本实用新型专利技术公开了一种薄膜沉积装置，包括反应室、以及在反应室内间隔交替放置的激励电极板和接地电极板，所述接地电极板的底部比较所述激励电极板具有向下延伸加长的部分。本实用新型专利技术的薄膜沉积装置能够消除电极板之间的射频串扰，显著提高薄膜沉积的重复性、稳定性和均匀性。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光伏太阳能电池
，特别涉及一种薄膜沉积装置。
技术介绍
随着能源的日益短缺，人们对太阳能的开发和利用日趋重视。市场对更大面积、更 轻更薄且生产成本更低的新型太阳能电池的需求日益增加。在这些新型太阳能电池中，基 于硅材料的薄膜太阳能电池、特别是大面积薄膜太阳能电池的开发已受到世界范围的广泛 关注。薄膜太阳能电池用硅量极少，更容易降低成本，在硅原材料持续紧张的情况下，薄膜 太阳电池已成为太阳能电池发展的新趋势和新热点。薄膜太阳能电池是多层器件，典型的薄膜太阳能电池通常包括p-i-n叠层结构。 p-i-n叠层结构的各层是利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，在大型PECVD沉积 设备中沉积形成，例如在申请号为200820008274. 5的中国专利申请中所描述的，可在大面 积基板表面、批量沉积薄膜的大型PECVD沉积设备。图1为该设备简化结构示意图，如图1 所示，在反应室100中间隔交替放置大面积激励电极板104和接地电极板106，电极板两侧 表面均可放置大面积玻璃基板121。反应气体由进气口 114进入反应室100，反应气体沿箭 头方向流动，射频激励电源117向激励电极板104提供射频能量，将反应气体电离为等离子 体，在基板121表面沉积薄膜，剩余的气体由出气口 118排出。在上述的薄膜沉积装置中，射频激励电源117通过甚高频或射频电缆120向激励 电极板104提供射频能量，射频能量的频率通常为13. 56MHz甚至更高，甚高频或射频电缆 120会在电缆周围形成高频辐射，而且射频电缆120与激励电极板104的连接处会产生辐 射，使激励电极板104之间、射频电缆120之间以及射频电缆120与激励电极板104的连接 处之间产生严重的射频串扰，使电极板之间的反应空间内电场能量分布不均勻，反应气体 的等离子体密度不均勻，导致玻璃基板表面薄膜沉积的非均勻性，影响薄膜太阳能电池的 性能。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种薄膜沉积装置，能够消除电极板之间的射频串 扰，显著提高薄膜沉积的重复性、稳定性和均勻性。为达到上述目的，本技术提供了一种薄膜沉积装置，包括反应室、以及在反应 室内间隔交替放置的激励电极板和接地电极板，所述接地电极板的底部比较所述激励电极 板具有向下延伸加长的部分。可选的，所述向下延伸加长部分的距离为20 100mm。可选的，所述向下延伸加长的部分位于所述接地电极板的中部。可选的，所述向下延伸加长的部分位于所述接地电极板的一侧。可选的，所述向下延伸加长的部分由数段延伸部分组成。可选的，所述向下延伸加长的部分的形状为规则或不规则形状。与现有技术相比，本技术具有以下优点本技术的薄膜沉积装置将接地电极板纵向加长，使接地电极板的下端长出激 励电极板的下端，这种纵向加长的接地电极板能够起到激励电极板之间的隔离作用，有效 地屏蔽了甚高频或射频电缆，以及电缆与电极板的连接处产生的辐射干扰，降低了激励电 极板之间的串扰，提高了激励电极板工作的同步性、稳定性，改善了薄膜沉积的均勻性。附图说明通过附图中所示的本技术的优选实施例的更具体说明，本技术的上述及 其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未 刻意按比例绘制附图，重点在于示出本技术的主旨。在附图中，为清楚起见，放大了层 的厚度。图1为大型PECVD沉积设备简化结构示意图；图2为本技术的薄膜沉积装置结构示意图；图3为本技术薄膜沉积装置加长电极板第一实施例的结构示意图；图4为本技术薄膜沉积装置加长电极板第二实施例的结构示意图。所述示图是说明性的，而非限制性的，在此不能过度限制本技术的保护范围。具体实施方式为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，以下结合附图对本 技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分 理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域 技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广。因此本技术不受下面公 开的具体实施的限制。图2为本技术的薄膜沉积装置结构示意图。如图2所示，在反应室100中间隔 交替放置大面积激励电极板104和接地电极板106，电极板两侧表面均可放置大面积玻璃 基板121，反应气体由进气口 114进入反应室100，反应气体沿箭头方向流动，射频激励电源 117向激励电极板104提供射频能量，将反应气体电离为等离子体，在基板121表面沉积薄 膜，剩余的气体由出气口 118排出。图中所示各个激励电极板共用一个射频激励电源117， 在本技术的其他实施例中，各个激励电极板分别由单独的射频激励电源供电。在本实 用新型的薄膜沉积装置中，接地电极板106的底部向下延伸加长一部分，即图中a所示的部 分，也就是说接地电极板106向下加长距离为a的部分，使得接地电极板106比激励电极板 104长出距离a。加长的接地电极板106能够对射频电缆120的射频辐射起到屏蔽作用，使 激励电极板104之间电隔离，减少激励电极板104之间的相互串扰，有效地屏蔽了各激励电 极板104之间的射频串扰，能够提高各电极板工作的同步性、稳定性，改善薄膜沉积的均勻 性。图3为本技术薄膜沉积装置加长接地电极板的第一实施例示意图，图4为本 技术薄膜沉积装置加长接地电极板的第二实施例示意图。在图3所示的接地电极板 106中，加长的部分a包括电极板的中部和一侧，另一侧留有缺口。图4所示的接地电极板 106中，向下加长的部分还可以是由数段加长的部分组成，段和段之间具有若干个缺口。在本技术的其他实施例中，加长的部分可以位于电极板的中部或一侧，向下 加长的部分还可以是间隔排列的，间隔部分可以是等距或非等距，可以是对称分布也可以 是非对称分布，形状可以是规则也可以是不规则的形状。在上述实施例中，加长的长度a不做限制，只要能够起到隔离作用即可，a优选的 范围可在20 100mm之间。以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术作任何形式上 的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本技术技术方案范围情况下，都可利用 上述揭示的
技术实现思路
对本技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变 化的等效实施例。因此，凡是未脱离本技术技术方案的内容，依据本技术的技术实 质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本技术技术方案的 保护范围内。权利要求一种薄膜沉积装置，包括反应室、以及在反应室内间隔交替放置的激励电极板和接地电极板，其特征在于所述接地电极板的底部比较所述激励电极板具有向下延伸加长的部分。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述向下延伸加长部分的距离为20 IOOmm03.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述向下延伸加长的部分位于所述接地电 极板的中部。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述向下延伸加长的部分位于所述接地电 极板的一侧。5.如权利要求1、3或4所述的装置，其特征在于所述向下延伸加长的部分由数段延 伸部分组成。专利摘要本技术公开了一种薄膜沉积装置，包括反应室、以及在反应室内间隔交替放本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜沉积装置，包括反应室、以及在反应室内间隔交替放置的激励电极板和接地电极板，其特征在于：所述接地电极板的底部比较所述激励电极板具有向下延伸加长的部分。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李沅民，张迎春，林朝晖，
申请(专利权)人：福建钧石能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：35
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