本发明属于第三代无线通信技术领域，具体为一种３ＧＰＰ－ＬＴＥ系统下行链路辅同步信道检测方法。本发明针对第三代合作伙伴项目长期演进（３ＧＰＰ－ＬＴＥ）系统下行链路，提出了一种辅同步信道（Ｓ－ＳＣＨ）检测方法。本方法包含两大步骤，首先利用Ｓ...

本发明属于半导体器件技术领域，具体本发明公开了一种半导体器件，它包括一个Ｎ型隧穿晶体管和一个Ｐ型ＭＯＳ晶体管。对于Ｎ型隧穿晶体管，采用垂直沟道双栅结构；对于Ｐ型ＭＯＳ晶体管，采用凹陷沟道结构。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发...

本发明公开了一种凹陷沟道的ＰＮＰＮ场效应晶体管。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流。同时，本发明还公开了上述ＰＮＰＮ场效应晶体管的制造方法。采用本发明的ＰＮＰＮ场效应晶体管的隧穿结更加陡直，而且可以增加源端横向电...

本发明属于金属氧化物亚微米材料和锂离子电池技术领域，具体为一种锂离子电池亚微米电极材料及其制备方法。该材料的制备方法采用聚合物为模板剂法，通过控制合成温度、烧结时间和聚合物模板粒径，能优化电极材料的物理和电化学性能。利用该方法制备的电池...

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成铜接触互连结构的方法。具体为，在接触层的介质开孔露出硅片上源漏的金属硅化物层上形成扩散阻挡层，然后进行铜材料的填充，从而形成互连和硅器件的接触。其中扩散阻挡层的材料为含Ｓｉ的三元金属氮化物，或...

本发明属于无线通信技术领域，具体公开了一种减小局部式单载波频分多址系统中发送信号峰均功率比的方法。本发明根据原输入信号的分布特征设定相应的削波门限，同时对经过削波处理的时域信号进行幅度拉升、相位校正和发送功率的补偿处理，有效降低了单载波...

本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法。通过改变两次离子注入的倾斜角度来控制离子注入形成的掺杂区域的位置，形成不对称型源漏场效应晶体管的独特结构。所述不对称型源漏场效应晶体管结构的源区和漏区结构不...

本发明属于现场可编程门阵列技术领域，具体为一种应用于ＳＲＡＭ?ＦＰＧＡ器件的具有抗单粒子翻转（ＳＥＵ）效应功能的电路及方法。该抗ＳＥＵ电路由回读电路，细粒度刷新电路，二维ＣＲＣ校验电路组成。总线状态机控制回读电路将编程点中存储的信息读入...

本发明属于化学电源技术领域，具体为一种超级电容器。本发明的负极活性物质采用钒的氧化物或它们的改性化合物。该超级电容器的电解质采用含碱金属离子的水溶液，正极活性物质为已知的材料。该超级电容器不仅比目前水溶液体系超级电容器具有更高的能量密度...

本发明属于环境及水质监测技术领域，具体为一种用于比色法检测的容积可变微流控芯片。本发明通过可变体积的微流控芯片以及周边的泵阀，将繁琐的加液程序全部实现自动操作，通过光电检测器来检测反应物或指示剂的颜色变化，大大提高检测灵敏度和检出限，用...

本发明属于移动通信技术领域，具体为一种低复杂度的ＬＴＥ下行辅同步信号检测方法。该方法对接收到的频域信号的辅同步序列进行奇偶位分离得到奇数序列和偶数序列，解扰后对其分别进行序列重排－哈达马矩阵快速变换－序列再重排处理，来实现序列相关运算，...

本发明属于医药领域，涉及小檗碱及其衍生物在制药中的新用途，具体涉及小檗碱及其衍生物在制备吲哚胺２，３－双加氧酶ＩＤＯ抑制剂中的用途。本发明经ＩＤＯ抑制活性检测，以及可逆抑制的判定、抑制剂类型判断及Ｋｉ值测定及半数有效抑制浓度ＩＣ５０测定...

本发明属于化工能源技术领域，具体涉及一种用负载型铱催化剂制备γ－戊内酯的方法。本发明所用的催化剂采用沉积沉淀法、溶胶凝胶法及普通浸渍法制备，具体过程是用氧化物、氢氧化物、活性炭和不溶盐为载体，将铱沉积在载体上然后经过焙烧还原制备出了具有...

本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法。该功率器件包括至少一个光电子注入光源和一个功率ＭＯＳ晶体管。本发明采用光电子注入的方法向功率ＭＯＳ晶体管栅极下方的漂移区注入载流子，进行电导调制，从...

本发明属于功能薄膜材料技术领域，具体公开了一种氧化硅超疏水薄膜的制备方法。该方法以烷基烷氧基硅烷ＲｎＳｉ（ＯＲ′）４－ｎ与甲基三烷氧基硅烷ＣＨ３Ｓｉ（ＯＲ）３（或正硅酸酯Ｓｉ（ＯＲ′）４）混合物为前体，利用酸、碱两步法水解聚合得到溶胶，...

本发明提出了一种体区接触的ＳＯＩ晶体管结构及制备方法，所述方法包括：在ＳＯＩ上生成一硬掩模层；刻蚀可露出ＳＯＩ底部硅的开口；通过所述开口，对ＳＯＩ氧化层进行湿法刻蚀；在所述开口处，淀积一多晶硅层，并进行各向异性干法刻蚀；在所述开口处，淀...

本发明属于光学电子器件技术领域，具体公开了一种主动式大气光谱快速获取系统。该系统将脉冲高压加在电离室中的金属针上，将气体样品电离而发光，光经透镜系统聚焦后，通过可调狭缝，被平面镜Ｍ１反射到柱形凹面镜Ｍ２后成为平行光，再入射到由多光栅组成...

本发明属于磁存储技术领域，具体为具有纳米软磁核的垂直磁化自旋阀。本发明中的自旋阀结构中磁性参考层和自由层分别采用具有垂直磁各向异性的［Ｃｏ／Ｐｔ］和［Ｃｏ／Ｎｉ］多层膜结构。在保存信息的自由层利用微制备或掺杂的方法加入具有面内磁各向异性...

本发明属于氢气存储技术领域，具体为一种高容量储氢材料及其制备方法。该为储氢材料为Ｚｎ（ＢＨ４）２.２ＮＨ３，或者以Ｚｎ（ＢＨ４）２.２ＮＨ３为主要成份的复合材料，具备优良的放氢性能，该材料加热至９０℃－３００℃可获得高纯氢气。该储氢材料...

本发明属于视频监控技术领域，具体涉及一种在视频监控中采用人眼视线跟踪的人机交互装置和方法。包括采用非入侵式的人脸眼部图像视频采集单元、在四周设置有红外参考光源的监视屏幕、视线跟踪图像处理模块和人机交互界面控制模块。其中视线跟踪图像处理单...