【技术实现步骤摘要】
一种TFT工艺制作的光电传感器、制备方法及电子设备
本专利技术涉及指纹识别
，尤其涉及光学指纹识别领域。
技术介绍
指纹识别是一种生物识别方式，尤其在电子设备领域广泛运用。目前，指纹识别中比较常见的为电容指纹识别和光学指纹识别。这两种指纹识别在目前的市场上均已有大量的产品面市。在光学指纹识别领域中，半导体工艺制作的感光指纹识别芯片配合光学组件所作为的光学指纹识别模组较为常见，也已经在不少电子设备，例如智能手机中得到了较为广泛的应用。目前光学指纹模组在已知的应用中，仅局限于特定的区域进行指纹识别。而且此特定区域的面积不会很大，可能仅能容纳一个手指的大小。对于大面积的指纹识别，例如，可以放两个或者多个手指；或者不再局限于特定的区域进行指纹识别时，半导体工艺制作的感光指纹识别芯片需要多颗来完成较大区域的指纹识别。因此，在大面积的指纹识别中，采用多颗半导体工艺制作的感光指纹识别芯片会让光学指纹模组的成本大幅度上升，而阻碍其在大面积光学指纹识别的应用。而利用TFT工艺制作感光识别光电传感器时，较易实现大面...
【技术保护点】
1.一种TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，包括多个感光像素单元，每个所述感光像素单元设置在基板上；每个所述感光像素单元均包括：/n薄膜晶体管，具有栅极、栅极绝缘层、有源层和位于有源层两侧的源极和漏极；和感光二极管，具有第一电极层、感光区域和第二电极层，所述感光区域设置于第一电极层和第二电极层之间；/n其中，所述感光二极管的第一电极层与所述薄膜晶体管的源极/漏极电性连接；所述感光二极管的感光区域至少部分覆盖至所述薄膜晶体管表面。/n
【技术特征摘要】
1.一种TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，包括多个感光像素单元，每个所述感光像素单元设置在基板上；每个所述感光像素单元均包括：
薄膜晶体管，具有栅极、栅极绝缘层、有源层和位于有源层两侧的源极和漏极；和感光二极管，具有第一电极层、感光区域和第二电极层，所述感光区域设置于第一电极层和第二电极层之间；
其中，所述感光二极管的第一电极层与所述薄膜晶体管的源极/漏极电性连接；所述感光二极管的感光区域至少部分覆盖至所述薄膜晶体管表面。
2.如权利要求1所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管紧贴所述基板制作，所述感光二极管形成于所述薄膜晶体管上方而靠近所述光电传感器表面。
3.如权利要求1所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层表面至所述光电传感器表面之间介质层为透光材料。
4.如权利要求3所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述介质层包括所述感光二极管的第一电极层、感光区域和第二电极层。
5.如权利要求1所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层材料为氧化铟镓锌膜。
6.如权利要求5所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：沟道保护层，设置于所述有源层表面。
7.如权利要求6所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述栅绝缘层和所述沟道保护层均包括氧化硅层，且所述氧化硅层均紧贴所述有源层设置。
8.如权利要求1所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述感光二极管的第二电极层与所述光电传感器的外围芯片电性连接。
9.如权利要求8所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述感光二极管的表面设置有引线层，所述引线层将所述感光二极管的第二电极层与所述外围芯片连通。
10.如权利要求9所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述引线层在所述基板上的投影至少部分覆盖所述薄膜晶体管。
11.如权利要求10所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述引线层表面覆盖有所述光电传感器的绝缘保护层。
12.如权利要求10所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述引线层为透明导电的ITO材料。
13.如权利要求1-12任一所述的TFT工艺制作的光电传感器，其特征在于，所述基板的材料为玻璃或柔性聚酰亚胺。
14.一种TFT工艺的光电传感器的制作方法，其特征在于，所述光电传感器为权利要求1至13中任一项所述的光电传感器，所述制作方法包括：
在所述基板上形成薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙云刚，
申请(专利权)人：上海思立微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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