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恩索恩公司专利技术
恩索恩公司共有52项专利
用于金属表面的水性剥离组合物制造技术
本发明涉及一种用于去除金属表面上的聚合物表面密封剂的水性剥离组合物,所述剥离组合物包含碱化剂、聚合物裂解剂、膨胀剂和浊点升高剂,其中所述聚合物裂解剂为至少一种葡糖酸盐,所述膨胀剂为至少一种选自由二醇醚和具有3至9个碳原子的脂肪族醇构成的...
银与含氟聚合物纳米粒子的电沉积制造技术
提供了电镀组合物和用于使银或银合金与含氟聚合物纳米粒子共沉积的电镀方法。含有含氟聚合物纳米粒子的银或银合金复合涂层具有增强的功能特性,例如减小的摩擦系数。该电镀组合物包括:(a)包括甲烷磺酸银(Ag-MSA)的银离子源;(b)包括具有含...
用于塑料表面的无铬酸洗液制造技术
一种在金属喷镀准备阶段用于塑料表面预处理的酸洗溶液,该溶液包含一种锰(VII)离子源和一种无机酸;其中该酸洗溶液完全不含铬(VI)离子、碱金属离子及碱土金属离子。
用于在激光直接成型基底上无电铜沉积的水性活化剂溶液和方法技术
本发明涉及一种用于在激光直接成型基底表面上无电沉积铜的水性活化剂溶液和方法。通过本发明,提出包含强还原剂的水性活化剂溶液,以增强LDS基底的受辐照的表面区域的催化活性。
填充微电子器件中的孔的方法技术
一种用于金属化半导体集成电路装置中的硅通孔结构的方法,所述方法包括:在填充周期期间,使电路的极性反向一时间间隔以在所述金属化衬底上产生阳极电势以及使整平剂从所述孔内的铜表面脱附,然后通过将所述孔内的铜表面重建为电路中的阴极来恢复铜沉积,...
用于形成钝化层的水溶液和方法技术
本发明总体涉及一种用于在锌层或锌合金层上形成钝化层的水溶液。更具体地,本发明涉及在锌层或锌合金层上形成黑色钝化层,该钝化层基本上不含有六价铬。此外,本发明涉及在锌层或锌合金层上形成钝化层的方法以及在锌层或锌合金层上的钝化层本身。所使用的...
用于在介电基板上沉积导电聚合物的组合物和方法技术
本发明涉及一种用于在介电基板上沉积导电聚合物的组合物和方法。尤其,本发明涉及一种在介电基板的表面上形成导电聚合物的组合物,所述组合物包含至少一种可形成导电聚合物的可聚合单体、乳化剂和酸,其特征在于所述组合物包含至少一种选自锂离子、钠离子...
用于电子产品制造中的锡银浸镀法制造技术
本发明提供一种用于在铜基板的表面上沉积基于锡的抗晶须涂层的方法。该方法可用于制备包含具有表面的铜基板及在基板表面上基于锡的涂层的物品,其中基于锡的涂层具有介于0.5微米与1.5微米之间的厚度及具有抗铜-锡金属间化合物形成性,其中该抗铜-...
用于不导电基底的直接金属化的方法技术
本发明涉及一种用于不导电基底的直接金属化的方法和一种在这样的方法中使用的导体溶液。根据本发明,提出了在用含有贵金属胶体的活化剂溶液活化之后,将不导电基底的表面与导体溶液接触,该导体溶液包括可通过活化剂溶液的金属还原的金属、络合剂和还原剂。
包括β-氨基酸的电解质以及用于沉积金属层的方法技术
本发明涉及一种用于在基板上无电沉积金属层的电解质,其中,所述电解质不含重金属稳定剂、氰化物、硒化合物和硫的氧化态在-2价和+5价之间的硫化合物,而是β-氨基酸用作稳定剂。具体地,发明性的电解质可包括3-氨基丙酸、3-氨基丁酸、3-氨基-...
用基于联吡啶的整平剂在微电子装置中电沉积铜制造方法及图纸
一种使半导体集成电路装置基板中的通孔特征金属化的方法,其中所述半导体集成电路装置基板包含前表面、后表面和通孔特征,且其中所述通孔特征包含在基板前表面的开口、从基板前表面向内延伸的侧壁、以及底部。该方法包括将半导体集成电路装置基板与电解铜...
金属层的后处理方法技术
一种处理金属基材表面的方法,所述金属基材包含的构成金属选自Cr、Cu、Mn、Mo、Ag、Au、Pt、Pd、Rh、Pb、Sn、Ni、Zn,在一些情形中包括Fe,以及这些金属的合金。在电解回路中向所述金属表面施加阳极电势,所述电解回路包括金...
硬铬层的电沉积方法技术
本发明涉及以高的沉积速率在基材表面上电沉积硬铬层的方法。根据本发明,在相对于环境压力降低的压力下使进行涂覆的基材表面与适合于电沉积的含铬电解液接触,并且在基材表面上沉积铬层期间在基材表面和电解液之间产生相对移动。
用于电沉积铜层的无氰电解液组合物制造技术
用于在基材表面上电沉积铜层的无氰电解液组合物和用于沉积这类层的方法。该电解液组合物至少包含铜(II)离子,乙内酰脲和/或乙内酰脲衍生物,二羧酸和/或三羧酸或它们的盐,以及选自钼、钨和钒的元素的金属酸盐和/或铈化合物。
电解质和无光泽金属层的淀积方法技术
本发明涉及电解质以及在基材表面上淀积无光泽金属层的方法,其中该无光泽金属层是V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ru,Rh,Pd,Ag,In,Sn,Sb,Te,Re,Pt,Au,TI,Bi或其合金,而且具有含有钠、钾、铝、镁或...
微电子应用中化学镀沉积的缺陷控制与工艺控制制造技术
微电子装置制造中用于化学镀沉积Co、Ni、或其合金到基材上的方法及组合物。用于化学镀Co和Ni沉积溶液的晶粒精化剂、整平剂、除氧剂、及稳定剂。
电子制造中的锡银焊接凸点制造技术
一种用于在制造微电子仪器的凸点下金属结构上形成焊接凸点的方法包括使凸点下金属结构暴露于电解槽,其中该电解槽包括一种Sn↑[2+]离子源,一种Ag↑[+]离子源,一种硫脲化合物和/或一种季铵盐表面活性剂;并且为电解槽提供一种外部电子源从而...
无氰电解液组合物及在基板沉积银或银合金镀层的方法技术
本发明涉及一种用于在基板上沉积银或银合金镀层的无氰电解液组合物,以及一种利用所述无氰电解液组合物沉积此类镀层的方法。本发明所述电解液组合物至少包含银离子源、磺酸和/或磺酸衍生物、润湿剂及乙内酰脲。用本发明所述方法从此类电解液组合物中沉积...
包含纳米颗粒的金属基复合涂层的电解沉积制造技术
提供一种在基材表面上产生抗腐蚀性的方法。该方法包括将基材表面与包含以下的电解镀覆溶液接触:(a)选自锌、钯、银、镍、铜、金、铂、铑、钌、铬以及它们合金的沉积金属的沉积金属离子源,(b)非金属纳米颗粒的预混分散体,其中所述非金属纳米颗粒在...
用于减少晶须的复合涂层制造技术
提供了一种用于将具有增强的抗锡晶须形成性的复合涂层施加到电部件的金属表面上的方法。该方法包括:将金属表面与包含(a)锡离子源和(b)非金属颗粒的电解镀覆组合物接触;以及向所述电解镀覆组合物施加外部电子源,从而将复合涂层电解沉积到金属表面...
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