本发明属于化工催化剂技术领域，具体为一种［Ｎ＾Ｎ＾Ｓ］型三齿配体与钛金属配位的烯烃聚合催化剂及其制备方法。该催化剂表达式为［Ｌ－Ｔｉ］，Ｌ表示一种含有可与金属配位的Ｎ、Ｎ、Ｓ原子的配体。该催化剂不仅具有独特新颖的结构，催化乙烯聚合具有较...

本发明属于化工催化剂技术领域，具体为一种［Ｎ＾Ｏ］型双齿配体与锆金属配位的烯烃聚合催化剂及其制备方法。该催化剂表达式为ＺｒＬ２Ｃｌ２，Ｌ表示一种含有可与金属配位的Ｎ、Ｏ原子的配体。该催化剂不仅具有独特新颖的结构，催化乙烯聚合具有较高的催...

本发明属于化工技术领域，具体是一种用于草酸二甲酯气相连续催化加氢制备乙醇酸甲酯和乙二醇的银氧化硅催化剂及其制备方法。本发明催化剂的制备步骤为：将可溶性银盐配成银氨溶液，并加入聚乙烯吡咯烷酮作为保护剂和结构导向剂；搅拌下加入还原剂，控制反...

本发明公开了一种浮栅非挥发半导体存储器及其制备方法。所述浮栅非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极区域和漏极区域、隧道绝缘层、第一多晶硅层、阻挡绝缘层、第二多晶硅层和第一金属层。所述源极区域及漏极区域包括由肖特基结和Ｐ－Ｎ结混合形成的半...

本实用新型涉及一种测定包装材料中挥发性有机物的固相微萃取自动进样装置，由自动进样器和大小与自动进样器内腔配套的顶空样品管组成，自动进样器包含固定的外筒，与外筒同轴可旋转的内筒，内筒中设置有进样腔、加热腔及其它多个内腔，在进样腔和加热腔位...

本发明属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种阻变金属氮化物材料的制备方法。包括在低真空腔体内产生氮等离子体，通过在金属薄膜材料上施加负偏压实现等离子体注入，从而在金属层表层形成金属氮化物薄膜。以这种方法制备的金属氮化物可以作为中间双阻...

本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体涉及一种应用于无线接收机集成电路中的宽带正交双模压控振荡器。本发明使用两个分别工作在高低两个相邻频段的宽带压控振荡器来覆盖一个非常宽的频率范围；将这两个振荡器在它们的重叠频段进行耦合，使得这...

本发明属于无线数字通信技术领域，具体为一种正交频分复用接收机系统中自动增益控制系统和方法。正交频分复用接收机系统中的天线依次与带通滤波器、射频放大器、正交解调器、模数转换器、时域功率处理器、增益控制器、基带数字增益放大器、帧同步判决器、...

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种应用于整数分频锁相环路中的ＰＦＤ（鉴频鉴相器）和ＣＰ（电荷泵）电路。其中，ＰＦＤ电路采用４个Ｌａｔｃｈ，使得输出信号ＵＰ和ＵＰＢ、ＤＮ和ＤＮＢ具有很好的对称性，以减小对ＣＰ电路的时钟馈通效应和电荷...

本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和ＰＮ结混合构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管...

本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种ＰＮ结和肖特基结混合式二极管及其制备方法。该二极管包括半导体衬底、该半导体衬底上与其掺杂类型相反的区域Ａ、导体层Ｂ，所述半导体衬底与所述区域Ａ接触处形成ＰＮ结，所述导体层Ｂ同时与所述半导体衬底和所...

本发明属于有机化学技术领域，具体为一种多取代的异喹啉类化合物的制备方法。该类化合物的结构经１Ｈ？ＮＭＲ、１３Ｃ？ＮＭＲ、ＨＲＭＳ、单晶Ｘ衍射等方法表征并得以确认。本发明邻位具有炔基取代的各种苯甲醛肟在温和条件下和Ｂｒ２或ＩＣｌ发生分子内...

本发明属于有机化学技术领域，具体为多取代的茚骨架衍生物的制备方法。该类化合物的结构经１Ｈ？ＮＭＲ、１３Ｃ？ＮＭＲ、ＨＲＭＳ、单晶Ｘ衍射等方法表征并得以确认。本发明使用２－（２，２－二溴乙烯基）苯乙炔与芳基硼酸在醋酸钯和三苯基磷催化条件下...

本发明属于无线通信和卫星导航接收机技术领域，具体为一种基于多项式预测模型的多普勒频率和相位估计方法。本发明首先提出一种新的描述多普勒频率和相位的动态模型——多项式预测模型，并在此模型基础上结合无气味卡尔曼滤波器，提出一种新的自确认滤波算...

本发明属于非挥发性存储器件技术领域，具体公开了一种自对准半导体存储器结构。该半导体存储器结构采用隧穿晶体管来进行对相变存储器或阻变存储器比如擦写操作和读操作的控制，隧穿晶体管中垂直的栅控二极管结构不仅可以满足对阻变存储器和相变存储器进行...

本发明属于半导体非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器结构及其控制方法。该半导体存储器包括至少一个半导体衬底、一个用于对半导体存储器进行控制的隧穿晶体管结构、一个用于存储信息的存储单元和一个用于连接存储单元的顶部电极，所述的...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种铜与低介电常数材料集成的方法，该方法包括：采用湿法刻蚀并用光照射促进电化学刻蚀的技术将铜刻蚀，然后在铜上填充低介电常数介质，形成铜与ｌｏｗ－ｋ介质的互连。由于光的各向异性特性，本发明可以实现铜和其...

本发明属于生物工程技术领域，具体为一种制备人类病原体艰难梭菌中乙酰辅酶Ａ合成酶（ＡＣＳ）的方法。本发明利用基因工程技术成功得到了人类病原体ｃｌｏｓｔｒｉｄｉｕｍ?ｄｉｆｆｉｃｉｌｅ６３０中乙酰辅酶Ａ合成酶目的基因的表达质粒，将质粒转入大...

本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为２０～３０ｎｍ左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中没有利用金属作催...

本发明属电化学技术领域，具体为一种用于锂离子电池的硒化铟（ＩｎＳｅ）纳米复合负极材料及其制备方法。该材料为薄膜形式，通过激光溅射沉积法制备获得。该薄膜制成的电极，具有良好的充放电循环可逆性，可作为锂离子电池的负极材料。硒化铟（ＩｎＳｅ）...