本发明属于集成电路技术领域，具体为一种运算放大器共享的低功耗流水线模数转换器。该模数转换器由无采样保持电路的第一级流水线，第二、三、四级流水线，一级３位全并行模数转换器，共享运算放大器，数字校正电路构成；无采样保持电路的第一级流水线，第...

本发明属分析化学技术领域，具体为一种糖苷内切酶催化同位素标记Ｎ－糖链的方法。本发明采用在１８Ｏ水中进行糖苷内切酶酶解糖蛋白的反应，在Ｎ－糖链被酶切下的同时，在其还原末端标记上一个同位素１８Ｏ分子；质谱检测结果证明，同位素１８Ｏ标记的糖链...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种用于流水线模数转换器的高速低功耗大摆幅的运算放大器。该运算放大器由输入尾电流源管，差分输入对管，Ｎ型共栅管，Ｐ型共栅管，Ｐ型负载管，复制电路，以及自举电路构成。具体采用增益自举套筒式共源共栅结构，使...

本发明属于分析技术领域，具体为一种二次离子质谱的一次离子源。具体采用带多电荷的较大分子化合物的离子作为二次离子质谱的一次离子源。二次离子质谱中，二次离子的离子化效率和对样品深度的分析能力取决于一次离子的能量。带多电荷的一次离子，相比于传...

本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括一个栅控ＰＮＰＮ晶体管和一个ＭＯＳ晶体管。所述集成电路中的栅控ＰＮＰＮ晶体管和ＭＯＳ晶体管均采用凹陷型沟道结构，可在提高驱动电流的同时抑制漏电流的增加，即在降...

本发明属于半导体存储器制造技术领域，具体为一种内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜的制备方法。本发明采用在氧气气氛中共溅射的方法，淀积含氧化钯的介质薄膜，然后经过高温快速热退火处理，从而获得内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜，其中钯纳米晶的直径约３－...

本发明属于功率半导体器件技术领域，具体为一种凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法。包括一个半导体衬底，位于衬底底部的具有第一种掺杂类型的漏区，位于衬底内的凹槽结构，覆盖在凹槽内的栅极，位于栅极与半导体衬底之间的栅介质层；位于凹槽...

本发明属于超宽带无线通信电子技术领域，具体为一种全数字欠采样脉冲式超宽带接收机。其系统架构包括片外带通滤波器、低噪声放大器、可变增益放大器、片内带通滤波器、模数转换器、后端数字处理模块、功率检测器、控制器；模数转换器直接欠采样量化射频前...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种兼容超宽带国际标准和中国标准的射频接收机模拟基带链路。该发明由前置预放大器、可重构的低通滤波器与可编程增益放大器三个模块级联构成；前置预放大器与可编程增益放大器的带宽都很宽，以保证在两个标准的中频带...

本发明属于植物基因工程技术领域，具体公开了一种高羊茅衰老相关转录因子及其编码基因与应用。本发明所提供的衰老相关转录因子，来源于高羊茅，名称为ＦａＮＡＣｌ，其氨基酸序列如ＳＥＱ?ＩＤ?ＮＯ：２所示。高羊茅衰老相关转录因子的编码基因，是下列...

本发明属集成电路技术领域，具体为一种带前馈跨导的高电源抑制比低压差线性稳压器。它由误差放大器、缓冲器、ＰＭＯＳ传输管、前馈跨导、两个反馈电阻和滤波电容组成。误差放大器由尾电流源、ＰＭＯＳ输入差分对以及三组电流镜构成电流镜放大器。电源电压...

本发明属于动态随机存储器（ＤＲＡＭ）技术领域，具体为一种增益单元ｅＤＲＡＭ单元、存储器及其制备方法。该增益单元ｅＤＲＡＭ单元包括读ＭＯＳ晶体管、写ＭＯＳ晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及等效寄生电容，所述写ＭＯＳ晶体管的漏端与读...

本发明属于微生物病毒领域，提供了一种甲型Ｈ１Ｎ１流感病毒。该病毒含有ＨＡ、ＮＡ、ＮＰ、ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＡ、ＮＳ、Ｍ共８个片段，其核苷酸序列如说明书核苷酸序列表所示。本发明通过患者咽拭标本分离培养和ＤＩＦ、ＲＴ－ＰＣＲ鉴定，以及病毒的８...

本发明属于无线数据传输技术领域，具体为一种植入式装置的程控遥测系统与双向数据传输方法。该程控遥测系统由体外收发部分和体内收发部分构成。本发明以射频电磁波作为信息的传输媒介，实现体内与体外的双向通信。程控时，体外程控装置通过ＬＣ谐振回路向...

本发明属于高分子化学技术领域，具体为一种含Ａ官能基团和Ｂ官能基团的Ｎ臂星型聚环氧乙烷（ＰＥＯＮ）及其制备方法。本发明首先合成同时含１个环氧基团和１个双键基团的小分子化合物Ｍ１，在ＫＯＨ（或二乙醇胺）的存在下使Ｍ１上的环氧基团开环得到同时...

本发明属于微电子技术领域，具体为一种有效调制ＴｉＮ金属栅功函数的方法。该方法包括在已经形成栅介质层的样品上进行光刻，形成图形，然后淀积ＴｉＮ做金属性栅极，再在ＴｉＮ薄膜上淀积Ｙｂ，最后在Ｙｂ上淀积ＴｉＮ薄膜作覆盖层防止Ｙｂ被氧化；再对样...

本发明属于电化学技术领域，具体为一种锂离子电池用三维多孔锡铜合金负极材料的制备方法。本发明采用泡沫铜为集流体，以化学镀锡的方法在泡沫铜上沉积锡层，然后通过真空热处理的方式形成三维多孔锡铜合金负极材料。三维多孔结构、锡铜合金的形成以及活性...

本发明的目的在于提出一种基于路由器缓存的流媒体系统加速方法，它利用路由器不仅仅能完成存储转发的基本功能，还能够缓存流媒体数据并能响应用户的请求。这样使得流媒体数据更加靠近用户以降低端系统视频播放的初始延迟并且减轻服务器的负担。通过本方明...

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种栅控ＰＮ场效应晶体管及其控制方法。本发明公开的栅控ＰＮ场效应晶体管，包括一个半导体衬底区、位于所述衬底区左右两侧的漏区和源区、位于所述衬底区上下两侧的栅区。所述的栅控ＰＮ场效应晶体管工作在源漏ｐｎ...

本发明属于电化学技术领域，具体涉及用非离子表面活性剂制备磷酸铁的方法。其步骤是：将分析纯可溶性磷酸盐溶于蒸馏水，配制成水溶液Ａ，加入质量为０．０５－５％的非离子表面活性剂，然后将一定摩尔比的铁盐用去离子水配制成溶液Ｂ；把Ｂ溶液加入到上述...