本实用新型公开了一种瓦楞卡槽，包括长条形瓦楞板，在所述瓦楞板上设置有贯通其宽度方向的凹槽；所述卡槽可应用于瓦楞包装箱中，对液晶面板或太阳能电池面板进行卡位和固定，避免所述面板摩擦和划伤。本实用新型还提供一种瓦楞包装箱。

本发明公开了一种太阳能电池板及其制造方法，所述太阳能电池板包括玻璃基板、玻璃背板以及位于玻璃基板和玻璃背板之间的电池单元，所述玻璃基板和玻璃背板的边缘区域通过密封胶层压粘合在一起，所述太阳能电池板的侧边表面具有覆盖所述密封胶的玻璃密封条...

本发明公开了一种薄膜太阳能电池的制造方法，在薄膜太阳能电池的制造过程中，ＴＣＯ前电极、ＴＣＯ复合层和ＴＣＯ背电极中的至少一层采用ＰＥＣＶＤ工艺形成，根据本发明，用于硅薄膜太阳能电池中的一层或多层ＴＣＯ膜层是在与形成ｐ－ｉ－ｎ氢化硅薄膜的...

本发明公开了一种光伏器件的制造方法，包括：提供基板；在所述基板表面沉积第一透明导电层；在所述第一透明导电层表面沉积ｐ－ｉ－ｎ叠层结构；在所述ｐ－ｉ－ｎ叠层结构的ｎ层表面沉积第二透明导电层；在所述第二透明导电层表面形成金属网格层；在所述金...

本发明公开了激光刻膜设备和划线方法及用其制造的非晶硅薄膜光伏板。该用于薄膜划线的激光刻膜设备，包括：工作平台，以及向所述工作平台发射单一波长激光的单一激光源；其中该单一激光源的功率可调，从而以不同功率的激光对设置在同一个所述工作平台上的...

本发明公开了光伏真空窗户及其制造方法。本发明的光伏真空窗户包括：光伏模板，其包括作为其一侧的表面的第一玻璃板；第二玻璃板，其面对该第一玻璃板，一空间形成在该第一和第二玻璃板之间；真空封口，其连续地形成于该第一玻璃板和该第二玻璃板之间的所...

本发明提供一种氟掺杂的氧化锡膜以及提升其光电特性的方法和装置。所述氟掺杂的氧化锡膜沉积在基板上。所述提升氟掺杂的氧化锡膜的光电特性的方法包括步骤：在包括氧气和含氟气体的热压处理室内对所述氟掺杂的氧化锡膜进行热压处理。该方法简单且有效，与...

本发明公开了一种薄膜硅光伏器件及其制造方法和背电极以及光伏组件。所述薄膜硅光伏器件具有层状结构，该层状结构依次包括：基板；透明导电的前电极；一个或多个ｐ－ｉ－ｎ型光伏单元，每个ｐ－ｉ－ｎ型光伏单元由基于氢化硅的ｐ型、本征ｉ型和ｎ型半导体...

本发明公开了一种薄膜硅光伏器件及其制造方法和背电极以及光伏组件。所述薄膜硅光伏器件具有层状结构，该层状结构依次包括：基板；透明导电的前电极；一个或多个ｐ－ｉ－ｎ型光伏单元，每个ｐ－ｉ－ｎ型光伏单元由基于氢化硅的ｐ型、本征ｉ型和ｎ型半导体...

本发明公开了一种基于氢化硅的薄膜本征层（ｉ层）、包括其的薄膜太阳能电池及制造方法，改进了氢化非晶硅薄膜太阳能电池的稳定性。在使用等离子体增强化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ）生成的ｐ－ｉ－ｎ型非晶硅太阳能电池中，非晶硅吸收层（ｉ层）具有超晶格...

本发明公开了一种薄膜光伏器件及其复合背电极。为了同时获得银的高度光反射率并抑制银的导致分流的缺陷和不稳定性，用银和铜叠加在一起的复合型金属膜来取代常规背电极中的银或铝膜。铜膜的厚度远远大于银膜。这种与氧化锌（ＺｎＯ）结合的复合型背电极反...

本发明提供一种废气处理系统及处理方法，该废气处理系统包括：炉体，具有炉壁和顶盖，且定义炉室；燃料，置于该炉室中，且所述燃料中有供气体流过的间隙；空气进口，设置于该炉体下部；出气口，设置于该炉体上部；以及废气进口，其中待处理的废气从该废气...

本发明涉及均匀沉积薄膜的方法和系统。等离子体反应器中包含多个外界电源驱动的负电极。ＰＥＣＶＤ过程中，以脉冲的形式周期性地向多个负电极提供射频或极高频电能，脉冲频率为３００Ｈｚ－５０ｋＨｚ，脉冲宽度不大于半周期。施加于邻近负电极的脉冲式功...

本发明公开了一种使用高频等离子体增强化学气相沉积法通过控制其中等离子体镀膜过程的射频电场的相位来批量化地制备功能薄膜的方法和系统。在一个使用包含多个负电极的批量式等离子体反应器的等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）过程中，为了避免在近...

本实用新型公开了一种薄膜沉积装置，包括反应室、以及在反应室内间隔交替放置的激励电极板和接地电极板，所述接地电极板的底部比较所述激励电极板具有向下延伸加长的部分。本实用新型的薄膜沉积装置能够消除电极板之间的射频串扰，显著提高薄膜沉积的重复...

本实用新型公开了一种薄膜沉积装置，包括反应室、以及在反应室内间隔交替放置的激励电极板和接地电极板，所述激励电极板和接地电极板之间的底部具有隔离部件。本实用新型的薄膜沉积装置能够消除电极板之间的射频串扰，显著提高薄膜沉积的均匀性。

本实用新型公开了一种硅基薄膜太阳能电池，包括玻璃基板、透明导电前电极、背电极和保护背板，在所述透明导电前电极和背电极之间依次包括硼掺杂的非晶硅ｐ层、本征ｉ层和磷掺杂的非晶硅ｎ层，所述本征ｉ层和所述非晶硅ｎ层之间具有硅基薄膜缓冲层。本实用...

本发明公开了一种半导体结构和包括该结构的薄膜光伏器件，所述半导体结构用于薄膜光伏器件的光吸收，包括基于硅的包括非晶硅或纳米晶硅的ｐ层；在ｐ层表面的非晶锗本征ｉ层；和在非晶锗本征ｉ层表面的基于硅的包括非晶硅或纳米晶硅或ａ－ＳｉＧｅ的ｎ层。...

本发明公开了一种薄膜光伏板，至少包括玻璃基板、透明导电前电极、透明导电背电极和玻璃背板，在所述透明导电前电极和透明导电背电极之间包括具有分流抑制层的光电转换单元。本发明的光电转换单元依次包括非晶硅ｐ层、本征非晶硅ｉ层、第一非晶硅ｎ层，分...

本发明提供了一种叠层结构和包括该叠层结构的薄膜太阳能电池，本发明采用氢化纳米晶硅和氢化非晶锗叠层结构作为ｐ－ｉ－ｎ型薄膜太阳能电池的本征ｉ层，具有很强的红光和红外线吸收能力，将这种叠层结构作为底结的多结薄膜太阳能电池具有更高的转换效率和...