一种PGaN基LED外延片，包括在蓝宝石衬底上依次生长的uGaN层，nGaN层，缓冲层，InGaN/GaN 多量子阱层和GaN基LED所需的PA1GaN 和PGaN，其特征在于：在所述PGaN层上还生长有一层P-GaN，所述PGaN层为...

一种用于LED外延片的回收利用装置，包括支架，在支架上面的前端设置前辊，在支架的后端设置后辊，在前辊和后辊之间连接有输送带，前辊和后辊中至少有一个与旋转动力连接，支架上面依次布置有高温烤炉、清洗槽、IO水槽和低温烤炉，输送带上环面依次穿...

一种生长在蓝宝石衬底上的InGaN/GaN 多量子阱结构，包括生长在蓝宝石衬底层上的uGaN层，生长在uGaN层上的nGaN层，生长在nGaN层上的缓冲层，缓冲层上外延生长的7～20组InGaN/GaN量子阱构成多量子阱层，所述多量子阱...

一种流量控制器检测装置，通过气体管路设置在待检测流量控制器的前端，它包括至少两个含有不同量程的流量侦测器，上述流量侦测器相互并联于气体管路上，其一端与上游供气端相连，另一端通过流量阀与流量控制器相连，本实用新型的流量控制器检测装置包含三...

恒温水槽水温监控装置，包括用来监控水箱温度的主机，该主机通过RS-485总线连接多台水箱，各水箱的下端设有交换器，上述交换器通过一总交换器与控制器相连，上述水箱包括箱体，箱体的两侧设有至少三排进水口与出水口，上述进水口与出水口之间还设有...

蛇形管风冷鼓风机，由冷却水出口、分散器、进气口、排气口、冷却水进口、鼓风机马达、腔体组成，其特征是腔体的内部底侧设置鼓风机马达，鼓风机马达的一侧设置进气口，鼓风机马达的另一侧设置排气口，腔体的上端一侧设置冷却水出口，腔体的上端另一侧设置...

MOCVD内置吸尘器，由缓冲箱、过滤网、手套箱、控制开关、吸尘器管、缓冲底座、集尘箱、抽真空管组成，其特征是手套箱的一端设置控制开关，手套箱的另一端下侧设置抽真空管，手套箱的内部下侧设置缓冲底座，缓冲底座上设置集尘箱，集尘箱的上端设置缓...

外延片生长基盘，由储槽、盘体组成，其特征是储槽设置在盘体上，储槽设置为直径相等的圆形，本实用新型的有益效果是外延片生长基盘一次能生长54片，生产效率高，生产成本低，外延片的均匀性较好，外延片的质量稳定。

晶体生长掺杂装置，由三乙基镓管道、三甲基镓管道、压力仪、流量仪、三乙基镓阀门、三乙基镓罐、三甲基镓罐、三甲基镓阀门组成，其特征是三乙基镓罐通过管道与三乙基镓阀门相连接，三乙基镓阀门的上端设置流量仪，压力仪与流量仪并联设置，流量仪的上端设...

外延片基盘，由盘体、中心容槽、容槽组成，其特征是中心容槽设置在盘体的中心位置上，容槽均匀设置在中心容槽的四周，中心容槽、容槽内设置外延片，中心容槽、容槽设置为直径相等的圆形，本实用新型的有益效果是外延片基盘一次能生长37片，生产效率高，...

恒温水槽控制装置，由显示面板、液位仪、加热线圈、循环水泵、测温仪组成，其特征是显示面板的下端中部设置加热线圈，加热线圈的一侧设置测温仪，加热线圈的另一侧设置液位仪，加热线圈的下端设置循环水泵，本实用新型的有益效果是恒温水槽控制装置水温控...

LED外延片清洗水槽，由排风柜、水槽体、排水阀门、排水管、支架组成，其特征是支架的上端设置排风柜，支架的中部设置水槽体，水槽体的下端设置排水阀门，支架的下部设置排水管，本实用新型的有益效果是LED外延片清洗水槽使用水量小，操作方便，作业...

废气处理装置，由酸碱管道、辅助管道、终端处理池、废气进口、酸碱三通阀、转换三通阀、预处理池组成，其特征是酸碱管道与辅助管道平行设置，酸碱管道的一端与终端处理池相连接，酸碱管道的另一端与酸碱三通阀相连接，辅助管道的一端与终端处理池相连接，...

多级过滤装置，由前盖、检修口、初级滤层、壳体、后盖、排气口、进气口、排污口、一级滤芯、二级滤芯组成，其特征是壳体的外部前端设置前盖，壳体的外部后端设置后盖，前盖的前端设置进气口，后盖的后端设置排气口，壳体的内部前端设置初级滤层，初级滤层...

MOCVD过滤装置，由前盖、滤网层、壳体、排气口、后盖、进气口、检修孔、滤芯组成，其特征是壳体的前端设置前盖，壳体的后端设置后盖，前盖的中部设置进气口，壳体的后部设置排气口，壳体的内部设置滤芯，壳体的前部设置滤网层，滤网层的下侧设置检修...

双芯过滤装置，由辅水阀、主水阀、主过滤器、后端水阀、辅过滤器组成，其特征是主过滤器的前端设置主水阀，主过滤器的后端设置后端水阀，辅过滤器与主过滤器并联设置，辅过滤器的前端设置辅水阀，本实用新型的有益效果是双芯过滤装置在维修或更换滤芯无需...

MOCVD自动控制器，由权限控管模块、资料收集模块、控制接口、设备接口、外部控制器、MOCVD设备、命令执行模块、集成面板、程序控制模块组成，其特征是集成面板的一端上侧设置控制接口，控制接口的下侧设置设备接口，集成面板的一侧上部设置资料...

本实用新型提供了一种设有电流阻绝层的发光二极管，包括由下至上依次排列的n型半导体外延层（3）、多重量子阱（4）和p型半导体外延层（5），所述的p型半导体外延层（5）上还设有掺杂硅的n型半导体外延薄层（6），所述的掺杂硅的n型半导体外延薄...

本发明提供了一种设有电流阻绝层的发光二极管，包括由下至上依次排列的n型半导体外延层、多重量子阱和p型半导体外延层，所述的p型半导体外延层上还设有掺杂硅的n型半导体外延薄层，所述的掺杂硅的n型半导体外延薄层上定义的发光区内设有电流阻绝层，...