【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
１．一种使半导体集成电路装置基板中的通孔特征金属化的方法，其中所述半导体集成电路装置基板包含前表面、后表面和通孔特征，且其中所述通孔特征包含在基板前表面的开口、从基板前表面向内延伸的侧壁、以及底部，该方法包括：将半导体集成电路装置基板与电解铜沉积化学物质接触，该电解铜沉积化学物质包含（ａ）铜离子源和（ｂ）整平剂化合物，其中该整平剂化合物是联吡啶基化合物与烷基化剂的反应产物；以及将电流供应至所述电解沉积化学物质，以使铜金属沉积到通孔特征的底部和侧壁上，从而得到铜填充的通孔特征。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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