本发明属于液晶高分子材料技术领域，具体为一种光致形变液晶高分子可调谐光子晶体及其制备方法。本发明先设计出可见光内的三维光子晶体图形结构，制作出ＳｉＯ２模板，再采用纳米压印等技术将ＳｉＯ２上的光子晶体结构转移到液晶上。将本发明制得的液晶光...

本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管结构包括：半导体衬底、栅极结构、分别为混合结和ＰＮ结的源区和漏区，所述源区与漏区结构不对称，其一由ＰＮ结构成，另外一个由混合结构成，所述混合...

本发明属于超声彩色血流成像技术领域，具体为一种基于几何滤波器的杂波抑制方法。本方法先用自相关法估计出杂波运动速度；再根据杂波运动速度构造对应的高维空间椭圆表达式，并用解析几何的方法找出其主轴方向；最后用主轴方向构造杂波子空间，完成杂波抑...

本发明属于计算机系统软件技术领域，具体为一种基于集群化操作系统技术提高众核应用程序可伸缩性的方法。本发明以集群化操作系统技术来为上层众核应用程序提供高可伸缩性支持。集群化操作系统包括高可伸缩虚拟机监控器，远程进程协作模块，资源同步模块和...

本发明属于计算机软件安全及知识产权保护技术领域，具体为一种基于标签的程序控制流深度混淆方法。本发明首先是秘密生成标记数据；并使这些标记就随着程序的执行而传播。在程序的执行过程中，也可以动态的删除这些标记和增加标记。这些标记隐藏在程序的执...

本发明属于生物技术和基因工程技术领域，具体为一种基于φＢＴ１整合酶及其突变识别位点的基因打靶载体快速构建方法。本发明通过严格突变筛选和验证，提供三对突变的整合酶识别序列，突变的底物对参与反应效率与野生型相当，且在同一体系中表现为不兼容。...

本发明属于生物技术和基因工程技术领域，具体为一种基于位点特异性重组的克隆方法。本发明基于丝氨酸重组酶φＢＴ１?ｉｎｔｅｇｒａｓｅ的体外应用。本发明提供一对突变的整合酶识别序列，其被识别与切割的效率同野生型相当。在此基础上构建含有野生型和...

本发明属于图像识别技术领域，具体为一种模式分类模型由抽象到具体ＡｔｏＣ模型。ＡｔｏＣ模型依次包含多模块（ＭＭ（Ｋ）），ＭＡＸ模块（ＭＡＸｒ），决策模块（ＤＭ），少模块（ＬＭ）。ＡｔｏＣ模型利用概率在计算机中表示抽象，然后根据一些决策规则...

本发明属于无线数字通信技术领域，具体为一种适用于ＤＴＭＢ系统抑制长回波信道估计和均衡的ＶＬＳＩ结构。本发明采用的信道估计算法是利用迭代的方法将帧头在帧体中的拖尾和帧体在帧头中的拖尾进行较准确的估计，然后重构出帧体得到较为准确的帧体数据，...

本发明属于超分子化学技术领域，具体涉及一种新型的有机凝胶化合物及其制备方法，以及由该类凝胶化合物获得的有机凝胶。本发明所提出的有机凝胶化合物，结构式为６－Ｃ６Ｈ５Ｏ－Ｃ１２Ｈ５ＮＯ２－（ＣＨ２）１０－ＣＯＯＨ。该化合物本身不具有成凝胶的...

本发明属于超分子化学技术领域，具体涉及一种基于萘酐的有机荧光凝胶化合物，以及由该类凝胶化合物获得的有机凝胶。该化合物是以萘酐为发色团的烷链羧酸，Ｎ－（壬基酰胺－Ｎ－甲苯基乙酸基）－４－吗啉－１，８－萘酰亚胺，结构式６－Ｃ６Ｈ５Ｏ－Ｃ１２...

本发明是一种在室温条件下生产β－紫罗兰酮的方法。其步骤是将假性紫罗兰酮用适当比例的有机溶剂稀释，与一定体积比例的硫酸滴入反应器，同时对反应物进行超声波辐射，反应物流出反应器后，用冰水中止反应。经后处理即得所需的β－紫罗兰酮产品。本发明方...

一种以稀过氧化氢溶液为氧化剂，催化氧化有机烃类的杂原子沸石催化剂的制备方法。该催化剂的活性组分为含０～１０ｍｏｌ％Ｔｉ（Ｚｒ，Ｖ）的五员环沸石。本法的特点是以季铵盐为模板剂，采用水热法合成，原料易得，价格低廉，所得沸石催化剂完全无Ａｌ，...

本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入剂量检测装置。该装置包括：安装于腔体内靶台的信号采集器，引线以及外围测量仪器；其中，信号采集器为导电金属片和绝缘体基片的双层结构，所述引线为刚性结构，用于连接信号采集器和外围检测仪器...

本发明属于自然语言处理技术领域，具体为一种中文词语语义相似度度量方法。该方法首先利用知网的ＫＤＭＬ语言来提取知网的丰富语义信息；然后采用优化的义原相似度计算公式计算义原相似度；最后采用最大匹配算法公式计算概念之间的相似度，即得到中文词语...

本发明属于超分子化学和纳米技术领域，具体为一种以钯卡宾为“顶点”化合物的双核大环配合物及其制备方法。该类环状配合物以氮杂环卡宾钯配合物为“顶点”，以柔性吡啶类双齿配体桥连，由阳离子Ａ和阴离子Ｂ组成。阳离子Ａ化学式为［（ＲＣ－Ｃｍｅｔｈ）...

本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适合于闪存器件的栅叠层结构及其制备方法。该栅叠层结构以Ｐ型（１００）晶向的硅片为衬底，自下而上依次为：Ａｌ２Ｏ３薄膜，作为电荷隧穿层；钌基纳米晶，作为第一种电荷俘获层；ＨｆｘＡｌｙＯｚ薄膜...

本发明属于信息安全技术领域，具体为一种抗时间驱动缓存攻击的硬件改进结构。本发明维持处理器原数据缓存结构，只在其外围加入若干部件，包括：缓存缺失数实时检测模块、数据预取模块、多路选择器、伪缺失应激生成模块、两个与门和仲裁模块；使得其能抵抗...

本发明属于沸石分子筛技术领域，具体为一种表面脱铝补硅调节ＺＳＭ－５分子筛表面孔径的方法。本发明采用氟硅酸铵溶液对ＺＳＭ－５沸石分子筛表面进行脱铝补硅的处理手段，实现对其表面孔径的精确控制。通过该方法处理后的ＺＳＭ－５沸石分子筛在表面形成...

本发明属于磁性弛豫开关检测技术领域，具体为一种基于Ｆｅ３Ｏ４＠Ａｕ的磁性弛豫开关及其制备方法。本发明的磁性弛豫开关，采用的探针为表面修饰有识别分子的花朵状磁性纳米颗粒，该花朵状磁性纳米颗粒为Ｆｅ３Ｏ４＠Ａｕ核壳结构。探针的粒径在５０－７...