本发明涉及在打印时估计墨水／墨粉覆盖率的方法和系统。总的来说，本发明提供了一种用于计算打印在压缩数据流中定义的打印数据所需的墨粉覆盖率的量的估计值的方法、装置和程序产品。通过从数据流的部分解压缩形式获得覆盖率数据并用它来获得覆盖率估计值...

一种用于电子衬底的无接触电测试的装置，包括：　　　　至少一个电子衬底（２０），具有在所述电子衬底（２０）的顶侧上的顶表面导电部件（２２），所述顶表面导电部件（２２）与在所述电子衬底（２０）的底侧上的底表面导电部件（２３）电接触；　　　　...

具有低硅排气和高分辨率光刻性能的含硅抗蚀组合物，特别可在使用１９３ｎｍ或更短波长成像辐射的双层或多层光刻应用中，可通过存在具有含硅的酸稳定侧基的成像聚合物而成为可能。本发明的抗蚀组合物优选还在于基本上没有含硅的酸不稳定部分。

本发明提供使用压印光刻的纳米结构的布置的方法（和系统），包括将包含具有预定特性的添加物的混合物涂敷到衬底上；使衬底和包含起伏结构的模板中的一个与所述衬底和包含起伏结构的所述模板中的另一个相互接触；将所述模板的起伏结构转印到可图案化材料中...

本文公开了一种方法，它用简单的、对环境无害的有机化合物ｒ－丁内酯和苄醇来显影和剥离可游离基引发的加成聚合的光刻胶，阳离子固化的光刻胶和焊接护膜以及Ｖａｃｒｅｃ感光树脂。本发明也提供了一种在一种活性生物物质中处理汇合的显影剂和剥离剂漂洗液...

公开了气相淀积的ＢＡＲＣ和制备基于非晶碳薄膜的可调且可去除的抗反射涂层的方法。这些薄膜可以是氢化的、氟化的氮化的碳薄膜。该薄膜具有在ＵＶ和ＤＵＶ波长，具体地３６５、２４８和１９３ｎｍ波长，分别从约１．４到约２．１和从约０．１到约０．６可...

采用环烯烃聚合物、光敏生酸剂与对１９３ｎｍ辐射基本透明的大量疏水性添加剂的混合物制备了酸催化的正性光刻胶组合物，其可借助１９３ｎｍ的辐射成像并且可显影以形成高分辨率和高耐刻蚀性的光刻结构。环烯烃聚合物含有ｉ）带有能促进在碱性水溶液中溶解...

一种酸催化正型光刻胶组合物，它可以用１９３ｎｍ波长射线成像，而且可以显影形成高分辨及高抗蚀性的光刻胶结构物，所述组合物可以采用环烯烃聚合物、光敏产酸剂及饱和甾族化合物组份的混合物。所述环烯烃聚合物优选含有：ｉ）带有极性官能团的环烯烃单元...

一种酸催化正型光刻胶组合物，它可以用１９３ｎｍ波长射线成像，而且可以显影形成高分辨及高抗蚀性的光刻胶结构物，所述组合物可以采用环烯烃聚合物、光敏产酸剂及含多个酸不稳定性连接基团的疏水非甾族多脂环组份的混合物。所述环烯烃聚合物优选含有：ｉ...

采用环烯烃聚合物、光敏生酸剂与疏水性非甾族脂环组份的混合物制备了酸催化的正性光刻胶组合物，其可借助１９３ｎｍ的辐射成像并且可显影以形成高分辨率和高耐刻蚀性的光刻结构。环烯烃聚合物优选含有ｉ）带有极性官能团的环烯烃单元，ｉｉ）带有能抑制在...

用于制作光耦合结构，尤其是弹性光耦合结构的光刻方法。这些光耦合结构包括凸起部分和连接部分。凸起的单元被设计成与待曝光的抗蚀剂共形接触的形式，以将被引导到凸起单元内的光由此直接耦合到抗蚀剂中。凸起单元的横向形状和尺寸限定为与抗蚀剂中待曝光...

可使用１９３ｎｍ射线（且可能使用其它射线）成象与显影以形成具有改进的显影特性与改进的抗蚀力的光致抗蚀剂结构的酸催化正性光致抗蚀剂组合物可通过使用包括环烯聚合物的抗蚀剂组合物而实现，此聚合物包括含有内酯部分的环烯单体，此单体在插入在内酯部...

在一个透明基底（２）上一个总的像素区域（９）内顺序地形成红、绿和蓝三种分量彩色子像素单元区（１０、１２、１５），每种个别的子像素单元形成之后，在个别的子像素单元（１０、１２、１５）上各施加一个透明的保护材料层（１１、１４、１６），然后再...

提供一种显影例如半导体晶片的电子元件衬底上的光致抗蚀剂图案的装置与方法。此方法与装置使用一个专门规定的显影剂合成物，后随一个专门规定的漂洗液合成物以显影经曝光的抗蚀剂图案然后漂洗经显影的图案。显影剂合成物与漂洗液合成物都含有负离子表面活...

酸催化的正抗蚀剂组合物，其可以用１９３ｎｍ的辐射和／或其它的辐射成像，并且可以显影，以形成具有改良显影特征和改良抗蚀刻性的抗蚀剂结构，这种改良的显影特征和改良的抗蚀刻性是利用包含具有２－氰基丙烯酸单体的成像聚合物的抗蚀剂组合物实现的。

一种用于在衬底（１４）上制造亚波长结构（２２，２６）的方法，其中，可变形的光致抗蚀剂（１２，２４）布置在所述衬底（１４）的顶部上，其特征在于以下步骤：　　　　ａ）形成由具有比所用光致抗蚀剂（１２，２４）大的折射系数的材料制成的亲水印模（...

具有任一下述通式的含噻吩的光酸生成剂，其中，Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］或Ｒ↑［３］中至少有一个是噻吩或被烷基、烷氧基或环烷基取代的噻吩，不含噻吩部分的其余Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］或Ｒ↑［３］独立地选自烷基、环烷基和芳基，或者Ｒ↑［１］、Ｒ↑［...

通过使用含有成像聚合物的光刻胶组合物得到的酸催化的正性光刻胶组合物，其可用１９３ｎｍ辐射和／或其它辐射成像并可显影形成具有改进的显影特性和改进的耐蚀刻性的光刻胶结构，该成像聚合物含有具有侧基的单体，该侧基含有多个酸不稳定部分。优选的包含...

本发明提供了倍半硅氧烷聚合物，还提供了包含这种倍半硅氧烷聚合物的光刻胶组合物，其中至少部分倍半硅氧烷聚合物包含氟化残基，并且至少部分倍半硅氧烷聚合物包含具有低的酸催化分裂活化能的侧基可溶解性抑制环状缩酮酸不稳定残基。本发明的聚合物还包含...

特征在于存在带有悬吊生色团的含Ｓｉ聚合物的抗反射组合物是光刻技术方法中可用的抗反射涂层／硬掩膜组合物。在使用旋涂应用技术加以运用时，这些组合物提供了优异的光学、机械和蚀刻选择性能。在用于设计基片支撑材料层（尤其是金属或半导体层）的光刻技...