专利查询
首页
专利评估
登录
注册
富士电机电子设备技术株式会社专利技术
富士电机电子设备技术株式会社共有41项专利
显示装置驱动电路制造方法及图纸
本发明涉及一种显示装置的驱动电路,在即使经过了规定时间但未输入下一个时钟信号时,计时电路(20)向显示装置的驱动电路的输出段电路(10)发送使IGBT(11、12)两者断开的控制信号,输出段电路(10)使IGBT(11、12)两者断开。...
半导体电路、倒相器电路以及半导体设备制造技术
根据本发明的半导体电路包括其电阻值可用高电压来控制的压控半导体器件(N)1,N1的漏极端子经由电阻器(R)6连接到输出半导体器件(N↓[O])5的栅极端子(控制端子),N1的源极端子连接到N↓[O]5的发射极端子,且N1的栅极端子连接到...
显示驱动装置制造方法及图纸
本发明涉及驱动等离子体显示面板的显示驱动装置,在该显示驱动装置中,ESD(静电放电)即使相对于接地电位以正电荷反复施加在输出端子上,电荷也不会积存在低端输出晶体管的栅极上,能够防止元件损坏。在具有连接在高电压(VDH)的高压电源端子和输...
超小型功率变换装置制造方法及图纸
本发明提供具有安装面积小、功率变换效率上升、可谋求功耗降低的薄型化电感器的超薄型化的超小型功率变换装置,其中:线圈导体(4,5)的平面形状是直线状,磁性绝缘基板(1)的第一主面上形成线圈导体(4),第二主面上形成线圈导体(5),各导体(...
开关电源装置制造方法及图纸
本发明的电源装置可小尺寸,低价格,改善功率因数,可减少开关损失。具有:整流电路(5);由第四线圈(7d)、二极管(21)、和平滑电容器(6)构成的串联电路;由二极管(22)、第一线圈(7a)和第一开关元件(24)构成的串联电路;由二极管...
电压检测电路和电流检测电路制造技术
电流检测电路具有包括电阻和电流源的左偏移电路,通过信号线从节点中引出、且包括电阻和电容的第一低通滤波器,在左偏移电路之后设置的第一开关,在低通滤波器之后设置的第二开关,包括电阻和电容器的第二低通滤波器,运算放大器,在运算放大器的输出端和...
AC至DC转换器电路制造技术
在根据本发明的AC至DC转换器电路包括含有连接至AC电源1且彼此并联的第一和第二电路的主电路,其中所述第一电路包括二极管3、4和开关器件20而第二电路则包括二极管5、6和开关器件21,其中对应于由输入电压极性鉴别器102鉴别的输入电压极...
电功率转换器电路制造技术
在根据本发明的电功率转换器电路中包括与AC电源级联连接的含有二极管21至24的整流电路、线圈2以及含有开关器件11之14的全桥电路的电功率转换器电路以转换AC至DC并还转换DC至AC,还包括含有二极管4和开关器件15并连接在所述全桥电路...
电力电子设备制造技术
本发明的电力电子设备包括:空芯型绝缘变压器TU1到TU3,它们插放在接地到车体的控制电路1和偏置在高电压下的上臂2之间;以及空芯型绝缘变压器TD1到TD3,它们位于接地到车体的控制电路1和偏置在高电压下的下臂2之间,并且每一个空芯型绝缘...
超小型电力变换装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明提供一种实现通过减少通过外部电极和第二连接导体外侧的磁通量来降低噪声,并且不损害模制树脂的固定性、在耐湿性方面卓越的超小型电力变换装置及其制造方法。通过线圈基板(100)的第二连接导体(9)在铁氧体基板1的端部的侧壁露出下半部分,...
超小型电力变换装置制造方法及图纸
本发明提供一种超小型电力变换装置,其不受形成于薄型磁感应元件的外周部的电极的位置所制约,能够在薄型磁感应元件上的规定位置面安装包括小于薄型磁感应元件的半导体元件的部件。通过在构成薄型磁感应元件(100)的线圈导体(16a)上隔着绝缘层(...
DC-DC转换器制造技术
本发明提供一种DC-DC转换器,其即使在过电流检测动作中存在延迟,也不用担心陷入不能进行过电流限制的境地。过电流检测电路(50)与开关控制电路(1)连接,在开关元件(Mn)的导通控制时对在电感(L)中流动的电感器电流进行检测,判定该电感...
开关电源装置制造方法及图纸
本发明涉及一种开关电源装置,能够抑制与开关电源装置的控制电路连接的平滑电容器的静电电容的增加,并且能够使用小型且成本低的平滑电容器,能够降低电耗并且能够减少变压器产生的可听频域的声音。该开关电源装置包括:直流电源(1),具有一次、二次和...
呈现出高击穿电压的二极管制造技术
本发明公开一种表现高反向击穿电压的二极管,其是通过使用耐燃环氧树脂来制造的,在预定条件下提取的其提取物表现为250μS/cm或更低的电导率。根据本发明,用于高压二极管的具有极好耐潮性的密封树脂是通过使用找到适合用于基准的电阻值来选择的,...
半导体器件及其制造方法技术
本发明在n↑[-]半导体层22的表面层上,选择性地形成了深度各为14-20μm(设计值)的p↑[+]-扩散区23、24和25。由于用He离子对芯片整个表面进行照射,因此寿命抑制因子被从比形成于n↑[-]半导体层22和p↑[+]扩散区域2...
半导体器件及其制造方法技术
本发明提供具有以下特征的半导体器件:在提高半导体器件的散热性能的同时,防止因接合部的热应力而产生的变形,确保制造工序中的组装精度,使可靠性上升。半导体器件(1)在电路基板(10)的表背面分别焊接接合半导体芯片(2)、散热用基座(3)而构...
清洗装置制造方法及图纸
本发明提供了一种在减少灰尘的发生源的同时,通过防止吹在被清洗物上的CO↓[2]的结露,可以进行洁净清洗的清洗装置。在从喷嘴将溶媒喷射在被清洗物上进行清洗的清洗装置中,为了防止被清洗物的结露,具有将加热的气体喷射在被清洗物表面上的气体喷射...
功率半导体模块及其制造方法技术
本发明提供一种能够高效率制造的功率半导体模块及其制造方法。在功率半导体模块(1)中,引线框(9)同时具有内部端子(30)和外部端子(6),其多个外部端子(6)同时被软焊在半导体芯片(8)上。因此,没有必要如引线接合那样逐根进行连接,从而...
半导体设备和使用该设备的温度检测方法技术
根据本发明的半导体装置10包括用半导体衬底中形成的半导体设备来执行温度检测的温度检测部分12;在半导体衬底上形成的、用于将检测信号从温度检测部分12输出到外部的温度传感器输出端T3;连接到输出端T3的电流生成部件21,该电流生成部件21...
焊料合金和使用该焊料合金的半导体装置制造方法及图纸
本发明要解决的问题是提高锡(Sn)-锑(Sb)体系焊料合金的润湿性和焊接性能。使用焊料合金6将具有半导体芯片4的绝缘基片10上的导体图案3与散热板8相连接,所述焊料合金包含3-5重量%的锑(Sb)、不超过0.2重量%的锗(Ge)和余量的...
1
2
3
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
电化株式会社
1051
精励微机电技术公司
2
奥普特朗技术有限公司
3
莱孚滴生物股份有限公司
1
北京小米移动软件有限公司
34944
同济大学
28613
京东方科技集团股份有限公司
51234
LG电子株式会社
27726
交互数字专利控股公司
2505
日铁化学材料株式会社
428