超小型功率变换装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供具有安装面积小、功率变换效率上升、可谋求功耗降低的薄型化电感器的超薄型化的超小型功率变换装置，其中：线圈导体（４，５）的平面形状是直线状，磁性绝缘基板（１）的第一主面上形成线圈导体（４），第二主面上形成线圈导体（５），各导体（４、５）通过在贯通孔上形成的连接导体（３）电连接且螺线管状地形成。在该薄型化电感器上取磁性绝缘基板的垂直于Ｘ－Ｘ线的方向的长度为Ｌ，取作为对向的连接导体（３）间的距离的线圈导体长度为ｄ时，使ｄ≥Ｌ／２的关系成立地决定ｄ，可提高薄型化的电感器的电感值，也可实现直流叠加特性的改善，其结果，通过用该电感器，可以制作超薄型化的超小型功率变换装置。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及由在半导体基板上形成的半导体集成电路(以下记作IC)和线圈或电容器、电阻等无源部件构成的DC-DC变换器等的超小型功率变换装置。
技术介绍
近年来，电子信息设备、尤其是便携型的各种电子信息设备的普及是显著的。这些电子信息设备多以电池作为电源，内藏DC-DC变换器等的功率变换装置。通常该功率变换装置是将开关元件、整流元件、控制用IC等的有源元件和线圈、变压器、电容器、电阻等无源元件的各个零部件用在陶瓷基板或塑料等印刷基板等上而构成为混合型组件。图13是DC-DC变换器电路构成图。图中外边线的虚线部分50是DC-DC变换器的电路。DC-DC变换器由输入电容器Ci、输出电容器Co、调整用电阻RT、电容器CT、薄膜电感器Lo以及电源用IC构成。输入直流的输入电压Vi，使电源用IC(在图中仅为电源IC)的MOSFET进行开关，输出直流的规定输出电压vo。薄膜电感器Lo和输出电容器Co是用于输出直流电压的滤波电路。在该电路，一旦薄型化的电感器Lo的直流电阻变大，则在该部分上的电压降变大，输出电压Vo变低。即，DC-DC变换器的变换效率变小。伴随着包含前述便携用的各种电子信息设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超小型功率变换装置，具有：形成半导体集成电路的半导体基板、薄膜磁感应元件和电容器，其特征为，　　　　具有薄膜磁感应元件，该元件包括：　　　　磁性绝缘基板，和　　　　将在该磁性绝缘基板的第一主面上形成的第一导体、在所述磁性绝缘基板的第二主面上形成的第二导体、和在贯通所述磁性绝缘基板的贯通孔上形成的连接导体分别加以连接而构成的螺线管状线圈导体，　　　　将相对于螺线管状线圈产生的磁场而处于垂直方向的磁性绝缘基板的长度Ｌ和线圈导体长度ｄ之间的关系取ｄ≥Ｌ／２。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：江户雅晴，林善智，
申请(专利权)人：富士电机电子设备技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]