【技术实现步骤摘要】
晶体生长掺杂装置
本技术属于晶体生长设备
，更具体的说是一种晶体生长掺杂装置。
技术介绍
目前，公知的LED晶体外延片生长设备采用的是M0CVD，在生产晶体外延片时，常常采用不同的原材料参于反应，不同的原材料可生产出不同的LED外延片的种类，由于不同的工艺流程所需的原材料种类也不相同，现有技术的蓝宝石晶体生长过程中，通常采用的掺杂元素是镓，采用的原材料是三甲基镓，生产的蓝宝石晶体不能满足市场的需求，主要原因是三甲基镓不能更好地配合镓原料通入反应腔进行反应，控制精度较差，产品的性能不稳定。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供了一种能更好地配合镓原料通入反应腔进行反应、控制精度较高、产品的性能稳定的晶体生长掺杂装置，其具体方案为:所述的晶体生长掺杂装置由三乙基镓管道、三甲基镓管道、压力仪、流量仪、三乙基镓阀门、三乙基镓罐、三甲基镓罐、三甲基镓阀门组成，其特征是三乙基镓罐通过管道与三乙基镓阀门相连接，三乙基镓阀门的上端设置流量仪，压力仪与流量仪并联设置，流量仪的上端设置三乙基镓管道，三甲基镓罐的上端设置三甲基镓阀门，三甲基镓阀门通过流量仪与三甲基镓管道相连接。本技术所述的三乙基镓罐，其特征在于三乙基镓罐浸泡在恒温水槽中，温度控制在17±0.5°C。本技术所述的三甲基镓罐，其特征在于三甲基镓罐浸泡在恒温水槽中，温度控制在5±0.5°C。本技术的有益效果是晶体生长掺杂装置能更好地配合镓原料通入反应腔进行反应，控制精度较高，产品的性能稳定，产品的性能指标能满足市场的需求。【附图说明】附图1是本技术的结构示意图；附图1中:1.三乙基镓管道，2....
【技术保护点】
晶体生长掺杂装置，由三乙基镓管道（1）、三甲基镓管道（2）、压力仪（3）、流量仪（4）、三乙基镓阀门（5）、三乙基镓罐（6）、三甲基镓罐（7）、三甲基镓阀门（8）组成，其特征是三乙基镓罐（6）通过管道与三乙基镓阀门（5）相连接，三乙基镓阀门（5）的上端设置流量仪（4），压力仪（3）与流量仪（4）并联设置，流量仪（4）的上端设置三乙基镓管道（1），三甲基镓罐（7）的上端设置三甲基镓阀门（8），三甲基镓阀门（8）通过流量仪（4）与三甲基镓管道（2）相连接。
【技术特征摘要】
1.晶体生长掺杂装置，由三乙基镓管道(I)、三甲基镓管道(2)、压力仪(3)、流量仪(4)、三乙基镓阀门(5)、三乙基镓罐(6)、三甲基镓罐(7)、三甲基镓阀门(8)组成，其特征是三乙基镓罐(6)通过管道与三乙基镓阀门(5)相连接，三乙基镓阀门(5)的上端设置流量仪(4)，压力仪(3)与流量仪(4)并联设置，流量仪(4)的上端设置三乙基镓管道(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张继友，王新阳，陈建荣，
申请(专利权)人：冠铨山东光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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