一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器及制备方法，其中，探测器包括：衬底；二氧化硅介质层，设于衬底上；InAsSb纳米线，外部包覆Al

【技术实现步骤摘要】
一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器及制备方法
本专利技术涉及纳米线红外光电探测器研究领域，尤其是涉及一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器及制备方法。
技术介绍
针对中红外波段的探测，对于红外热成像、非接触测量、资源勘查、遥感测量、医学影像、深空探测与科学研究等领域具有重大意义，与国民经济和国防安全密切相关。中波红外是电磁波辐射在大气传输中透过率较高的窗口。利用此波段进行探测，有利于获得目标对象更强更远的反射或辐射电磁信息。现阶段，探测中红外最具成熟的方案采用半导体中红外光电探测器，这类探测器具有固态、体积小、可靠性高与规模化效益等优特点，成为全球重要国家与机构的研究热点。当前被广泛研究的半导体中红外光电探测器，大多数主要基于锑化铟，碲镉汞及砷化铟-锑化镓II类超晶格等材料体系。尽管此类器件已广泛地应用于生产生活中，然而这些器件在实际应用当中存在两个严重缺陷，其一是需要低温制冷条件才能取得较高信噪比等优异探测性能，其二是单个芯片的探测波长覆盖范围有限，不利于多光谱与超光谱成像等应用。为解决这些缺陷，可以开发一些借助外围设备或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器，其特征在于，包括：/n衬底(1)；/n二氧化硅介质层(2)，设于衬底(1)上；/nInAsSb纳米线(3)，外部包覆Al

【技术特征摘要】
1.一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器，其特征在于，包括：
衬底(1)；
二氧化硅介质层(2)，设于衬底(1)上；
InAsSb纳米线(3)，外部包覆Al2O3介质层(4)并设于二氧化硅介质层(2)上；所述InAsSb纳米线(3)一端引出有第一电极(3-1)，另一端引出有第二电极(3-2)；
铁电薄膜栅(5)，旋涂在Al2O3介质层(4)上；
透明栅电极(6)，设置于铁电薄膜栅(5)顶部。


2.根据权利要求1所述的一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器，其特征在于：所述衬底(1)为硼重掺杂且电阻率小于0.05Ω·cm的硅衬底。


3.根据权利要求1所述的一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器，其特征在于：所述InAsSb纳米线(3)直径小于80nm，长度大于4μm，Sb组分为10％。


4.根据权利要求所述1的一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器，其特征在于：所述二氧化硅介质层(2)厚度为280-290nm；所述Al2O3介质层(4)厚度为25-35nm。


5.一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；
步骤一、提供一基底；
步骤二、在基底上合成生长出InAsSb纳米线(3)；
步骤三、对InAsSb纳米线(3)进行初步钝化处理；
步骤四、对InAsSb纳米线(3)进行二次钝化处理，在InAsSb纳米线(3)表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：余晨辉，徐腾飞，陈红富，沈倪明，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32