器在全景成像与人工视觉等领域具有广阔的应用前景。仿视网膜成像器件的发展和应用，对光探测成像与柔性电子制造技术的发展具有重要的创新价值。半导体是电子信息产业的基石。随着晶体管特征尺寸的缩小，传统的IV族与III-V族半导体(例如硅和砷化镓)由于短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，使用其制备仿视网膜成像传感器，难以同时满足柔性、球面共形、空间变分辨率成像的要求。
技术实现思路
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本专利技术提供了一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法，由此解决现有技术存在难以同时满足柔性、球面共形、空间变分辨率成像的要求的技术问题。为实现上述目的，按照本专利技术的一个方面，提供了一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器的制备方法，包括如下步骤：r>(1)在刚性衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)在刚性衬底表面沉积牺牲层，在牺牲层表面涂敷柔性基底；/n(2)在柔性基底表面沉积绝缘层，将石墨烯薄膜转移至绝缘层表面，对石墨烯薄膜进行刻蚀，得到石墨烯阵列电极；/n(3)将硫化钼薄膜转移至石墨烯阵列电极表面，将硫化钼薄膜刻蚀为多个规则图形，构成柔性器件阵列；/n(4)将柔性器件阵列从刚性衬底剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器。/n

【技术特征摘要】
1.一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在刚性衬底表面沉积牺牲层，在牺牲层表面涂敷柔性基底；
(2)在柔性基底表面沉积绝缘层，将石墨烯薄膜转移至绝缘层表面，对石墨烯薄膜进行刻蚀，得到石墨烯阵列电极；
(3)将硫化钼薄膜转移至石墨烯阵列电极表面，将硫化钼薄膜刻蚀为多个规则图形，构成柔性器件阵列；
(4)将柔性器件阵列从刚性衬底剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器。


2.如权利要求1所述的一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器的制备方法，其特征在于，所述硫化钼薄膜的厚度为0.1nm-0.2nm。


3.如权利要求1所述的一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器的制备方法，其特征在于，所述柔性器件阵列的单位成像单元由一个规则图形与其两端连接的石墨烯阵列电极组成。


4.如权利要求1或2所述的一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中剥离的具体实现方式为：刻蚀牺牲层或刻蚀刚性衬底。


5.如权利要求1或2所述的一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙博，张许宁，廖广兰，王子奕，刘智勇，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42