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本发明的目的是提供一种TFT工艺制作的光电传感器、制备方法及电子设备。本发明的光电传感器中,每个感光像素单元中的感光二极管的感光区域至少部分覆盖至薄膜晶体管表面,使得感光像素单元中感光区域面积增大,实现了更高填充比例的感光层像素设计。另外,...该专利属于上海思立微电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海思立微电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明的目的是提供一种TFT工艺制作的光电传感器、制备方法及电子设备。本发明的光电传感器中,每个感光像素单元中的感光二极管的感光区域至少部分覆盖至薄膜晶体管表面,使得感光像素单元中感光区域面积增大,实现了更高填充比例的感光层像素设计。另外,...