一种可见光与红外双波段光输运管探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法，包括：在水表面制备金属纳米球阵列；将Ge衬底置于水中，并提取承载有金属纳米球阵列的Ge衬底；对承载有金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理，得到层叠设置的Ge衬底和金属纳米球阵列；在具有金属纳米球阵列的Ge衬底的一面生长SiO

【技术实现步骤摘要】
一种可见光与红外双波段光输运管探测器及其制备方法
本专利技术属于探测器
，具体涉及一种可见光与红外双波段光输运管探测器及其制备方法。
技术介绍
在光探测领域，探测器的响应度一直是衡量探测器性能的重要指标之一。尤其是在弱光的情况下，响应度越高代表输出的电信号越强，信息读取准确度越高，其中，响应度为光电转换器的平均输出电流Ip与光电转换器的平均输入功率Po的比值，即输出电信号电流大小与输入光信号功率大小之比，用公式表示为：R＝Ip/Po，单位为A/W。目前能实现高响应度的探测器包括雪崩光电探测器、光电导探测器以及光输运管探测器。但是除了探测器响应度，能实现多波段探测功能也是衡量探测器性能的重要标准。多波段探测是直在同一探测器上实现两个或两个以上波段探测的功能。综合不同波段的信息，能有效提升信息传输速度，提高探测准确度。目前能实现多波段的探测器有异质结探测器和肖特基探测器。现有技术在兼容高响应度与多波段探测时，不能实现多波段全高响应度，只能实现单一波段的高响应度，限制了探测器性能及功能的提升。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法，其特征在于，包括：/n在水表面制备按照预设方式排列的金属纳米球阵列；/n将Ge衬底置于所述水中，并提取承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底；/n对承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理，得到层叠设置的所述Ge衬底和所述金属纳米球阵列；/n在具有所述金属纳米球阵列的所述Ge衬底的一面生长SiO

【技术特征摘要】
1.一种可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法，其特征在于，包括：
在水表面制备按照预设方式排列的金属纳米球阵列；
将Ge衬底置于所述水中，并提取承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底；
对承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理，得到层叠设置的所述Ge衬底和所述金属纳米球阵列；
在具有所述金属纳米球阵列的所述Ge衬底的一面生长SiO2材料，直至所述SiO2材料将所述金属纳米球阵列完全包覆，得到SiO2层；
在所述SiO2层上制备MoS2层；
在所述MoS2层上制备第一正面电极和第二正面电极；
在所述Ge衬底下表面制备背面电极。


2.根据权利要求1所述的可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法，其特征在于，在水表面制备按照预设方式排列的金属纳米球阵列，包括：
将纳米球与水的混合液倒置在培养皿中；
向所述培养皿中加入正丁醇，形成水与正丁醇界面；
等待预设时间后在所形成的所述水与正丁醇界面的水与正丁醇之间形成按照所述预设方式排列的金属纳米球阵列；
抽取所述正丁醇，在水表面制备按照所述预设方式排列的金属纳米球阵列。


3.根据权利要求1所述的可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法，其特征在于，将Ge衬底置于所述水中，并提取承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底，包括：
选取所述Ge衬底；
利用化学试剂对所述Ge衬底进行化学清洗；
将所述Ge衬底置于所述水中，并提取承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底。


4.根据权利要求1所述的可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法，其特征在于，对承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理，得到层叠设置的所述Ge衬底和所述金属纳米球阵列，包括：
在200-400℃温度条件下，对承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理，得到层叠设置的所述Ge衬底和所述金属纳米球阵列。


5.根据权利要求1所述的可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法，其特征在于，在具有所述金属纳米球阵列的所述Ge衬底的一面生长SiO2材料，直至所述SiO2材料将...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利明，孟令尧，孙浩，尤杰，胡辉勇，王斌，韩本光，舒斌，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61