一种包含辐射敏感的酸生成剂和聚合物的正型光刻胶组合物，该聚合物可以包括衍生自包括氟磺酰胺官能团的磺酰胺单体的第一重复单元，和可以包括侧挂的对酸不稳定的部分的第二重复单元。所述正型光刻胶组合物可以还包含溶剂、猝灭剂和表面活性剂中的至少一种...

一种嵌入式衰减相移光掩模坯料，采用由金属、硅、氮和氧制成的光透射膜形成，产生透光的相移。增加刻蚀阻挡层以提高相移层的刻蚀选择性。通过该工艺获得宽范围的光透射（在１５７ｎｍ，０．００１％至１５％）。

以存在具有生色基团和透明基团的含ＳｉＯ聚合物为特征的抗反射组合物是在平版印刷工艺中很有用的抗反射硬掩膜组合物。这些组合物提供了突出的光学、机械和蚀刻选择性能而同时又可用旋涂技术涂布。本发明的该组合物可有效地应用于更短波长的平版印刷工艺和...

一种能够用１９３ｎｍ射线和／或可能的其他射线成像并且能够显影形成显影性能和抗蚀性均得以改善的抗蚀剂结构的酸催化正抗蚀剂组合物，可以通过使用含成像聚合物组分的抗蚀剂组合物得到，成像聚合物组分包含具有单体单元的酸敏性聚合物，这些单体单元具有...

一种单片光学薄膜及其制作方法，用来在光刻工艺期间保护光掩模。此单片光学薄膜是由膜片的凹进中间部分与其边框整体形成一体的光学膜。单片光学薄膜含有足够刚性的材料，当所用凹进部分的厚度能在所得单片光学薄膜受力下防止其下垂时，使膜片畸变最小和最...

使用具有丙烯酸酯／甲基丙烯酸酯单体单元的聚合物获得了可在低的能级下用１９３ｎｍ照射（并且可能是其他的照射）成像的酸催化的正性抗蚀剂组合物，其中该单体单元包括优选连接到萘酯基团上的低活化能部分。该抗蚀剂允许了具有低活化能的丙烯酸酯／甲基丙...

一种用于纳米光刻技术的方法（和装置），包括向半硬掩模或模板的表面和光致抗蚀剂覆盖的工件的部分表面中的至少一个施加气动压力，和通过施加气动压力，将图案从掩模转印到工件上。

本发明公开了一种包含一种聚合物的光刻胶组合物，该聚合物包括至少一种具有下列结构的单体：其中，Ｒ↓［１］选自氢（Ｈ）、具有１～２０个碳原子的线形、支化或环状烷基、半氟化或全氟化的具有１～２０个碳原子的线形、支化或环状烷基、以及ＣＮ；Ｒ↓［...

一种评估多次曝光光刻工艺的工艺结果的方法，首先独立地确定多次曝光工艺的各曝光步骤或工艺的一组期望图像（组１，组２），然后通过由来自后面的曝光步骤的加权图像（组２）调整来自第一或在前的曝光步骤的图像（组１），来获得复合图像组（最终组）。优...

使用具有含萘酚酯基团的丙烯酸酯／甲基丙烯酸酯单体单元的聚合物获得了可用１９３ｎｍ照射成像的酸催化的正性抗蚀剂组合物。该抗蚀剂可任选含有具有带含氟官能团的丙烯酸酯／甲基丙烯酸酯单体单元的聚合物。与常规含氟１９３ｎｍ的抗蚀剂相比，含有具有含...

一种抗蚀剂组合物，其具有酸敏性成像聚合物和辐射敏感性产酸剂组分，该辐射敏感性产酸剂组分包括：（ｉ）第一辐射敏感性产酸剂，其选自抑制溶解的产酸剂，和（ｉｉ）第二辐射敏感性产酸剂，其选自不受保护的酸基官能化产酸剂和受酸不稳定基团保护的酸基官...

公开了一种负性抗蚀剂组合物，其中抗蚀剂组合物包括一种含有至少一种具有右面两种通式之一的氟氨磺酰单体单元的聚合物：其中：Ｍ是可聚合的骨架部分；Ｚ是选自－Ｃ（Ｏ）Ｏ－，－Ｃ（Ｏ）－，－ＯＣ（Ｏ）－，－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｃ（Ｏ）－Ｏ－或烷基的连接...

一种在衬底上测量尺寸的方法，包括以下步骤：提供标称图形，所述标称图形包括在主方向上具有主间距周期Ｐ的部件阵列，其中所述标称图形由沿所述主方向以所述周期Ｐ重复的标称特征尺寸表征，以及所述标称特征尺寸具有沿与所述主方向垂直的方向的预定变 ...

通过使用结合包括室温固体碱和液体低蒸气压碱的碱添加剂，获得即使在困难的基材上也具有良好起脚性能的抗蚀剂组合物。该组合物尤其在金属基材如通常用于掩模制造的含铬层上有用。

一种形成多个掩膜的方法，包括：　　　　创建包含一个或多个对准特征的参考模板；　　　　使用光刻在用于给定芯片组的所有多个掩膜空白上印刷所述参考模板的至少一个拷贝；和　　　　在所述多个掩膜空白的每一个上印刷子图案，并且将所述子图案与所述至少...

本发明涉及浸没式光刻曝光系统及探测其中异物的方法。具体地，本发明的实施方式提出了用于在浸没式光刻曝光机中探测颗粒或气泡的照明光的系统和方法等。更具体地，这里的实施方式提供了浸没式光刻曝光系统，其包括：用于保持晶片的晶片保持器、用于覆盖该...

一种方法，包括：　　　　在已完成的半导体设计中对不含所设计的形状的区域定位；　　　　在所述区域中以预定的最终密度生成虚拟填充形状；　　　　调整所生成的虚拟填充形状的尺寸，使得其局部密度被增大到预定值；以及　　　　对所述虚拟填充形状建立相...

一种检查系统使用偏倚以补偿失配的检查数据，所述失配发生作为使用操作在不同于检查系统用以检查所述掩模的缺陷的光的波长的光的波长处的光学光刻系统印刷交替相移掩模的结果。

提供了用于制造光掩模例如玻璃上铬光掩模和相移光掩模的方法。在制造方法中的选择性的主铬蚀刻和选择性的铬过蚀刻提供了具有改善的图像质量的光掩模，并且在当前的工艺流程和制造步骤内提供了跨光掩模的标称图像尺寸控制和图像尺寸均匀性。选择性的蚀刻方...

一种压印平版印刷的方法（和装置），包括通过具有图形的掩模将图形压印在基板上的抗蚀剂层中；以及使覆层覆盖在压印的抗蚀剂层上面。覆层的一部分用作硬掩模，用于随后的处理。