波导型GePb红外光电探测器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及光电子技术领域，尤其涉及一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。所述波导型GePb红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge

【技术实现步骤摘要】
波导型GePb红外光电探测器及其制造方法
本专利技术涉及光电子
，尤其涉及一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。
技术介绍
光电探测器用途广泛，涵盖军事和国民经济的各个领域，如在可见光和短波红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等。红外光电探测器在通信、夜视、制导、天文观测、生物医疗等领域都有着广泛的应用。现今常用的红外探测器主要为Ⅲ-Ⅴ族材料光电探测器和Ⅱ-Ⅴ族材料光电探测器。然而，Ⅲ-Ⅴ族材料和Ⅱ-Ⅴ族材料存在与Si基CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)标准工艺平台不兼容的问题，增加了器件成本，降低了器件可靠性。相较于传统的Ⅲ-Ⅴ族红外光电探测器和Ⅱ-Ⅴ族红外光电探测器，IV族红外光电探测器因其在制备工艺上与Si基CMOS工艺兼容，具有体积小、易集成、低成本、高性能等潜在优势。基于Si衬底或者SOI(SiliconOnInsulator，绝缘体上硅)衬底的Ge光电探测器在通讯及传感领域获得了广泛应用。然而，单一的Ge材料在波长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波导型GePb红外光电探测器，其特征在于，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge

【技术特征摘要】
1.一种波导型GePb红外光电探测器，其特征在于，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge1-xPbx，其中，0<x<1；所述波导层中的光信号通过倏逝波耦合进入所述器件结构。


2.根据权利要求1所述的波导型GePb红外光电探测器，其特征在于，所述器件结构还包括：
位于所述下接触层与所述吸收层之间的第一缓冲层；
位于所述吸收层与所述上接触层之间的第二缓冲层。


3.根据权利要求2所述的波导型GePb红外光电探测器，其特征在于，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层的材料均为Ge或者SiGe。


4.根据权利要求1所述的波导型GePb红外光电探测器，其特征在于，所述波导层的材料为硅；所述下接触层的材料为具有第一掺杂离子的硅材料；所述上接触层的材料为具有第二掺杂离子的Ge材料，且所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反。


5.根据权利要求1所述的波导型GePb红外光电探测器，其特征在于，0.001<x<0.02。


6.一种波导型GePb红外光电探测器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供硅衬底；
形成波导层于所述硅衬底表面；
形成器件结构于所述硅衬底表面，所述器件结构包...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪巍，方青，涂芝娟，曾友宏，蔡艳，王庆，王书晓，余明斌，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31